Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > IRF9952TRPBF
IRF9952TRPBF

IRF9952TRPBF

irf9952pbfkiyh.pdf
Код товару: 48739
Додати до обраних Обраний товар

Виробник: IR
Корпус: SO-8
Напруга сток-витік Uds, В: 30 В
Струм стоку Idd, А: 3,5 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,12 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 190/6,9
Примітка: Два транзистори в одному корпусі
Монтаж: SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції IRF9952TRPBF за ціною від 15.65 грн до 86.01 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IRF9952TRPBF IRF9952TRPBF Infineon Technologies irf9952pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535611f7291dd3 Description: MOSFET N/P-CH 30V 3.5A/2.3A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A, 2.3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 190pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 2.2A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+21.00 грн
8000+18.76 грн
12000+18.01 грн
20000+16.12 грн
28000+15.65 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9952TRPBF IRF9952TRPBF Infineon Technologies irfp048npbf.pdf Trans MOSFET N/P-CH 30V 3.5A/2.3A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 52000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+27.41 грн
8000+23.20 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9952TRPBF IRF9952TRPBF Infineon Technologies irfp048npbf.pdf Trans MOSFET N/P-CH 30V 3.5A/2.3A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+27.48 грн
8000+24.13 грн
12000+23.99 грн
20000+22.70 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9952TRPBF IRF9952TRPBF Infineon Technologies irfp048npbf.pdf Trans MOSFET N/P-CH 30V 3.5A/2.3A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+27.50 грн
8000+24.16 грн
12000+24.02 грн
20000+22.74 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9952TRPBF IRF9952TRPBF Infineon Technologies irfp048npbf.pdf Trans MOSFET N/P-CH 30V 3.5A/2.3A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 4005 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
171+83.05 грн
251+56.47 грн
346+40.99 грн
500+31.57 грн
1000+26.47 грн
2000+23.28 грн
4000+21.55 грн
Мінімальне замовлення: 171 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9952TRPBF IRF9952TRPBF Infineon Technologies irf9952pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535611f7291dd3 Description: MOSFET N/P-CH 30V 3.5A/2.3A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A, 2.3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 190pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 2.2A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
на замовлення 61279 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+86.01 грн
10+51.94 грн
100+34.15 грн
500+24.87 грн
1000+22.56 грн
2000+20.62 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9952TRPBF IRF9952TRPBF Infineon Technologies Infineon_IRF9952_DataSheet_v01_01_EN.pdf MOSFETs MOSFT DUAL N/PCh 30V 3.5A
на замовлення 2778 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9952TRPBF IRF9952TRPBF INFINEON INFN-S-A0004663815-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF9952TRPBF - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 3.5 A, 3.5 A, 0.08 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.08ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.08ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 6675 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9952TRPBF IRF9952TRPBF INFINEON INFN-S-A0004663815-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF9952TRPBF - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 3.5 A, 3.5 A, 0.08 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.08ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.08ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 6675 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9952TRPBF irf9952pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535611f7291dd3
IRF9952TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N/P-CH 30V 3.5A/2.3A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A, 2.3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 190pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 2.2A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4000+21.00 грн
8000+18.76 грн
12000+18.01 грн
20000+16.12 грн
28000+15.65 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9952TRPBF irfp048npbf.pdf
IRF9952TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N/P-CH 30V 3.5A/2.3A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 52000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4000+27.41 грн
8000+23.20 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9952TRPBF irfp048npbf.pdf
IRF9952TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N/P-CH 30V 3.5A/2.3A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4000+27.48 грн
8000+24.13 грн
12000+23.99 грн
20000+22.70 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9952TRPBF irfp048npbf.pdf
IRF9952TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N/P-CH 30V 3.5A/2.3A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4000+27.50 грн
8000+24.16 грн
12000+24.02 грн
20000+22.74 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9952TRPBF irfp048npbf.pdf
IRF9952TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N/P-CH 30V 3.5A/2.3A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 4005 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
171+83.05 грн
251+56.47 грн
346+40.99 грн
500+31.57 грн
1000+26.47 грн
2000+23.28 грн
4000+21.55 грн
Мінімальне замовлення: 171 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9952TRPBF irf9952pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535611f7291dd3
IRF9952TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N/P-CH 30V 3.5A/2.3A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A, 2.3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 190pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 2.2A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
на замовлення 61279 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+86.01 грн
10+51.94 грн
100+34.15 грн
500+24.87 грн
1000+22.56 грн
2000+20.62 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9952TRPBF Infineon_IRF9952_DataSheet_v01_01_EN.pdf
IRF9952TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT DUAL N/PCh 30V 3.5A
на замовлення 2778 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9952TRPBF INFN-S-A0004663815-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF9952TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF9952TRPBF - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 3.5 A, 3.5 A, 0.08 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.08ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.08ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 6675 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9952TRPBF INFN-S-A0004663815-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF9952TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF9952TRPBF - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 3.5 A, 3.5 A, 0.08 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.08ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.08ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 6675 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.