IRF9956TRPBF Транзистор
Код товару: 126786
Додати до обраних
Обраний товар
Виробник:
Корпус: SO-8
Uds,V: 30 V
Idd,A: 2,8 A
Rds(on), Ohm: 0,1 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 190/6,9
Монтаж: SMD
Відгуки про товар
Написати відгук
Інші пропозиції IRF9956TRPBF Транзистор за ціною від 23.28 грн до 59.48 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRF9956TRPBF | Infineon Technologies |
MOSFET MOSFT DUAL NCh 30V 3.5A |
на замовлення 431 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| IRF9956TRPBF | Infineon Technologies |
Description: MOSFET 2N-CH 30V 3.5A 8SO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 190pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 2.2A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Obsolete |
на замовлення 297 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| IRF9956TRPBF |
|
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET MOSFT DUAL NCh 30V 3.5A
MOSFET MOSFT DUAL NCh 30V 3.5A
на замовлення 431 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 59.48 грн |
| 10+ | 51.11 грн |
| 100+ | 30.80 грн |
| 500+ | 28.34 грн |
| 1000+ | 27.08 грн |
| 2000+ | 25.11 грн |
| 4000+ | 23.28 грн |
| IRF9956TRPBF |
|
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET 2N-CH 30V 3.5A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 190pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 2.2A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Obsolete
Description: MOSFET 2N-CH 30V 3.5A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 190pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 2.2A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Obsolete
на замовлення 297 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 56.17 грн |
| 10+ | 47.39 грн |
| 100+ | 32.77 грн |