Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > IRF9956TRPBF транзистор
IRF9956TRPBF транзистор

IRF9956TRPBF транзистор

Infineon_IRF9956_DataSheet_v01_01_EN-1732728.pdf
Код товару: 126786
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Корпус: SO-8
Напруга сток-витік Uds, В: 30 В
Струм стоку Idd, А: 2,8 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,1 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 190/6,9
Монтаж: SMD
у наявності: 2 шт
  • 2 шт - РАДІОМАГ-Київ
КількістьЦіна без ПДВ
1+54.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції IRF9956TRPBF транзистор за ціною від 24.21 грн до 61.86 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IRF9956TRPBF IRF9956TRPBF Infineon Technologies infineon-irf9956-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 3.5A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+29.03 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9956TRPBF IRF9956TRPBF Infineon Technologies Infineon_IRF9956_DataSheet_v01_01_EN-3363147.pdf MOSFET MOSFT DUAL NCh 30V 3.5A
на замовлення 431 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
5+61.86 грн
10+53.15 грн
100+32.03 грн
500+29.47 грн
1000+28.16 грн
2000+26.11 грн
4000+24.21 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9956TRPBF IRF9956TRPBF INFINEON 138764.pdf Description: INFINEON - IRF9956TRPBF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 3.5 A, 3.5 A, 0.06 ohm
tariffCode: 85412900
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
productTraceability: No
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.06ohm
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.5A
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.5A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
hazardous: false
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Produktpalette: HEXFET Series
Bauform - Transistor: SOIC
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.06ohm
Dauer-Drainstrom Id: 3.5A
rohsPhthalatesCompliant: YES
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.06ohm
usEccn: EAR99
Transistormontage: Oberflächenmontage
Verlustleistung Pd: 2W
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9956TRPBF IRF9956TRPBF INFINEON 138764.pdf Description: INFINEON - IRF9956TRPBF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 3.5 A, 3.5 A, 0.06 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.06ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Produktpalette: HEXFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.06ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9956TRPBF infineon-irf9956-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF9956TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 30V 3.5A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4000+29.03 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9956TRPBF Infineon_IRF9956_DataSheet_v01_01_EN-3363147.pdf
IRF9956TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET MOSFT DUAL NCh 30V 3.5A
на замовлення 431 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+61.86 грн
10+53.15 грн
100+32.03 грн
500+29.47 грн
1000+28.16 грн
2000+26.11 грн
4000+24.21 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9956TRPBF 138764.pdf
IRF9956TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF9956TRPBF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 3.5 A, 3.5 A, 0.06 ohm
tariffCode: 85412900
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
productTraceability: No
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.06ohm
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.5A
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.5A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
hazardous: false
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Produktpalette: HEXFET Series
Bauform - Transistor: SOIC
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.06ohm
Dauer-Drainstrom Id: 3.5A
rohsPhthalatesCompliant: YES
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.06ohm
usEccn: EAR99
Transistormontage: Oberflächenmontage
Verlustleistung Pd: 2W
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9956TRPBF 138764.pdf
IRF9956TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF9956TRPBF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 3.5 A, 3.5 A, 0.06 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.06ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Produktpalette: HEXFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.06ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.