IRFB3006GPBF Infineon Technologies
на замовлення 925 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 134+ | 91.06 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRFB3006GPBF Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 195A TO220AB, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 170A, 10V, Power Dissipation (Max): 375W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220AB, Part Status: Not For New Designs, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 300 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8970 pF @ 50 V.
Інші пропозиції IRFB3006GPBF за ціною від 94.39 грн до 277.00 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRFB3006GPBF | Виробник : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 960 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
IRFB3006GPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 925 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
IRFB3006GPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 36000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
IRFB3006GPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 846 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
IRFB3006GPBF | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFT 60V 270A 2.5mOhm 200nCAB |
на замовлення 604 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
| IRFB3006GPBF | Виробник : ROCHESTER ELECTRONICS |
Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IRFB3006GPBF - IRFB3006 12V-300V N-CHANNEL POWER MOSFET tariffCode: 85412900 euEccn: NLR hazardous: false rohsCompliant: YES productTraceability: No rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 50 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||
 |
IRFB3006GPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 270A; 375W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 270A Power dissipation: 375W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2.5Ω Mounting: THT Gate charge: 200nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1000 шт |
товару немає в наявності |
|||||||||||
 |
IRFB3006GPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 60V 195A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 170A, 10V Power Dissipation (Max): 375W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 300 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8970 pF @ 50 V |
товару немає в наявності |
|||||||||||
|
|
IRFB3006GPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 270A; 375W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 270A Power dissipation: 375W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2.5Ω Mounting: THT Gate charge: 200nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |