
IRFB23N15DPBF ROCHESTER ELECTRONICS

Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IRFB23N15DPBF - IRFB23N15 12V-300V N-CHANNEL POWER MOSF
tariffCode: 85423990
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: TBC
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: TBC
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 29556 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
396+ | 61.32 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRFB23N15DPBF ROCHESTER ELECTRONICS
Description: MOSFET N-CH 150V 23A TO220AB, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 14A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 136W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220AB, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IRFB23N15DPBF за ціною від 65.33 грн до 87.15 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IRFB23N15DPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 14A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 136W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V |
на замовлення 31931 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||
![]() |
IRFB23N15DPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||
IRFB23N15DPBF Код товару: 161319
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
товару немає в наявності
|
|||||||
![]() |
IRFB23N15DPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||
![]() |
IRFB23N15DPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 14A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 136W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |
|||||
![]() |
IRFB23N15DPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товару немає в наявності |