Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > IRFB3077PBF
IRFB3077PBF

IRFB3077PBF

irfb3077pbf-datasheet.pdf
Код товару: 104275
Виробник: IR
Корпус: TO-220AB
Uds,V: 75 V
Idd,A: 120 A
Rds(on), Ohm: 3,3 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 9400/160
Монтаж: THT
у наявності 48 шт:
4 шт - склад
25 шт - РАДІОМАГ-Київ
8 шт - РАДІОМАГ-Львів
1 шт - РАДІОМАГ-Харків
10 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість Ціна
1+85.00 грн
10+78.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRFB3077PBF IR

  • MOSFET, N, 75V, TO-220
  • Transistor Type:MOSFET
  • Transistor Polarity:N
  • Typ Voltage Vds:75V
  • Cont Current Id:210A
  • On State Resistance:3.3ohm
  • Voltage Vgs Rds on Measurement:10V
  • Typ Voltage Vgs th:4V
  • Case Style:TO-220AB
  • Termination Type:Through Hole
  • Avalanche Single Pulse Energy Eas:240mJ
  • Cont Current Id @ 100`C:150A
  • Cont Current Id @ 25`C:210A
  • Max Voltage Vds:75V
  • Power Dissipation Pd:370W
  • Pulse Current Idm:850A
  • Rds Measurement Voltage:10V
  • Typ Capacitance Ciss:9400pF
  • Voltage Vds:75V
  • Rth:0.4
  • Transistor Case Style:TO-220AB

Інші пропозиції IRFB3077PBF за ціною від 83.20 грн до 333.54 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRFB3077PBF IRFB3077PBF Виробник : Infineon Technologies irfb3077pbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 75V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 10243 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+83.20 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3077PBF IRFB3077PBF Виробник : Infineon Technologies infineonirfb3077datasheeten.pdf Trans MOSFET N-CH Si 75V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 183 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
95+130.55 грн
Мінімальне замовлення: 95
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3077PBF IRFB3077PBF Виробник : Infineon Technologies infineonirfb3077datasheeten.pdf Trans MOSFET N-CH Si 75V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 31000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
187+166.06 грн
500+156.78 грн
1000+148.53 грн
10000+134.27 грн
Мінімальне замовлення: 187
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3077PBF IRFB3077PBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES irfb3077pbf.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 210A; 370W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 210A
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 3.3mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 160nC
Technology: HEXFET®
Power dissipation: 370W
на замовлення 293 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+177.69 грн
10+99.80 грн
50+96.58 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3077PBF IRFB3077PBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES irfb3077pbf.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 210A; 370W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 210A
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 3.3mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 160nC
Technology: HEXFET®
Power dissipation: 370W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 293 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+213.22 грн
10+124.37 грн
50+115.90 грн
500+109.14 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3077PBF IRFB3077PBF Виробник : Infineon Technologies irfb3077pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356153f0d1def MOSFETs MOSFT 75V 210A 3.3mOhm 160nC Qg
на замовлення 1499 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+235.27 грн
10+215.03 грн
100+159.17 грн
500+147.58 грн
1000+141.40 грн
2000+140.62 грн
5000+137.53 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3077PBF IRFB3077PBF Виробник : INFINEON INFN-S-A0012837757-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFB3077PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 210 A, 3300 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 210A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 370W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3300µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 195 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+249.63 грн
10+230.56 грн
100+199.36 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3077PBF IRFB3077PBF Виробник : Infineon Technologies infineonirfb3077datasheeten.pdf Trans MOSFET N-CH Si 75V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 31888 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
40+310.10 грн
59+209.80 грн
100+157.15 грн
Мінімальне замовлення: 40
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3077PBF IRFB3077PBF Виробник : Infineon Technologies irfb3077pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356153f0d1def Description: MOSFET N-CH 75V 120A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 370W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 220 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9400 pF @ 50 V
на замовлення 447 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+316.77 грн
10+201.78 грн
100+142.93 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3077PBF IRFB3077PBF Виробник : Infineon Technologies infineonirfb3077datasheeten.pdf Trans MOSFET N-CH Si 75V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 31891 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+333.54 грн
10+225.66 грн
100+169.03 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3077PBF Виробник : International Rectifier Corporation irfb3077pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356153f0d1def TO-200AB
на замовлення 100 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3077PBF IRFB3077PBF Виробник : Infineon Technologies infineonirfb3077datasheeten.pdf Trans MOSFET N-CH Si 75V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3077PBF IRFB3077PBF Виробник : Infineon Technologies irfb3077pbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 75V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3077PBF IRFB3077PBF Виробник : Infineon Technologies infineonirfb3077datasheeten.pdf Trans MOSFET N-CH Si 75V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.

