Технічний опис IRFB260NPBFAKMA1 Infineon Technologies
Description: PLANAR 40.
Інші пропозиції IRFB260NPBFAKMA1
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| IRFB260NPBFAKMA1 | Виробник : Infineon Technologies | IRFB260NPBFAKMA1 |
товару немає в наявності |
||
 |
IRFB260NPBFAKMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: PLANAR 40<-<100V Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 34A, 10V Power Dissipation (Max): 380W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 220 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4220 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |
|
| IRFB260NPBFAKMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
 MOSFETs PLANAR 40<-<100V |
товару немає в наявності |