IRFAF52 International Rectifier
Виробник: International Rectifier
Description: N-CHANNEL HERMETIC MOS HEXFET
Power Dissipation (Max): 150W
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Packaging: Bulk
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-204AA (TO-3)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 43+ | 560.14 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRFAF52 International Rectifier
Description: N-CHANNEL HERMETIC MOS HEXFET, Power Dissipation (Max): 150W, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A, FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-204AA, TO-3, Packaging: Bulk, Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V, Part Status: Active, Supplier Device Package: TO-204AA (TO-3).
Інші пропозиції IRFAF52
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| IRFAF52 | Виробник : IR\MOT |
01+ TO-3 |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |