IRF9953TR International Rectifier
Виробник: International RectifierTransistor 2xP-Channel MOSFET; 30V; 20V; 400mOhm; 2,3A; 2W; -55°C ~ 150°C; IRF9953 TIRF9953
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 50+ | 22.18 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRF9953TR International Rectifier
Description: MOSFET 2P-CH 30V 2.3A 8SO, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 P-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 2W, Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 190pF @ 15V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 1A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 10V, FET Feature: Logic Level Gate, Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SO.
Інші пропозиції IRF9953TR
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| IRF9953TR | Виробник : IR |
09+ |
на замовлення 5021 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
 |
IRF9953TR | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET 2P-CH 30V 2.3A 8SO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 190pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 1A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO |
товару немає в наявності |