
IRFB3004PBF Infineon Technologies
на замовлення 900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 116.73 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRFB3004PBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRFB3004PBF - Leistungs-MOSFET, HEXFET, n-Kanal, 40 V, 195 A, 0.00175 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 195A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 380W, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00175ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції IRFB3004PBF за ціною від 98.75 грн до 372.20 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IRFB3004PBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 2900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
IRFB3004PBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 690 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
IRFB3004PBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 2256 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
IRFB3004PBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 2 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
IRFB3004PBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
IRFB3004PBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
IRFB3004PBF | Виробник : INFINEON |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 195A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 380W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00175ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 565 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
IRFB3004PBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 690 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||
![]() |
IRFB3004PBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||
IRFB3004PBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
товару немає в наявності |
||||||||||||
![]() |
IRFB3004PBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.75mOhm @ 195A, 10V Power Dissipation (Max): 380W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9200 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |