Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > IRFB3077PBF
IRFB3077PBF

IRFB3077PBF

irfb3077pbf-datasheet.pdf
Код товару: 104275
1 Додати до обраних Обраний товар

Виробник: IR
Корпус: TO-220AB
Напруга сток-витік Uds, В: 75 В
Струм стоку Idd, А: 120 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 3,3 мОм
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 9400/160
Монтаж: THT
УКТЗЕД: 8541290010
у наявності: 41 шт
  • 16 шт - склад
  • 20 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 3 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 2 шт - РАДІОМАГ-Харків
КількістьЦіна без ПДВ
1+85.00 грн
10+78.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRFB3077PBF IR

  • MOSFET, N, 75V, TO-220
  • Transistor Type:MOSFET
  • Transistor Polarity:N
  • Typ Voltage Vds:75V
  • Cont Current Id:210A
  • On State Resistance:3.3ohm
  • Voltage Vgs Rds on Measurement:10V
  • Typ Voltage Vgs th:4V
  • Case Style:TO-220AB
  • Termination Type:Through Hole
  • Avalanche Single Pulse Energy Eas:240mJ
  • Cont Current Id @ 100`C:150A
  • Cont Current Id @ 25`C:210A
  • Max Voltage Vds:75V
  • Power Dissipation Pd:370W
  • Pulse Current Idm:850A
  • Rds Measurement Voltage:10V
  • Typ Capacitance Ciss:9400pF
  • Voltage Vds:75V
  • Rth:0.4
  • Transistor Case Style:TO-220AB

Інші пропозиції IRFB3077PBF за ціною від 117.90 грн до 451.58 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IRFB3077PBF IRFB3077PBF Infineon Technologies infineonirfb3077datasheeten.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 75V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 28700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
183+193.29 грн
500+183.87 грн
1000+173.26 грн
10000+156.84 грн
Мінімальне замовлення: 183 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3077PBF IRFB3077PBF Infineon Technologies infineonirfb3077datasheeten.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 75V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 856 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
183+193.29 грн
500+183.87 грн
Мінімальне замовлення: 183 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3077PBF IRFB3077PBF Infineon Technologies infineon-irfb3077-datasheet-en.pdf description Description: MOSFET N-CH 75V 120A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 370W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 220 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9400 pF @ 50 V
на замовлення 2092 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+337.04 грн
10+214.81 грн
50+167.55 грн
100+142.94 грн
500+117.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3077PBF IRFB3077PBF Infineon Technologies infineonirfb3077datasheeten.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 75V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 178 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+435.17 грн
10+245.70 грн
100+221.66 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3077PBF IRFB3077PBF Infineon Technologies infineonirfb3077datasheeten.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 75V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 178 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
33+435.17 грн
58+245.70 грн
100+221.66 грн
Мінімальне замовлення: 33 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3077PBF IRFB3077PBF INFINEON TECHNOLOGIES irfb3077pbf.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 210A; 370W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 210A
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 3.3mΩ
Power dissipation: 370W
Gate charge: 160nC
Technology: HEXFET®
Gate-source voltage: ±20V
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+451.58 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3077PBF IRFB3077PBF Infineon Technologies infineon-irfb3077-datasheet-en.pdf description MOSFETs MOSFT 75V 210A 3.3mOhm 160nC Qg
на замовлення 866 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3077PBF IRFB3077PBF INFINEON INFN-S-A0012837757-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: INFINEON - IRFB3077PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 210 A, 3300 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 210A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 370W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3300µohm
на замовлення 1424 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3077PBF description infineonirfb3077datasheeten.pdf
IRFB3077PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 28700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
183+193.29 грн
500+183.87 грн
1000+173.26 грн
10000+156.84 грн
Мінімальне замовлення: 183 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3077PBF description infineonirfb3077datasheeten.pdf
IRFB3077PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 856 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
183+193.29 грн
500+183.87 грн
Мінімальне замовлення: 183 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3077PBF description infineon-irfb3077-datasheet-en.pdf
IRFB3077PBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 75V 120A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 370W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 220 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9400 pF @ 50 V
на замовлення 2092 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+337.04 грн
10+214.81 грн
50+167.55 грн
100+142.94 грн
500+117.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3077PBF description infineonirfb3077datasheeten.pdf
IRFB3077PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 178 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+435.17 грн
10+245.70 грн
100+221.66 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3077PBF description infineonirfb3077datasheeten.pdf
IRFB3077PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 178 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
33+435.17 грн
58+245.70 грн
100+221.66 грн
Мінімальне замовлення: 33 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3077PBF description irfb3077pbf.pdf
IRFB3077PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 210A; 370W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 210A
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 3.3mΩ
Power dissipation: 370W
Gate charge: 160nC
Technology: HEXFET®
Gate-source voltage: ±20V
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+451.58 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3077PBF description infineon-irfb3077-datasheet-en.pdf
IRFB3077PBF
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 75V 210A 3.3mOhm 160nC Qg
на замовлення 866 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3077PBF description INFN-S-A0012837757-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFB3077PBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFB3077PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 210 A, 3300 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 210A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 370W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3300µohm
на замовлення 1424 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.

