IRF9956TRPBF Транзистор


Infineon_IRF9956_DataSheet_v01_01_EN-1732728.pdf
Код товару: 126786
Виробник:
Корпус: SO-8
Uds,V: 30 V
Idd,A: 2,8 A
Rds(on), Ohm: 0,1 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 190/6,9
Монтаж: SMD
у наявності 2 шт:

2 шт - РАДІОМАГ-Київ
Кількість Ціна
1+54.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції IRF9956TRPBF Транзистор за ціною від 24.35 грн до 82.45 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRF9956TRPBF IRF9956TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf9956-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 3.5A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+24.87 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9956TRPBF IRF9956TRPBF Виробник : Infineon Technologies Infineon_IRF9956_DataSheet_v01_01_EN-3363147.pdf MOSFET MOSFT DUAL NCh 30V 3.5A
на замовлення 431 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+62.23 грн
10+53.47 грн
100+32.22 грн
500+29.65 грн
1000+28.32 грн
2000+26.26 грн
4000+24.35 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9956TRPBF IRF9956TRPBF Виробник : INFINEON 138764.pdf Description: INFINEON - IRF9956TRPBF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 3.5 A, 3.5 A, 0.06 ohm
tariffCode: 85412900
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
productTraceability: No
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.06ohm
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.5A
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.5A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
hazardous: false
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Produktpalette: HEXFET Series
Bauform - Transistor: SOIC
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.06ohm
Dauer-Drainstrom Id: 3.5A
rohsPhthalatesCompliant: YES
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.06ohm
usEccn: EAR99
Transistormontage: Oberflächenmontage
Verlustleistung Pd: 2W
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+82.45 грн
13+66.60 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9956TRPBF IRF9956TRPBF Виробник : INFINEON 138764.pdf Description: INFINEON - IRF9956TRPBF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 3.5 A, 3.5 A, 0.06 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.06ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Produktpalette: HEXFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.06ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9956TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf9956pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561210491dd9 Description: MOSFET 2N-CH 30V 3.5A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 190pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 2.2A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Obsolete
на замовлення 297 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+56.50 грн
10+47.67 грн
100+32.96 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9956TRPBF IRF9956TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf9956-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 3.5A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9956TRPBF IRF9956TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf9956-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 3.5A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9956TRPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES irf9956pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561210491dd9 IRF9956TRPBF Multi channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9956TRPBF IRF9956TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf9956-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 3.5A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9956TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf9956pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561210491dd9 Description: MOSFET 2N-CH 30V 3.5A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 190pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 2.2A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.