на замовлення 403 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 112.44 грн |
| 10+ | 98.99 грн |
| 100+ | 65.48 грн |
| 250+ | 65.40 грн |
| 500+ | 54.29 грн |
| 1000+ | 43.11 грн |
| 2500+ | 40.09 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRF9910TRPBF Infineon Technologies
Description: MOSFET 2N-CH 20V 10A/12A 8SO, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 2W, Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A, 12A, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900pF @ 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.3mOhm @ 12A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 4.5V, FET Feature: Logic Level Gate, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.55V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SO, Part Status: Obsolete.
Інші пропозиції IRF9910TRPBF за ціною від 105.44 грн до 147.11 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRF9910TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 20V 10A/12A 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 2752 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRF9910TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 20V 10A/12A 8-Pin SOIC N T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
| IRF9910TRPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
IRF9910TRPBF Multi channel transistors |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
 |
IRF9910TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET 2N-CH 20V 10A/12A 8SO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2W Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A, 12A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.3mOhm @ 12A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2.55V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Obsolete |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
IRF9910TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET 2N-CH 20V 10A/12A 8SO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2W Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A, 12A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.3mOhm @ 12A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2.55V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Obsolete |
товару немає в наявності |