IRF9956TR JGSEMI
Виробник: JGSEMI
Transistor 2xN-Channel MOSFET; 40V; 20V; 38mOhm; 8,5A; 3,7W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF9956; IRF9956TR; SP001565670; SP001565688; IRF9956TR JGSEMI TIRF9956 JGS
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 11.14 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRF9956TR JGSEMI
Description: MOSFET 2N-CH 30V 3.5A 8SO, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14nC @ 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 2.2A, 10V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 190pF @ 15V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A, Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Power - Max: 2W, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Configuration: 2 N-Channel (Dual), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Packaging: Tape & Reel (TR), Part Status: Obsolete, Supplier Device Package: 8-SO, Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, FET Feature: Logic Level Gate.
Інші пропозиції IRF9956TR за ціною від 16.93 грн до 38.37 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
IRF9956TR | Виробник : UMW |
Transistor 2xN-Channel MOSFET; 30V; 20V; 200mOhm; 3,5A; 2W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF9956; IRF9956TR; SP001565670; SP001565688; IRF9956TR UMW TIRF9956 UMW кількість в упаковці: 25 шт |
на замовлення 700 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||
|
|
IRF9956TR | Виробник : UMW |
Transistor 2xN-Channel MOSFET; 30V; 20V; 200mOhm; 3,5A; 2W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF9956; IRF9956TR; SP001565670; SP001565688; IRF9956TR UMW TIRF9956 UMW кількість в упаковці: 25 шт |
на замовлення 300 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||
|
|
IRF9956TR | Виробник : International Rectifier |
Transistor 2xN-Channel MOSFET; 30V; 20V; 200mOhm; 3,5A; 2W; -55°C ~ 150°C; IRF9956TR IRF9956 smd TIRF9956 кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 100 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||
| IRF9956TR | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET 2N-CH 30V 3.5A 8SO Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14nC @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 2.2A, 10V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 190pF @ 15V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Power - Max: 2W Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Configuration: 2 N-Channel (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Packaging: Tape & Reel (TR) Part Status: Obsolete Supplier Device Package: 8-SO Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA FET Feature: Logic Level Gate |
товару немає в наявності |