Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > IRFB3077PBF
IRFB3077PBF

IRFB3077PBF

irfb3077pbf-datasheet.pdf
Код товару: 104275
1 Додати до обраних Обраний товар

Виробник: IR
Корпус: TO-220AB
Uds,V: 75 V
Idd,A: 120 A
Rds(on), Ohm: 3,3 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 9400/160
Монтаж: THT
у наявності 78 шт:
46 шт - склад
29 шт - РАДІОМАГ-Київ
3 шт - РАДІОМАГ-Харків
Кількість Ціна
1+85.00 грн
10+78.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRFB3077PBF IR

  • MOSFET, N, 75V, TO-220
  • Transistor Type:MOSFET
  • Transistor Polarity:N
  • Typ Voltage Vds:75V
  • Cont Current Id:210A
  • On State Resistance:3.3ohm
  • Voltage Vgs Rds on Measurement:10V
  • Typ Voltage Vgs th:4V
  • Case Style:TO-220AB
  • Termination Type:Through Hole
  • Avalanche Single Pulse Energy Eas:240mJ
  • Cont Current Id @ 100`C:150A
  • Cont Current Id @ 25`C:210A
  • Max Voltage Vds:75V
  • Power Dissipation Pd:370W
  • Pulse Current Idm:850A
  • Rds Measurement Voltage:10V
  • Typ Capacitance Ciss:9400pF
  • Voltage Vds:75V
  • Rth:0.4
  • Transistor Case Style:TO-220AB

Інші пропозиції IRFB3077PBF за ціною від 115.99 грн до 400.39 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRFB3077PBF IRFB3077PBF Infineon Technologies infineonirfb3077datasheeten.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 75V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 856 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
187+189.34 грн
500+178.75 грн
Мінімальне замовлення: 187
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3077PBF IRFB3077PBF Infineon Technologies infineonirfb3077datasheeten.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 75V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 29000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
187+189.34 грн
500+178.75 грн
1000+169.34 грн
10000+153.09 грн
Мінімальне замовлення: 187
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3077PBF IRFB3077PBF INFINEON TECHNOLOGIES irfb3077pbf.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 210A; 370W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 210A
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 3.3mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 160nC
Technology: HEXFET®
Power dissipation: 370W
на замовлення 136 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+222.44 грн
10+156.60 грн
50+145.60 грн
100+133.75 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3077PBF IRFB3077PBF INFINEON INFN-S-A0012837757-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: INFINEON - IRFB3077PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 210 A, 3300 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 210A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 370W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3300µohm
на замовлення 704 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+310.14 грн
10+205.12 грн
100+145.22 грн
500+119.61 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3077PBF IRFB3077PBF Infineon Technologies infineon-irfb3077-datasheet-en.pdf description Description: MOSFET N-CH 75V 120A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 370W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 220 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9400 pF @ 50 V
на замовлення 2265 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+380.55 грн
10+242.20 грн
100+171.58 грн
500+132.72 грн
1000+123.63 грн
2000+115.99 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3077PBF IRFB3077PBF Infineon Technologies infineonirfb3077datasheeten.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 75V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 183 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
37+384.82 грн
53+267.53 грн
100+194.83 грн
Мінімальне замовлення: 37
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3077PBF IRFB3077PBF Infineon Technologies infineon-irfb3077-datasheet-en.pdf description MOSFETs MOSFT 75V 210A 3.3mOhm 160nC Qg
на замовлення 913 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+400.39 грн
10+258.80 грн
100+167.37 грн
500+140.65 грн
1000+130.81 грн
2000+122.37 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3077PBF description infineonirfb3077datasheeten.pdf
IRFB3077PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 856 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
187+189.34 грн
500+178.75 грн
Мінімальне замовлення: 187
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3077PBF description infineonirfb3077datasheeten.pdf
IRFB3077PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 29000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
187+189.34 грн
500+178.75 грн
1000+169.34 грн
10000+153.09 грн
Мінімальне замовлення: 187
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3077PBF description irfb3077pbf.pdf
IRFB3077PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 210A; 370W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 210A
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 3.3mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 160nC
Technology: HEXFET®
Power dissipation: 370W
на замовлення 136 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+222.44 грн
10+156.60 грн
50+145.60 грн
100+133.75 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3077PBF description INFN-S-A0012837757-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFB3077PBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFB3077PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 210 A, 3300 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 210A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 370W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3300µohm
на замовлення 704 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+310.14 грн
10+205.12 грн
100+145.22 грн
500+119.61 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3077PBF description infineon-irfb3077-datasheet-en.pdf
IRFB3077PBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 75V 120A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 370W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 220 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9400 pF @ 50 V
на замовлення 2265 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+380.55 грн
10+242.20 грн
100+171.58 грн
500+132.72 грн
1000+123.63 грн
2000+115.99 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3077PBF description infineonirfb3077datasheeten.pdf
IRFB3077PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 183 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
37+384.82 грн
53+267.53 грн
100+194.83 грн
Мінімальне замовлення: 37
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3077PBF description infineon-irfb3077-datasheet-en.pdf
IRFB3077PBF
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 75V 210A 3.3mOhm 160nC Qg
на замовлення 913 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+400.39 грн
10+258.80 грн
100+167.37 грн
500+140.65 грн
1000+130.81 грн
2000+122.37 грн
В кошику  од. на суму  грн.

З цим товаром купують

HCPL-3120-300E
Код товару: 122265
Додати до обраних Обраний товар
oohcpl3120smd.pdf
HCPL-3120-300E
Виробник: Avago
Мікросхеми > Оптрони (оптопари)
Корпус: SO-8
Тип: Драйвер затвора транзистора
Uізол,kV: 3,7 kV
Ton/Toff,µs: 0,5/0,5 µs
Роб.темп.,°С: -40…+100°C
товару немає в наявності
Кількість Ціна
1+76.00 грн
10+69.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
20 Ohm 5% 0,25W 200V 1206 (RC1206JR-20R-Hitano) (резистор SMD)
Код товару: 3685
Додати до обраних Обраний товар
20 Ohm 5% 0,25W 200V 1206 (RC1206JR-20R-Hitano) (резистор SMD)
Виробник: Hitano
SMD резистори > 1206
Номінал: 20 Ohm
Точність: ±5% J
Рном,W: 0,25 W
Uроб,V: 200 V
Типорозмір: 1206
у наявності: 4600 шт
4600 шт - склад
очікується: 5000 шт
5000 шт - очікується
Кількість Ціна
100+0.25 грн
1000+0.18 грн
10000+0.14 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4115PBF
Код товару: 37473
Додати до обраних Обраний товар
irfb4115pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535615ba6a1e0f
IRFB4115PBF
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 150 V
Idd,A: 104 A
Монтаж: THT
у наявності: 56 шт
33 шт - склад
15 шт - РАДІОМАГ-Київ
8 шт - РАДІОМАГ-Львів
Кількість Ціна
1+93.50 грн
10+84.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Прокладка силіконова TO-220 13x18x0,3mm (Sili.TO220 13 * 18mm (0 .3mm))
Код товару: 123772
4 Додати до обраних Обраний товар
Прокладка силіконова TO-220 13x18x0,3mm (Sili.TO220 13 * 18mm (0 .3mm))
Ізоляційні матеріали
Група: Прокладка теплопровідна
Опис: Розміри: 13x18x0.3mm з отвором Ø3mm, -60 + 180 ° C, 1, 22W
Розмір: 13х18х0,3мм
Матеріал: Силікон
Колір: білий
у наявності: 1707 шт
952 шт - РАДІОМАГ-Харків
755 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість Ціна
14+1.50 грн
20+1.00 грн
100+0.80 грн
1000+0.50 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
STP14NK50ZFP
Код товару: 2275
2 Додати до обраних Обраний товар
description STP14NK50ZFP.pdf
STP14NK50ZFP
Виробник: ST
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220FP
Uds,V: 500 V
Idd,A: 14 A
Rds(on), Ohm: 0,38 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 2000/69
Примітка: Ізольований корпус
Монтаж: THT
у наявності: 95 шт
65 шт - склад
30 шт - РАДІОМАГ-Київ
Кількість Ціна
1+75.00 грн
10+68.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.