IRF9952PBF ROCHESTER ELECTRONICS
Виробник: ROCHESTER ELECTRONICSDescription: ROCHESTER ELECTRONICS - IRF9952PBF - IRF9952PBF - PLANAR <40V
tariffCode: 85423990
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: TBC
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: TBC
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 160 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRF9952PBF ROCHESTER ELECTRONICS
Description: MOSFET N/P-CH 30V 3.5A/2.3A 8SO, Packaging: Tube, Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Configuration: N and P-Channel, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 2W, Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A, 2.3A, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 190pF @ 15V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 2.2A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14nC @ 10V, FET Feature: Logic Level Gate, Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SO, Part Status: Discontinued at Digi-Key.
Інші пропозиції IRF9952PBF
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
IRF9952PBF Код товару: 46335
Додати до обраних
Обраний товар
|
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2 |
товару немає в наявності
|
||
 |
IRF9952PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N/P-CH 30V 3.5A/2.3A 8SO Packaging: Tube Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A, 2.3A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 190pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 2.2A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Discontinued at Digi-Key |
товару немає в наявності |