IRFB260NPBF Infineon Technologies
на замовлення 2490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 75.48 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRFB260NPBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRFB260NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 56 A, 0.04 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 200V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 56A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 380W, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції IRFB260NPBF за ціною від 81.66 грн до 139.82 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRFB260NPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
 Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 56A; 380W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 56A Power dissipation: 380W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 40mΩ Mounting: THT Gate charge: 150nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
на замовлення 13 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IRFB260NPBF | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFT 200V 56A 40mOhm 150nC |
на замовлення 706 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IRFB260NPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRFB260NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 56 A, 0.04 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 56A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 380W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 123 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IRFB260NPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 56A; 380W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 56A Power dissipation: 380W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 40mΩ Mounting: THT Gate charge: 150nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 13 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IRFB260NPBF Код товару: 100231
Додати до обраних
Обраний товар
|
Транзистори > Польові N-канальні |
товару немає в наявності
|
||||||||||||||
 |
IRFB260NPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 200V 56A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
|
|
IRFB260NPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 200V 56A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
 |
IRFB260NPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 200V 56A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 34A, 10V Power Dissipation (Max): 380W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 220 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4220 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |