Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IRF9Z34NSTRRPBF
IRF9Z34NSTRRPBF

IRF9Z34NSTRRPBF Infineon Technologies

infineon-irf9z34ns-datasheet-v01_01-en.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 55V 19A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 119000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
455+67.06 грн
Мінімальне замовлення: 455
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRF9Z34NSTRRPBF Infineon Technologies

Description: MOSFET P-CH 55V 19A D2PAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 10A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 68W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: D2PAK, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 25 V.

Інші пропозиції IRF9Z34NSTRRPBF за ціною від 35.02 грн до 103.85 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRF9Z34NSTRRPBF IRF9Z34NSTRRPBF Виробник : Infineon Technologies Infineon_IRF9Z34NS_DataSheet_v01_01_EN-3363292.pdf MOSFETs 1 P-CH -55V HEXFET 100mOhms 23.3nC
на замовлення 515 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+103.85 грн
10+84.18 грн
100+56.50 грн
500+47.89 грн
800+39.06 грн
2400+36.71 грн
4800+35.02 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34NSTRRPBF Виробник : ROCHESTER ELECTRONICS IRSDS10346-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IRF9Z34NSTRRPBF - IRF9Z34 20V-250V P-CHANNEL POWER MOSFET
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsCompliant: YES
productTraceability: No
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 124000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
514+47.21 грн
Мінімальне замовлення: 514
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34NSTRRPBF IRF9Z34NSTRRPBF Виробник : Infineon Technologies irf9z34nspbf.pdf Trans MOSFET P-CH Si 55V 19A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34NSTRRPBF IRF9Z34NSTRRPBF Виробник : Infineon Technologies irf9z34nspbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561228de1de0 Description: MOSFET P-CH 55V 19A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34NSTRRPBF IRF9Z34NSTRRPBF Виробник : Infineon Technologies irf9z34nspbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561228de1de0 Description: MOSFET P-CH 55V 19A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.