Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IRFB3006PBF
IRFB3006PBF

IRFB3006PBF Infineon Technologies

infineonirfb3006datasheetv0101en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 131 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
131+151.90 грн
Мінімальне замовлення: 131 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRFB3006PBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRFB3006PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 270 A, 2500 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 270A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, Verlustleistung: 375W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 20V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2500µohm.

Інші пропозиції IRFB3006PBF за ціною від 88.63 грн до 349.75 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
IRFB3006PBF IRFB3006PBF Infineon Technologies infineonirfb3006datasheetv0101en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 102758 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
213+166.19 грн
500+156.76 грн
1000+148.51 грн
10000+134.11 грн
Мінімальне замовлення: 213 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3006PBF IRFB3006PBF INFINEON TECHNOLOGIES irfb3006pbf.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 270A; 375W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 270A
Power dissipation: 375W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 200nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 97 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+182.41 грн
10+165.44 грн
20+164.59 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3006PBF IRFB3006PBF Infineon Technologies irfb3006pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561247681de9 description Description: MOSFET N-CH 60V 195A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 170A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 300 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8970 pF @ 50 V
на замовлення 2168 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+296.56 грн
10+187.76 грн
100+132.16 грн
500+101.78 грн
1000+94.63 грн
2000+88.63 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3006PBF IRFB3006PBF INFINEON INFN-S-A0012838047-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: INFINEON - IRFB3006PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 270 A, 2500 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 270A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 375W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2500µohm
на замовлення 233 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+307.54 грн
10+202.28 грн
100+142.26 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3006PBF IRFB3006PBF Infineon Technologies infineonirfb3006datasheetv0101en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2088 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
41+348.10 грн
46+312.72 грн
100+213.94 грн
500+164.90 грн
1000+147.10 грн
2000+134.74 грн
Мінімальне замовлення: 41 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3006PBF IRFB3006PBF Infineon Technologies infineonirfb3006datasheetv0101en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2090 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+349.75 грн
10+314.21 грн
100+214.96 грн
500+165.69 грн
1000+147.80 грн
2000+135.37 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3006PBF IRFB3006PBF Infineon Technologies infineonirfb3006datasheetv0101en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 131 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 131 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3006PBF description infineonirfb3006datasheetv0101en.pdf
IRFB3006PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 102758 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
213+166.19 грн
500+156.76 грн
1000+148.51 грн
10000+134.11 грн
Мінімальне замовлення: 213 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3006PBF description irfb3006pbf.pdf
IRFB3006PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 270A; 375W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 270A
Power dissipation: 375W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 200nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 97 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна
3+182.41 грн
10+165.44 грн
20+164.59 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3006PBF description irfb3006pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561247681de9
IRFB3006PBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 195A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 170A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 300 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8970 pF @ 50 V
на замовлення 2168 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+296.56 грн
10+187.76 грн
100+132.16 грн
500+101.78 грн
1000+94.63 грн
2000+88.63 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3006PBF description INFN-S-A0012838047-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFB3006PBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFB3006PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 270 A, 2500 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 270A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 375W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2500µohm
на замовлення 233 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3+307.54 грн
10+202.28 грн
100+142.26 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3006PBF description infineonirfb3006datasheetv0101en.pdf
IRFB3006PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2088 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
41+348.10 грн
46+312.72 грн
100+213.94 грн
500+164.90 грн
1000+147.10 грн
2000+134.74 грн
Мінімальне замовлення: 41 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3006PBF description infineonirfb3006datasheetv0101en.pdf
IRFB3006PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2090 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3+349.75 грн
10+314.21 грн
100+214.96 грн
500+165.69 грн
1000+147.80 грн
2000+135.37 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3006PBF description infineonirfb3006datasheetv0101en.pdf
IRFB3006PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 131 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 131 шт
В кошику  од. на суму  грн.