IRF9910TRPBF

IRF9910TRPBF Infineon Technologies


Infineon_IRF9910_DataSheet_v01_01_EN-1732680.pdf Виробник: Infineon Technologies
MOSFET MOSFT DUAL NCh 20V 10A
на замовлення 403 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+116.16 грн
10+102.26 грн
100+67.64 грн
250+67.57 грн
500+56.09 грн
1000+44.54 грн
2500+41.42 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRF9910TRPBF Infineon Technologies

Description: MOSFET 2N-CH 20V 10A/12A 8SO, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 2W, Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A, 12A, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900pF @ 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.3mOhm @ 12A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 4.5V, FET Feature: Logic Level Gate, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.55V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SO, Part Status: Obsolete.

Інші пропозиції IRF9910TRPBF за ціною від 137.97 грн до 137.97 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRF9910TRPBF IRF9910TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf9910.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 10A/12A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2082 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
90+137.97 грн
Мінімальне замовлення: 90
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9910TRPBF IRF9910TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf9910.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 10A/12A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9910TRPBF IRF9910TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf9910pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535611e1a61dcd Description: MOSFET 2N-CH 20V 10A/12A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A, 12A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.3mOhm @ 12A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.55V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9910TRPBF IRF9910TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf9910pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535611e1a61dcd Description: MOSFET 2N-CH 20V 10A/12A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A, 12A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.3mOhm @ 12A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.55V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.