IRFB3077PBF
Код товару: 104275
1
Додати до обраних
Обраний товар
Виробник: IR
Корпус: TO-220AB
Напруга сток-витік Uds, В: 75 В
Струм стоку Idd, А: 120 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 3,3 мОм
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 9400/160
Монтаж: THT
УКТЗЕД: 8541290010
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 85.00 грн |
| 10+ | 78.00 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRFB3077PBF IR
- MOSFET, N, 75V, TO-220
- Transistor Type:MOSFET
- Transistor Polarity:N
- Typ Voltage Vds:75V
- Cont Current Id:210A
- On State Resistance:3.3ohm
- Voltage Vgs Rds on Measurement:10V
- Typ Voltage Vgs th:4V
- Case Style:TO-220AB
- Termination Type:Through Hole
- Avalanche Single Pulse Energy Eas:240mJ
- Cont Current Id @ 100`C:150A
- Cont Current Id @ 25`C:210A
- Max Voltage Vds:75V
- Power Dissipation Pd:370W
- Pulse Current Idm:850A
- Rds Measurement Voltage:10V
- Typ Capacitance Ciss:9400pF
- Voltage Vds:75V
- Rth:0.4
- Transistor Case Style:TO-220AB
Інші пропозиції IRFB3077PBF за ціною від 102.17 грн до 420.52 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IRFB3077PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 75V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 29000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRFB3077PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 75V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 856 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRFB3077PBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 210A; 370W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 75V Drain current: 210A Case: TO220AB Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement On-state resistance: 3.3mΩ Power dissipation: 370W Gate charge: 160nC Technology: HEXFET® Gate-source voltage: ±20V |
на замовлення 49 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRFB3077PBF | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 75V 120A TO220ABPackaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 75A, 10V Power Dissipation (Max): 370W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 220 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9400 pF @ 50 V |
на замовлення 2222 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRFB3077PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 75V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 178 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRFB3077PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 75V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 178 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRFB3077PBF | Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFT 75V 210A 3.3mOhm 160nC Qg |
на замовлення 876 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
IRFB3077PBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRFB3077PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 210 A, 3300 µohm, TO-220AB, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 75V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 210A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 370W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3300µohm |
на замовлення 1424 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| IRFB3077PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 75V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 29000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 183+ | 193.29 грн |
| 500+ | 183.87 грн |
| 1000+ | 173.26 грн |
| 10000+ | 156.84 грн |
| IRFB3077PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 75V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 856 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 183+ | 193.29 грн |
| 500+ | 183.87 грн |
| IRFB3077PBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 210A; 370W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 210A
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 3.3mΩ
Power dissipation: 370W
Gate charge: 160nC
Technology: HEXFET®
Gate-source voltage: ±20V
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 210A; 370W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 210A
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 3.3mΩ
Power dissipation: 370W
Gate charge: 160nC
Technology: HEXFET®
Gate-source voltage: ±20V
на замовлення 49 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 254.48 грн |
| 10+ | 173.29 грн |
| IRFB3077PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 75V 120A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 370W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 220 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9400 pF @ 50 V
Description: MOSFET N-CH 75V 120A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 370W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 220 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9400 pF @ 50 V
на замовлення 2222 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 333.99 грн |
| 10+ | 212.89 грн |
| 100+ | 150.94 грн |
| 500+ | 116.84 грн |
| 1000+ | 108.87 грн |
| 2000+ | 102.17 грн |
| IRFB3077PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 75V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 178 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 418.00 грн |
| 10+ | 288.07 грн |
| 100+ | 212.86 грн |
| IRFB3077PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 75V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 178 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 34+ | 420.52 грн |
| 49+ | 289.80 грн |
| 100+ | 214.15 грн |
| IRFB3077PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 75V 210A 3.3mOhm 160nC Qg
MOSFETs MOSFT 75V 210A 3.3mOhm 160nC Qg
на замовлення 876 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| IRFB3077PBF |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFB3077PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 210 A, 3300 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 210A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 370W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3300µohm
Description: INFINEON - IRFB3077PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 210 A, 3300 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 210A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 370W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3300µohm
на замовлення 1424 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
З цим товаром купують
| IRFB4115PBF Код товару: 37473
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Напруга сток-витік Uds, В: 150 В
Струм стоку Idd, А: 104 А
Монтаж: THT
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Напруга сток-витік Uds, В: 150 В
Струм стоку Idd, А: 104 А
Монтаж: THT
у наявності: 49 шт
- 31 шт - склад
- 10 шт - РАДІОМАГ-Київ
- 8 шт - РАДІОМАГ-Львів
на замовлення: 5 шт
- 5 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 93.50 грн |
| 10+ | 84.70 грн |
| IRFB4110PBF Код товару: 42666
4
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Напруга сток-витік Uds, В: 100 В
Струм стоку Idd, А: 180 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 4,5 мОм
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 9620/150
Монтаж: THT
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Напруга сток-витік Uds, В: 100 В
Струм стоку Idd, А: 180 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 4,5 мОм
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 9620/150
Монтаж: THT
на замовлення: 5 шт
- 5 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 138.00 грн |
| 10+ | 123.20 грн |
| 100+ | 108.90 грн |
| Прокладка силіконова TO-220 13x18x0,3mm (Sili.TO220 13 * 18mm (0 .3mm)) Код товару: 123772
4
Додати до обраних
Обраний товар
|
Ізоляційні матеріали
Група: Прокладка теплопровідна
Опис: Розміри: 13x18x0.3mm з отвором Ø3mm, -60 + 180 ° C, 1, 22W
Розмір: 13х18х0,3мм
Матеріал: Силікон
Колір: Білий
Група: Прокладка теплопровідна
Опис: Розміри: 13x18x0.3mm з отвором Ø3mm, -60 + 180 ° C, 1, 22W
Розмір: 13х18х0,3мм
Матеріал: Силікон
Колір: Білий
очікується: 30000 шт
- 5000 шт - очікується 09.08.2026
- 5000 шт - очікується 09.08.2026
- 5000 шт - очікується 09.08.2026
- 5000 шт - очікується 09.08.2026
- 5000 шт - очікується 09.08.2026
- 5000 шт - очікується 09.08.2026
на замовлення: 7 шт
- 7 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 14+ | 1.50 грн |
| 20+ | 1.00 грн |
| 100+ | 0.80 грн |
| 1000+ | 0.50 грн |
| STP14NK50ZFP Код товару: 2275
2
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: ST
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220FP
Напруга сток-витік Uds, В: 500 В
Струм стоку Idd, А: 14 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,38 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 2000/69
Примітка: Ізольований корпус
Монтаж: THT
УКТЗЕД: 8541290010
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220FP
Напруга сток-витік Uds, В: 500 В
Струм стоку Idd, А: 14 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,38 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 2000/69
Примітка: Ізольований корпус
Монтаж: THT
УКТЗЕД: 8541290010
у наявності: 95 шт
- 65 шт - склад
- 30 шт - РАДІОМАГ-Київ
на замовлення: 9 шт
- 9 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 75.00 грн |
| 10+ | 68.00 грн |
| VCR-07D681KAB (S07K420,TVR07681,GNR-07D-681K) (варистор) Код товару: 2236
1
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Hitano
Пасивні компоненти > Варистори
Uроб AC/DC, В: 420/560 В
Uвар, В: 680(612...748) В
Макс. напруга і струм спрацьовування, В@A: 1120@10 B@A
Iмакс.(8/20мкс): 1200 А
Потужність, Вт: 0,25 Вт
Ємність, пФ: 75 пФ
Розмір: 7D
Пасивні компоненти > Варистори
Uроб AC/DC, В: 420/560 В
Uвар, В: 680(612...748) В
Макс. напруга і струм спрацьовування, В@A: 1120@10 B@A
Iмакс.(8/20мкс): 1200 А
Потужність, Вт: 0,25 Вт
Ємність, пФ: 75 пФ
Розмір: 7D
у наявності: 1035 шт
- 737 шт - склад
- 73 шт - РАДІОМАГ-Київ
- 40 шт - РАДІОМАГ-Львів
- 88 шт - РАДІОМАГ-Харків
- 97 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
на замовлення: 246 шт
- 246 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 6+ | 3.50 грн |
| 10+ | 3.00 грн |
| 100+ | 2.60 грн |
| 1000+ | 2.20 грн |












