IRFB23N20DPBF Infineon
на замовлення 10 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 99.79 грн |
| 10+ | 87.52 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRFB23N20DPBF Infineon
Description: MOSFET N-CH 200V 24A TO220AB, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 14A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 170W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220AB, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1960 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IRFB23N20DPBF
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
IRFB23N20DPBF Код товару: 111171 |
 Транзистори > Польові N-канальні |
товар відсутній
|
||
 |
IRFB23N20DPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 200V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
товар відсутній |
|
 |
IRFB23N20DPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 200V 24A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 14A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 170W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1960 pF @ 25 V |
товар відсутній |
|
 |
IRFB23N20DPBF | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFET MOSFT 200V 24A 100mOhm 57nC |
товар відсутній |