З цим товаром купують

HCPL-3120-300E
Код товару: 122265
Додати до обраних Обраний товар

oohcpl3120smd.pdf
HCPL-3120-300E
Виробник: Avago
Мікросхеми > Оптрони (оптопари)
Корпус: SO-8
Тип: Драйвер затвора транзистора
Uізол,kV: 3,7 kV
Ton/Toff,µs: 0,5/0,5 µs
Роб.темп.,°С: -40…+100°C
у наявності: 125 шт
82 шт - склад
35 шт - РАДІОМАГ-Київ
2 шт - РАДІОМАГ-Львів
6 шт - РАДІОМАГ-Харків
Кількість Ціна
1+76.00 грн
10+69.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3307ZPBF
Код товару: 37782
Додати до обраних Обраний товар

irfs3307zpbf-datasheet.pdf
IRFB3307ZPBF
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220AB
Uds,V: 75 V
Idd,A: 120 A
Rds(on), Ohm: 5,8 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 4750/79
Монтаж: THT
у наявності: 11 шт
5 шт - РАДІОМАГ-Київ
6 шт - РАДІОМАГ-Львів
Кількість Ціна
1+58.00 грн
10+53.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Свердло з титановим покриттям 1,2 мм
Код товару: 126414
Додати до обраних Обраний товар

Свердло з титановим покриттям 1,2 мм
Інструмент > Дрилі, свердла
Тип: Свердла
Опис: Свердло з титановим покриттям 1,2 мм
Діаметр свердла: 1,2 мм
у наявності: 100 шт
100 шт - склад
Кількість Ціна
3+18.00 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
1 kOhm 5% 0,125W 150V 0805 (RC0805JR-1KR-Hitano) (резистор SMD)
Код товару: 1768
Додати до обраних Обраний товар

RC_series.pdf
1 kOhm 5% 0,125W 150V 0805 (RC0805JR-1KR-Hitano) (резистор SMD)
Виробник: Hitano
SMD резистори > 0805
Номінал: 1 kOhm
Точність: ±5% J
Pном,W: 0,125 W
Uроб,V: 150 V
Типорозмір: 0805
у наявності: 7 шт
7 шт - РАДІОМАГ-Київ
очікується: 100000 шт
100000 шт - очікується 24.02.2026
Кількість Ціна
400+0.12 грн
1000+0.09 грн
10000+0.07 грн
Мінімальне замовлення: 400
В кошику  од. на суму  грн.
1N5408
Код товару: 2135
Додати до обраних Обраний товар

1N5400-1N5408.pdf
1N5408
Виробник: YJ/MIC
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди випрямні й імпульсні
Корпус: DO-201
Uзвор., V: 1000 V
Iвипр., A: 3 A
Опис: Випрямний VR=1000 B, IF =3A, IFSM =200A
Може замінити: 1N5400, 1N5401, 1N5402, 1N5403, 1N5404, 1N5405, 1N5406, 1N5407
Монтаж: THT
Падіння напруги Vf: 1,2 V
у наявності: 5646 шт
5012 шт - склад
24 шт - РАДІОМАГ-Київ
9 шт - РАДІОМАГ-Львів
29 шт - РАДІОМАГ-Харків
572 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
очікується: 8000 шт
8000 шт - очікується 25.01.2026
Кількість Ціна
14+3.00 грн
20+2.10 грн
100+1.90 грн
1000+1.80 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.