IRFB260NPBF


infineon-irfb260n-datasheet-en.pdf
Код товару: 100231
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності

В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції IRFB260NPBF за ціною від 72.44 грн до 302.75 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRFB260NPBF IRFB260NPBF Infineon Technologies Infineon_IRFB260N_DataSheet_v01_01_EN.pdf MOSFETs MOSFT 200V 56A 40mOhm 150nC
на замовлення 706 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+113.22 грн
10+109.99 грн
500+88.61 грн
1000+75.95 грн
2000+72.44 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB260NPBF IRFB260NPBF INFINEON INFN-S-A0012837889-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFB260NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 56 A, 0.04 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 56A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 380W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
на замовлення 569 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+302.75 грн
10+197.73 грн
100+155.89 грн
500+114.28 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB260NPBF Infineon_IRFB260N_DataSheet_v01_01_EN.pdf
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 200V 56A 40mOhm 150nC
на замовлення 706 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
3+113.22 грн
10+109.99 грн
500+88.61 грн
1000+75.95 грн
2000+72.44 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB260NPBF INFN-S-A0012837889-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFB260NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 56 A, 0.04 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 56A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 380W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
на замовлення 569 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3+302.75 грн
10+197.73 грн
100+155.89 грн
500+114.28 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.