IRF9952TRPBF Infineon Technologies
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4000+ | 12.24 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRF9952TRPBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRF9952TRPBF - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 3.5 A, 3.5 A, 0.08 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.5A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.08ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 2W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.08ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 2W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції IRF9952TRPBF за ціною від 19.80 грн до 82.56 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRF9952TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
 Description: MOSFET N/P-CH 30V 3.5A/2.3A 8SOPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A, 2.3A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 190pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 2.2A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Active |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRF9952TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N/P-CH 30V 3.5A/2.3A 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 24 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRF9952TRPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRF9952TRPBF - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 3.5 A, 3.5 A, 0.08 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.5A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.08ohm Verlustleistung, p-Kanal: 2W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.08ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 2W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 3935 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRF9952TRPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRF9952TRPBF - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 3.5 A, 3.5 A, 0.08 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.5A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.08ohm Verlustleistung, p-Kanal: 2W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.08ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 2W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 3925 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRF9952TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFT DUAL N/PCh 30V 3.5A |
на замовлення 1003 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRF9952TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N/P-CH 30V 3.5A/2.3A 8SO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A, 2.3A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 190pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 2.2A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Active |
на замовлення 9370 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRF9952TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N/P-CH 30V 3.5A/2.3A 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 125 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
 |
IRF9952TRPBF Код товару: 48739
Додати до обраних
Обраний товар
|
Виробник : IR |
Транзистори > Польові N-канальні Корпус: SO-8 Uds,V: 30 V Idd,A: 3,5 A Rds(on), Ohm: 0,12 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 190/6,9 Примітка: Два транзистори в одному корпусі Монтаж: SMD |
товару немає в наявності
|
|||||||||||||||||
|
|
IRF9952TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N/P-CH 30V 3.5A/2.3A 8-Pin SOIC N T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
 |
IRF9952TRPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 30/-30V; 3.5/-2.3A; 2W; SO8 Drain-source voltage: 30/-30V Drain current: 3.5/-2.3A On-state resistance: 0.1/0.25Ω Type of transistor: N/P-MOSFET Power dissipation: 2W Polarisation: unipolar Kind of package: reel Technology: HEXFET® Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±30V Mounting: SMD Case: SO8 кількість в упаковці: 4000 шт |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
IRF9952TRPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 30/-30V; 3.5/-2.3A; 2W; SO8 Drain-source voltage: 30/-30V Drain current: 3.5/-2.3A On-state resistance: 0.1/0.25Ω Type of transistor: N/P-MOSFET Power dissipation: 2W Polarisation: unipolar Kind of package: reel Technology: HEXFET® Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±30V Mounting: SMD Case: SO8 |
товару немає в наявності |