IRFB3006PBF Infineon Technologies
на замовлення 1140 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 85.83 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRFB3006PBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRFB3006PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 270 A, 0.0021 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 270A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 375W, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 20V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0021ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції IRFB3006PBF за ціною від 87.31 грн до 332.75 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRFB3006PBF | Виробник : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 131 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IRFB3006PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 999 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IRFB3006PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 3758 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IRFB3006PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 999 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IRFB3006PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 60V 195A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 170A, 10V Power Dissipation (Max): 375W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 300 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8970 pF @ 50 V |
на замовлення 911 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IRFB3006PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 990 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IRFB3006PBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRFB3006PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 270 A, 0.0021 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 270A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 375W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 20V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0021ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 574 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IRFB3006PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 990 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IRFB3006PBF | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFT 60V 270A 2.5mOhm 200nC Qg |
на замовлення 1078 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IRFB3006PBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 270A; 375W; TO220AB Mounting: THT Kind of package: tube Case: TO220AB Drain-source voltage: 60V Drain current: 270A On-state resistance: 2.5mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 375W Polarisation: unipolar Gate charge: 200nC Technology: HEXFET® Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V |
на замовлення 8 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IRFB3006PBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 270A; 375W; TO220AB Mounting: THT Kind of package: tube Case: TO220AB Drain-source voltage: 60V Drain current: 270A On-state resistance: 2.5mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 375W Polarisation: unipolar Gate charge: 200nC Technology: HEXFET® Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 8 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IRFB3006PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 131 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |