IRFB260NPBFAKMA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon Technologies
Description: PLANAR 40<-<100V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 34A, 10V
Power Dissipation (Max): 380W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 220 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4220 pF @ 25 V
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 232.50 грн |
| 10+ | 145.03 грн |
| 50+ | 111.00 грн |
| 100+ | 93.87 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
2 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRFB260NPBFAKMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRFB260NPBFAKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 56 A, 0.04 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 200V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 56A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: TBA, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, Verlustleistung: 380W, SVHC: No SVHC (04-Feb-2026), Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: HEXFET Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm.
Інші пропозиції IRFB260NPBFAKMA1 за ціною від 100.21 грн до 292.47 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IRFB260NPBFAKMA1 | Infineon Technologies |
HEXFET Power MOSFET |
на замовлення 39300 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||
| IRFB260NPBFAKMA1 | Infineon Technologies |
HEXFET Power MOSFET |
на замовлення 93000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||
| IRFB260NPBFAKMA1 | Infineon Technologies |
HEXFET Power MOSFET |
на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||
| IRFB260NPBFAKMA1 | Infineon Technologies |
HEXFET Power MOSFET |
на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||
| IRFB260NPBFAKMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IRFB260NPBFAKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 56 A, 0.04 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 56A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 380W SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm |
на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| IRFB260NPBFAKMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
HEXFET Power MOSFET
HEXFET Power MOSFET
на замовлення 39300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 253+ | 145.25 грн |
| 500+ | 130.61 грн |
| 1000+ | 120.56 грн |
| 10000+ | 103.65 грн |
| IRFB260NPBFAKMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
HEXFET Power MOSFET
HEXFET Power MOSFET
на замовлення 93000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 253+ | 145.25 грн |
| 500+ | 130.61 грн |
| 1000+ | 120.56 грн |
| 10000+ | 103.65 грн |
| IRFB260NPBFAKMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
HEXFET Power MOSFET
HEXFET Power MOSFET
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 52+ | 283.07 грн |
| 76+ | 195.05 грн |
| 96+ | 152.71 грн |
| 107+ | 132.83 грн |
| 500+ | 100.21 грн |
| IRFB260NPBFAKMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
HEXFET Power MOSFET
HEXFET Power MOSFET
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 292.47 грн |
| 10+ | 201.52 грн |
| 50+ | 157.77 грн |
| 100+ | 137.24 грн |
| 500+ | 103.54 грн |
| IRFB260NPBFAKMA1 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFB260NPBFAKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 56 A, 0.04 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 56A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 380W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
Description: INFINEON - IRFB260NPBFAKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 56 A, 0.04 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 56A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 380W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)