Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > IRFB3077PBF
IRFB3077PBF

IRFB3077PBF

irfb3077pbf-datasheet.pdf
Код товару: 104275
Виробник: IR
Корпус: TO-220AB
Uds,V: 75 V
Idd,A: 120 A
Rds(on), Ohm: 3,3 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 9400/160
Монтаж: THT
у наявності 1 шт:
1 шт - РАДІОМАГ-Харків
очікується 102 шт:
100 шт - очікується 06.03.2026
2 шт - очікується
Кількість Ціна
1+85.00 грн
10+78.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRFB3077PBF IR

  • MOSFET, N, 75V, TO-220
  • Transistor Type:MOSFET
  • Transistor Polarity:N
  • Typ Voltage Vds:75V
  • Cont Current Id:210A
  • On State Resistance:3.3ohm
  • Voltage Vgs Rds on Measurement:10V
  • Typ Voltage Vgs th:4V
  • Case Style:TO-220AB
  • Termination Type:Through Hole
  • Avalanche Single Pulse Energy Eas:240mJ
  • Cont Current Id @ 100`C:150A
  • Cont Current Id @ 25`C:210A
  • Max Voltage Vds:75V
  • Power Dissipation Pd:370W
  • Pulse Current Idm:850A
  • Rds Measurement Voltage:10V
  • Typ Capacitance Ciss:9400pF
  • Voltage Vds:75V
  • Rth:0.4
  • Transistor Case Style:TO-220AB

Інші пропозиції IRFB3077PBF за ціною від 85.18 грн до 375.20 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRFB3077PBF IRFB3077PBF Виробник : Infineon Technologies irfb3077pbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 75V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 10243 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+85.18 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3077PBF IRFB3077PBF Виробник : Infineon Technologies infineonirfb3077datasheeten.pdf Trans MOSFET N-CH Si 75V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 956 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
187+170.01 грн
500+160.50 грн
Мінімальне замовлення: 187
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3077PBF IRFB3077PBF Виробник : Infineon Technologies infineonirfb3077datasheeten.pdf Trans MOSFET N-CH Si 75V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 31000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
187+170.01 грн
500+160.50 грн
1000+152.06 грн
10000+137.46 грн
Мінімальне замовлення: 187
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3077PBF IRFB3077PBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES irfb3077pbf.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 210A; 370W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 210A
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 3.3mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 160nC
Technology: HEXFET®
Power dissipation: 370W
на замовлення 185 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+179.25 грн
10+135.96 грн
50+117.83 грн
100+110.41 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3077PBF IRFB3077PBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES irfb3077pbf.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 210A; 370W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 210A
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 3.3mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 160nC
Technology: HEXFET®
Power dissipation: 370W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 185 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
2+215.09 грн
10+169.42 грн
50+141.39 грн
100+132.49 грн
250+125.57 грн
500+119.64 грн
750+117.66 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3077PBF IRFB3077PBF Виробник : Infineon Technologies irfb3077pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356153f0d1def MOSFETs MOSFT 75V 210A 3.3mOhm 160nC Qg
на замовлення 1322 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+276.85 грн
10+223.78 грн
100+140.01 грн
1000+139.22 грн
2000+134.47 грн
5000+132.89 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3077PBF IRFB3077PBF Виробник : INFINEON INFN-S-A0012837757-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFB3077PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 210 A, 3300 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 210A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 370W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3300µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 947 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+295.49 грн
10+242.25 грн
100+174.81 грн
500+161.50 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3077PBF IRFB3077PBF Виробник : Infineon Technologies irfb3077pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356153f0d1def Description: MOSFET N-CH 75V 120A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 370W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 220 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9400 pF @ 50 V
на замовлення 432 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+317.45 грн
10+201.87 грн
100+143.01 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3077PBF IRFB3077PBF Виробник : Infineon Technologies infineonirfb3077datasheeten.pdf Trans MOSFET N-CH Si 75V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 12987 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
36+353.92 грн
53+243.22 грн
100+174.18 грн
500+139.10 грн
1000+121.96 грн
Мінімальне замовлення: 36
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3077PBF IRFB3077PBF Виробник : Infineon Technologies infineonirfb3077datasheeten.pdf Trans MOSFET N-CH Si 75V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 183 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
35+370.00 грн
52+244.14 грн
Мінімальне замовлення: 35
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3077PBF IRFB3077PBF Виробник : Infineon Technologies infineonirfb3077datasheeten.pdf Trans MOSFET N-CH Si 75V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 12987 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+375.20 грн
10+257.83 грн
100+184.62 грн
500+147.44 грн
1000+129.28 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3077PBF Виробник : International Rectifier Corporation irfb3077pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356153f0d1def TO-200AB
на замовлення 100 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3077PBF IRFB3077PBF Виробник : Infineon Technologies infineonirfb3077datasheeten.pdf Trans MOSFET N-CH Si 75V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3077PBF IRFB3077PBF Виробник : Infineon Technologies irfb3077pbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 75V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3077PBF IRFB3077PBF Виробник : Infineon Technologies infineonirfb3077datasheeten.pdf Trans MOSFET N-CH Si 75V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.

З цим товаром купують

HCPL-3120-300E
Код товару: 122265
Додати до обраних Обраний товар

oohcpl3120smd.pdf
HCPL-3120-300E
Виробник: Avago
Мікросхеми > Оптрони (оптопари)
Корпус: SO-8
Тип: Драйвер затвора транзистора
Uізол,kV: 3,7 kV
Ton/Toff,µs: 0,5/0,5 µs
Роб.темп.,°С: -40…+100°C
у наявності: 312 шт
289 шт - склад
22 шт - РАДІОМАГ-Київ
1 шт - РАДІОМАГ-Харків
очікується: 10 шт
10 шт - очікується
Кількість Ціна
1+76.00 грн
10+69.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3307ZPBF
Код товару: 37782
Додати до обраних Обраний товар

irfs3307zpbf-datasheet.pdf
IRFB3307ZPBF
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220AB
Uds,V: 75 V
Idd,A: 120 A
Rds(on), Ohm: 5,8 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 4750/79
Монтаж: THT
у наявності: 81 шт
15 шт - склад
46 шт - РАДІОМАГ-Київ
20 шт - РАДІОМАГ-Львів
Кількість Ціна
1+58.00 грн
10+53.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Свердло з титановим покриттям 1,2 мм
Код товару: 126414
Додати до обраних Обраний товар

Свердло з титановим покриттям 1,2 мм
Інструмент > Дрилі, свердла
Тип: Свердла
Опис: Свердло з титановим покриттям 1,2 мм
Діаметр свердла: 1,2 мм
у наявності: 96 шт
96 шт - склад
Кількість Ціна
3+18.00 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
1 kOhm 5% 0,125W 150V 0805 (RC0805JR-1KR-Hitano) (резистор SMD)
Код товару: 1768
Додати до обраних Обраний товар

RC_series.pdf
1 kOhm 5% 0,125W 150V 0805 (RC0805JR-1KR-Hitano) (резистор SMD)
Виробник: Hitano
SMD резистори > 0805
Номінал: 1 kOhm
Точність: ±5% J
Pном,W: 0,125 W
Uроб,V: 150 V
Типорозмір: 0805
у наявності: 7 шт
7 шт - РАДІОМАГ-Київ
очікується: 100000 шт
100000 шт - очікується 12.03.2026
Кількість Ціна
500+0.12 грн
1000+0.09 грн
10000+0.07 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
1N5408
Код товару: 2135
Додати до обраних Обраний товар

1N5400-1N5408.pdf
1N5408
Виробник: YJ/MIC
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди випрямні й імпульсні
Корпус: DO-201
Uзвор., V: 1000 V
Iвипр., A: 3 A
Опис: Випрямний VR=1000 B, IF =3A, IFSM =200A
Може замінити: 1N5400, 1N5401, 1N5402, 1N5403, 1N5404, 1N5405, 1N5406, 1N5407
Монтаж: THT
Падіння напруги Vf: 1,2 V
у наявності: 10077 шт
9677 шт - склад
400 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
очікується: 300 шт
300 шт - очікується
Кількість Ціна
17+3.00 грн
24+2.10 грн
100+1.90 грн
1000+1.80 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.