Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IRFB23N15DPBF
IRFB23N15DPBF

IRFB23N15DPBF Infineon Technologies

irfs23n15dpbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356361eff2140 Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 150V 23A TO220AB
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
на замовлення 31931 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
337+62.55 грн
Мінімальне замовлення: 337
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRFB23N15DPBF Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 150V 23A TO220AB, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 14A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 136W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220AB, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V.

Інші пропозиції IRFB23N15DPBF за ціною від 61.73 грн до 86.51 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRFB23N15DPBF IRFB23N15DPBF Виробник : ROCHESTER ELECTRONICS IRSDS10393-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IRFB23N15DPBF - IRFB23N15 12V-300V N-CHANNEL POWER MOSF
tariffCode: 85423990
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: TBC
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: TBC
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 29556 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
396+63.02 грн
Мінімальне замовлення: 396
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB23N15DPBF IRFB23N15DPBF Виробник : Infineon Technologies irfs23n15dpbf.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 23A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 28981 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
351+86.51 грн
500+77.85 грн
1000+71.80 грн
10000+61.73 грн
Мінімальне замовлення: 351
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB23N15DPBF IRFB23N15DPBF Виробник : Infineon Technologies irfs23n15dpbf.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 23A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
351+86.51 грн
500+77.85 грн
1000+71.80 грн
Мінімальне замовлення: 351
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB23N15DPBF Виробник : International Rectifier HiRel Products irfs23n15dpbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356361eff2140 Trans MOSFET N-CH 150V 23A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1371 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
351+86.51 грн
500+77.85 грн
1000+71.80 грн
Мінімальне замовлення: 351
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB23N15DPBF Виробник : International Rectifier HiRel Products irfs23n15dpbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356361eff2140 Trans MOSFET N-CH 150V 23A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
351+86.51 грн
Мінімальне замовлення: 351
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB23N15DPBF
Код товару: 161319
Додати до обраних Обраний товар

irfs23n15dpbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356361eff2140 Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB23N15DPBF IRFB23N15DPBF Виробник : Infineon Technologies irfb23n15dpbf.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 23A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB23N15DPBF IRFB23N15DPBF Виробник : Infineon Technologies irfs23n15dpbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356361eff2140 Description: MOSFET N-CH 150V 23A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB23N15DPBF IRFB23N15DPBF Виробник : Infineon Technologies Infineon-IRFS23N15D-DataSheet-v01_01-EN.pdf MOSFETs MOSFT 150V 23A 90mOhm 37nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB23N15DPBF IRFB23N15DPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E5921B68EF1A6F5005056AB5A8F&compId=irfs23n15d.pdf?ci_sign=790a0ecb84f9f1b08112c5a3d15c1af785983808 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 23A; 3.8W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 23A
Power dissipation: 3.8W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 90mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 37nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.