IRF9540NSTRLPBF
Код товару: 188176
Додати до обраних
Обраний товар
Виробник:
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 1
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRF9540NSTRLPBF
- MOSFET, P, 100V, D2-PAK
- Transistor Type:MOSFET
- Max Voltage Vds:100V
- On State Resistance:0.117ohm
- Transistor Case Style:D2-PAK
- Alternate Case Style:TO-262AB
- Case Style:D2-PAK
- Cont Current Id:23A
- Max Voltage Vgs th:4V
- Min Voltage Vgs th:2V
- Power Dissipation Pd:140W
- Pulse Current Idm:76A
- Termination Type:SMD
- Transistor Polarity:P
- Typ Voltage Vds:100V
- Typ Voltage Vgs th:4V
- Voltage Vgs Rds on Measurement:10V
Інші пропозиції IRF9540NSTRLPBF за ціною від 46.46 грн до 220.35 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IRF9540NSTRLPBF | Infineon Technologies |
Description: MOSFET P-CH 100V 23A D2PAKPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 117mOhm @ 14A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 110W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1450 pF @ 25 V Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25 |
на замовлення 16800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRF9540NSTRLPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 100V 23A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 88000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRF9540NSTRLPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 100V 23A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 88000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRF9540NSTRLPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRF9540NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 23 A, 0.117 ohm, TO-263 (D2PAK), OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 23A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 140W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 20V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.117ohm |
на замовлення 4508 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRF9540NSTRLPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRF9540NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 23 A, 0.117 ohm, TO-263 (D2PAK), OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 23A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 140W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 20V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.117ohm |
на замовлення 4508 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRF9540NSTRLPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 100V 23A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 377 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRF9540NSTRLPBF | Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFT PCh -100V -23A 117mOhm 64.7nC |
на замовлення 11989 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRF9540NSTRLPBF | Infineon Technologies |
Description: MOSFET P-CH 100V 23A D2PAKPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 117mOhm @ 14A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 110W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1450 pF @ 25 V Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25 |
на замовлення 17914 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRF9540NSTRLPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 100V 23A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 4148 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| IRF9540NSTRLPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 100V 23A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 117mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1450 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
Description: MOSFET P-CH 100V 23A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 117mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1450 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
на замовлення 16800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 800+ | 64.98 грн |
| 1600+ | 57.82 грн |
| 2400+ | 55.40 грн |
| 4000+ | 49.44 грн |
| 5600+ | 47.93 грн |
| 8000+ | 46.46 грн |
| IRF9540NSTRLPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 100V 23A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET P-CH 100V 23A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 88000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 800+ | 66.29 грн |
| 2400+ | 63.40 грн |
| IRF9540NSTRLPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 100V 23A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET P-CH 100V 23A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 88000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 800+ | 66.50 грн |
| 2400+ | 63.60 грн |
| IRF9540NSTRLPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF9540NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 23 A, 0.117 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 23A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 140W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.117ohm
Description: INFINEON - IRF9540NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 23 A, 0.117 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 23A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 140W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.117ohm
на замовлення 4508 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 72.22 грн |
| 250+ | 65.33 грн |
| IRF9540NSTRLPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF9540NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 23 A, 0.117 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 23A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 140W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.117ohm
Description: INFINEON - IRF9540NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 23 A, 0.117 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 23A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 140W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.117ohm
на замовлення 4508 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 175.58 грн |
| 10+ | 113.22 грн |
| 50+ | 95.17 грн |
| 100+ | 72.22 грн |
| 250+ | 65.33 грн |
| IRF9540NSTRLPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 100V 23A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET P-CH 100V 23A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 377 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 78+ | 183.11 грн |
| 109+ | 130.03 грн |
| 150+ | 94.14 грн |
| IRF9540NSTRLPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT PCh -100V -23A 117mOhm 64.7nC
MOSFETs MOSFT PCh -100V -23A 117mOhm 64.7nC
на замовлення 11989 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 194.45 грн |
| 10+ | 122.12 грн |
| 100+ | 72.44 грн |
| 500+ | 61.68 грн |
| 800+ | 54.64 грн |
| 2400+ | 51.76 грн |
| 4800+ | 49.16 грн |
| IRF9540NSTRLPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 100V 23A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 117mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1450 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
Description: MOSFET P-CH 100V 23A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 117mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1450 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
на замовлення 17914 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 197.00 грн |
| 10+ | 121.75 грн |
| 100+ | 82.91 грн |
| IRF9540NSTRLPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 100V 23A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET P-CH 100V 23A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 4148 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 81+ | 220.35 грн |






