IRFB3077PBF
Код товару: 104275
Виробник: IRКорпус: TO-220AB
Uds,V: 75 V
Idd,A: 120 A
Rds(on), Ohm: 3,3 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 9400/160
Монтаж: THT
у наявності 73 шт:
70 шт - склад
3 шт - РАДІОМАГ-Харків
очікується 30 шт:
30 шт - очікується
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 85.00 грн |
| 10+ | 78.00 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRFB3077PBF IR
- MOSFET, N, 75V, TO-220
- Transistor Type:MOSFET
- Transistor Polarity:N
- Typ Voltage Vds:75V
- Cont Current Id:210A
- On State Resistance:3.3ohm
- Voltage Vgs Rds on Measurement:10V
- Typ Voltage Vgs th:4V
- Case Style:TO-220AB
- Termination Type:Through Hole
- Avalanche Single Pulse Energy Eas:240mJ
- Cont Current Id @ 100`C:150A
- Cont Current Id @ 25`C:210A
- Max Voltage Vds:75V
- Power Dissipation Pd:370W
- Pulse Current Idm:850A
- Rds Measurement Voltage:10V
- Typ Capacitance Ciss:9400pF
- Voltage Vds:75V
- Rth:0.4
- Transistor Case Style:TO-220AB
Інші пропозиції IRFB3077PBF за ціною від 95.28 грн до 391.81 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IRFB3077PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 75V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 956 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRFB3077PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 75V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 31000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRFB3077PBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 210A; 370W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 75V Drain current: 210A Case: TO220AB Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement On-state resistance: 3.3mΩ Gate-source voltage: ±20V Gate charge: 160nC Technology: HEXFET® Power dissipation: 370W |
на замовлення 135 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRFB3077PBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 210A; 370W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 75V Drain current: 210A Case: TO220AB Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement On-state resistance: 3.3mΩ Gate-source voltage: ±20V Gate charge: 160nC Technology: HEXFET® Power dissipation: 370W кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 135 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRFB3077PBF | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFT 75V 210A 3.3mOhm 160nC Qg |
на замовлення 1322 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRFB3077PBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRFB3077PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 210 A, 3300 µohm, TO-220AB, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 75V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 210A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 370W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3300µohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 945 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRFB3077PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 75V 120A TO220ABPackaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 75A, 10V Power Dissipation (Max): 370W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 220 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9400 pF @ 50 V |
на замовлення 2410 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRFB3077PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 75V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 5369 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRFB3077PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 75V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 183 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRFB3077PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 75V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 5369 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| IRFB3077PBF | Виробник : International Rectifier Corporation |
TO-200AB |
на замовлення 100 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
||||||||||||||||||
|
IRFB3077PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 75V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
IRFB3077PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 75V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
товару немає в наявності |
З цим товаром купують
| HCPL-3120-300E Код товару: 122265
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Avago
Мікросхеми > Оптрони (оптопари)
Корпус: SO-8
Тип: Драйвер затвора транзистора
Uізол,kV: 3,7 kV
Ton/Toff,µs: 0,5/0,5 µs
Роб.темп.,°С: -40…+100°C
Мікросхеми > Оптрони (оптопари)
Корпус: SO-8
Тип: Драйвер затвора транзистора
Uізол,kV: 3,7 kV
Ton/Toff,µs: 0,5/0,5 µs
Роб.темп.,°С: -40…+100°C
у наявності: 23 шт
5 шт - РАДІОМАГ-Київ
10 шт - РАДІОМАГ-Львів
8 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
10 шт - РАДІОМАГ-Львів
8 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 76.00 грн |
| 10+ | 69.00 грн |
| 20 Ohm 5% 0,25W 200V 1206 (RC1206JR-20R-Hitano) (резистор SMD) Код товару: 3685
Додати до обраних
Обраний товар
|
Виробник: Hitano
SMD резистори > 1206
Номінал: 20 Ohm
Точність: ±5% J
Рном,W: 0,25 W
Uроб,V: 200 V
Типорозмір: 1206
SMD резистори > 1206
Номінал: 20 Ohm
Точність: ±5% J
Рном,W: 0,25 W
Uроб,V: 200 V
Типорозмір: 1206
товару немає в наявності
очікується:
10000 шт
10000 шт - очікується 30.04.2026
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 0.20 грн |
| 1000+ | 0.15 грн |
| 10000+ | 0.12 грн |
| IRFB4115PBF Код товару: 37473
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
у наявності: 79 шт
52 шт - склад
21 шт - РАДІОМАГ-Київ
6 шт - РАДІОМАГ-Львів
21 шт - РАДІОМАГ-Київ
6 шт - РАДІОМАГ-Львів
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 93.50 грн |
| 10+ | 84.70 грн |
| Прокладка силіконова TO-220 13x18x0,3mm (Sili.TO220 13 * 18mm (0 .3mm)) Код товару: 123772
Додати до обраних
Обраний товар
|
Ізоляційні матеріали
Група: Прокладка теплопровідна
Опис: Розміри: 13x18x0.3mm з отвором Ø3mm, -60 + 180 ° C, 1, 22W
Розмір: 13х18х0,3мм
Матеріал: Силікон
Колір: білий
Група: Прокладка теплопровідна
Опис: Розміри: 13x18x0.3mm з отвором Ø3mm, -60 + 180 ° C, 1, 22W
Розмір: 13х18х0,3мм
Матеріал: Силікон
Колір: білий
товару немає в наявності
очікується:
20000 шт
5000 шт - очікується 21.04.2026
5000 шт - очікується 21.04.2026
5000 шт - очікується 18.04.2026
5000 шт - очікується 18.04.2026
5000 шт - очікується 21.04.2026
5000 шт - очікується 18.04.2026
5000 шт - очікується 18.04.2026
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 14+ | 1.50 грн |
| 20+ | 1.00 грн |
| 100+ | 0.80 грн |
| 1000+ | 0.50 грн |
| Батарейка AA лужна 1,5V 1шт. Energycell EN15EX-4S Код товару: 162198
Додати до обраних
Обраний товар
|
Виробник: Energycell
Батарейки
Матеріал: лужна
Розмір: AA / LR06 / "пальчик"
Напруга, V: 1,5 V
Форма: Циліндрична
Батарейки
Матеріал: лужна
Розмір: AA / LR06 / "пальчик"
Напруга, V: 1,5 V
Форма: Циліндрична
у наявності: 2 шт
2 шт - склад
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 14.00 грн |
| 10+ | 12.50 грн |








