
IRFB260NPBF Infineon Technologies
на замовлення 2490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
5+ | 69.87 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRFB260NPBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRFB260NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 56 A, 0.04 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 200V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 56A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 380W, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції IRFB260NPBF за ціною від 82.98 грн до 237.93 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IRFB260NPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 966 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRFB260NPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 377 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRFB260NPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 1741 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRFB260NPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 767 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRFB260NPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 3050 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRFB260NPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 56A; 380W; TO220AB Case: TO220AB Drain-source voltage: 200V Drain current: 56A On-state resistance: 40mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 380W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Gate charge: 150nC Technology: HEXFET® Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Mounting: THT |
на замовлення 91 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRFB260NPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 3525 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRFB260NPBF Код товару: 100231
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
товару немає в наявності
|
||||||||||||||||||
![]() |
IRFB260NPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 3522 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRFB260NPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 2274 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRFB260NPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 56A; 380W; TO220AB Case: TO220AB Drain-source voltage: 200V Drain current: 56A On-state resistance: 40mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 380W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Gate charge: 150nC Technology: HEXFET® Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Mounting: THT кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 91 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRFB260NPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 34A, 10V Power Dissipation (Max): 380W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 220 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4220 pF @ 25 V |
на замовлення 1752 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRFB260NPBF | Виробник : INFINEON |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 56A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 380W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 1086 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRFB260NPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 3 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
![]() |
IRFB260NPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 40 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
![]() |
IRFB260NPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 40 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
IRFB260NPBF | Виробник : Infineon |
![]() |
на замовлення 65 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|