З цим товаром купують

IRFB4115PBF
Код товару: 37473
Додати до обраних Обраний товар
irfb4115pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535615ba6a1e0f
IRFB4115PBF
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Напруга сток-витік Uds, В: 150 В
Струм стоку Idd, А: 104 А
Монтаж: THT
у наявності: 54 шт
  • 31 шт - склад
  • 15 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 8 шт - РАДІОМАГ-Львів
КількістьЦіна без ПДВ
1+93.50 грн
10+84.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4110PBF
Код товару: 42666
4 Додати до обраних Обраний товар
irfb4110pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535615a9571e0b
IRFB4110PBF
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Напруга сток-витік Uds, В: 100 В
Струм стоку Idd, А: 180 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 4,5 мОм
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 9620/150
Монтаж: THT
товару немає в наявності
очікується: 800 шт
  • 800 шт - очікується 27.08.2026
КількістьЦіна без ПДВ
1+138.00 грн
10+123.20 грн
100+108.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Прокладка силіконова TO-220 13x18x0,3mm (Sili.TO220 13 * 18mm (0 .3mm))
Код товару: 123772
4 Додати до обраних Обраний товар
Прокладка силіконова TO-220 13x18x0,3mm (Sili.TO220 13 * 18mm (0 .3mm))
Ізоляційні матеріали
Група: Прокладка теплопровідна
Опис: Розміри: 13x18x0.3mm з отвором Ø3mm, -60 + 180 ° C, 1, 22W
Розмір: 13х18х0,3мм
Матеріал: Силікон
Колір: Білий
у наявності: 15952 шт
  • 12952 шт - склад
  • 1000 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 1000 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 1000 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
очікується: 1000 шт
  • 1000 шт - очікується
на замовлення: 7 шт
  • 7 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
14+1.50 грн
20+1.00 грн
100+0.80 грн
1000+0.50 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP14NK50ZFP
Код товару: 2275
2 Додати до обраних Обраний товар
description STP14NK50ZFP.pdf
STP14NK50ZFP
Виробник: ST
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220FP
Напруга сток-витік Uds, В: 500 В
Струм стоку Idd, А: 14 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,38 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 2000/69
Примітка: Ізольований корпус
Монтаж: THT
УКТЗЕД: 8541290010
у наявності: 93 шт
  • 59 шт - склад
  • 34 шт - РАДІОМАГ-Київ
на замовлення: 5 шт
  • 5 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+75.00 грн
10+68.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
VCR-07D681KAB (S07K420,TVR07681,GNR-07D-681K) (варистор)
Код товару: 2236
1 Додати до обраних Обраний товар
VCR-07D_081201.pdf
VCR-07D681KAB (S07K420,TVR07681,GNR-07D-681K) (варистор)
Виробник: Hitano
Пасивні компоненти > Варистори
Uроб AC/DC, В: 420/560 В
Uвар, В: 680(612...748) В
Макс. напруга і струм спрацьовування, В@A: 1120@10 B@A
Iмакс.(8/20мкс): 1200 А
Потужність, Вт: 0,25 Вт
Ємність, пФ: 75 пФ
Розмір: 7D
у наявності: 1035 шт
  • 737 шт - склад
  • 73 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 40 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 88 шт - РАДІОМАГ-Харків
  • 97 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
очікується: 1000 шт
  • 1000 шт - очікується
на замовлення: 246 шт
  • 246 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+3.50 грн
10+3.00 грн
100+2.60 грн
1000+2.20 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.