IRF9630
Код товару: 67392
Додати до обраних
Обраний товар
Виробник: IR
Корпус: TO-220AB
Uds,V: 200 V
Id,A: 4 А
Rds(on),Om: 10 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 700/29
Монтаж: THT
Відгуки про товар
Написати відгук
Інші пропозиції IRF9630 за ціною від 27.59 грн до 143.03 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IRF9630 | Виробник : Harris Corporation |
Description: MOSFET P-CH 200V 6.5A TO220ABPackaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 3.9A, 10V Power Dissipation (Max): 74W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 25 V |
на замовлення 28039 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
| IRF9630 | Виробник : JSMSEMI |
Transistor P-Channel MOSFET; 200V; 20V; 420mOhm; 10A; 78W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF9630; IRF9630-BE3; IRF9630 JSMICRO TIRF9630 JSMкількість в упаковці: 25 шт |
на замовлення 100 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||
| IRF9630 | Виробник : HARRIS |
IRF9630 |
на замовлення 430 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||
| IRF9630 | Виробник : HARRIS |
IRF9630 |
на замовлення 5927 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||
| IRF9630 | Виробник : HARRIS |
IRF9630 |
на замовлення 7730 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||
| IRF9630 | Виробник : HARRIS |
IRF9630 |
на замовлення 6479 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||
| IRF9630 | Виробник : HARRIS |
IRF9630 |
на замовлення 7473 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||
| IRF9630 | Виробник : International Rectifier/Infineon |
P-канальный ПТ... Група товару: Транзистори Корпус: TO-220 Од. вим: шткількість в упаковці: 50 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||
| IRF9630 |
(TO-220) Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
товару немає в наявності |
|||||||||||
|
IRF9630 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 200V 6.5A TO220ABPackaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 3.9A, 10V Power Dissipation (Max): 74W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |
|||||||||
|
IRF9630 | Виробник : onsemi / Fairchild |
MOSFETs |
товару немає в наявності |
|||||||||
|
IRF9630 | Виробник : Vishay / Siliconix |
MOSFETs RECOMMENDED ALT IRF9 |
товару немає в наявності |


