IRF9Z34NSTRLPBF Infineon Technologies
Виробник: Infineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 55V 19A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 25 V
на замовлення 4800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 800+ | 42.51 грн |
| 1600+ | 37.66 грн |
| 2400+ | 35.98 грн |
| 4000+ | 32.01 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRF9Z34NSTRLPBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRF9Z34NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 19 A, 0.1 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 55V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 19A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 68W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: No, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції IRF9Z34NSTRLPBF за ціною від 31.93 грн до 166.59 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRF9Z34NSTRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH Si 55V 19A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 10400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IRF9Z34NSTRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH Si 55V 19A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 10400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IRF9Z34NSTRLPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRF9Z34NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 19 A, 0.1 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 55V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 19A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 68W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 4619 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IRF9Z34NSTRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH Si 55V 19A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 269 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IRF9Z34NSTRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH Si 55V 19A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 1429 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IRF9Z34NSTRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFT PCh -55V 19A 100mOhm 23.3nC |
на замовлення 9602 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IRF9Z34NSTRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET P-CH 55V 19A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 68W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 25 V |
на замовлення 4882 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IRF9Z34NSTRLPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRF9Z34NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 19 A, 0.1 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 55V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 19A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 68W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 4619 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IRF9Z34NSTRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH Si 55V 19A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 1429 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IRF9Z34NSTRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH Si 55V 19A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
|
IRF9Z34NSTRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH Si 55V 19A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
товару немає в наявності |