Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > IRFB3077PBF

IRFB3077PBF

Name: IRFB3077PBF
Brand: IR
SKU: 104275
Price: 85.00 UAH
Availability: InStock

Код товару: 104275

Виробник: IR
Корпус: TO-220AB
Uds,V: 75 V
Idd,A: 120 A
Rds(on), Ohm: 3,3 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 9400/160
Монтаж: THT

у наявності 101 шт:

68 шт - склад
30 шт - РАДІОМАГ-Київ
3 шт - РАДІОМАГ-Харків

Кількість	Ціна
1+	85.00 грн
10+	78.00 грн

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис IRFB3077PBF IR

MOSFET, N, 75V, TO-220
Transistor Type:MOSFET
Transistor Polarity:N
Typ Voltage Vds:75V
Cont Current Id:210A
On State Resistance:3.3ohm
Voltage Vgs Rds on Measurement:10V
Typ Voltage Vgs th:4V
Case Style:TO-220AB
Termination Type:Through Hole
Avalanche Single Pulse Energy Eas:240mJ
Cont Current Id @ 100`C:150A
Cont Current Id @ 25`C:210A
Max Voltage Vds:75V
Power Dissipation Pd:370W
Pulse Current Idm:850A
Rds Measurement Voltage:10V
Typ Capacitance Ciss:9400pF
Voltage Vds:75V
Rth:0.4
Transistor Case Style:TO-220AB

Інші пропозиції IRFB3077PBF за ціною від 97.79 грн до 453.02 грн

Фото

Назва

Виробник

Інформація

Доступність

Ціна

IRFB3077PBF

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH Si 75V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

на замовлення 856 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
187+	173.16 грн
500+	163.48 грн

Мінімальне замовлення: 187

В кошику од. на суму грн.

IRFB3077PBF

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH Si 75V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

на замовлення 29000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
187+	173.16 грн
500+	163.48 грн
1000+	154.88 грн
10000+	140.01 грн

Мінімальне замовлення: 187

В кошику од. на суму грн.

IRFB3077PBF

Виробник : Infineon Technologies

MOSFETs MOSFT 75V 210A 3.3mOhm 160nC Qg

на замовлення 1322 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

Кількість	Ціна
2+	244.03 грн
10+	197.25 грн
100+	123.41 грн
1000+	122.71 грн
2000+	118.53 грн
5000+	117.14 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IRFB3077PBF

Виробник : INFINEON

INFN-S-A0012837757-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0

Description: INFINEON - IRFB3077PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 210 A, 3300 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 210A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 370W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3300µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

на замовлення 945 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
4+	270.88 грн
10+	222.07 грн
100+	160.25 грн
500+	148.05 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

IRFB3077PBF

Виробник : Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 75V 120A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 370W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 220 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9400 pF @ 50 V

на замовлення 2390 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
2+	305.91 грн
10+	194.58 грн
100+	137.80 грн
500+	106.59 грн
1000+	99.29 грн
2000+	97.79 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IRFB3077PBF

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH Si 75V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

на замовлення 183 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
35+	376.87 грн
52+	248.67 грн

Мінімальне замовлення: 35

В кошику од. на суму грн.

IRFB3077PBF

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH Si 75V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

на замовлення 5369 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
2+	390.92 грн
10+	263.57 грн
100+	188.80 грн
500+	150.78 грн
1000+	127.12 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IRFB3077PBF

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH Si 75V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

на замовлення 854 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
29+	453.02 грн
44+	299.57 грн
100+	212.18 грн
500+	168.65 грн

Мінімальне замовлення: 29

В кошику од. на суму грн.

IRFB3077PBF

Виробник : International Rectifier Corporation

TO-200AB

на замовлення 100 шт:

термін постачання 5 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IRFB3077PBF

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH Si 75V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IRFB3077PBF

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH Si 75V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IRFB3077PBF

Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 210A; 370W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 210A
Power dissipation: 370W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 160nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

З цим товаром купують

HCPL-3120-300E
Код товару: 122265

Додати до обраних Обраний товар

Виробник: Avago
Мікросхеми > Оптрони (оптопари)
Корпус: SO-8
Тип: Драйвер затвора транзистора
Uізол,kV: 3,7 kV
Ton/Toff,µs: 0,5/0,5 µs
Роб.темп.,°С: -40…+100°C

у наявності: 23 шт

1 шт - склад
5 шт - РАДІОМАГ-Київ
10 шт - РАДІОМАГ-Львів
7 шт - РАДІОМАГ-Дніпро

Кількість	Ціна
1+	76.00 грн
10+	69.00 грн

В кошику од. на суму грн.

20 Ohm 5% 0,25W 200V 1206 (RC1206JR-20R-Hitano) (резистор SMD)
Код товару: 3685

Додати до обраних Обраний товар

Виробник: Hitano
SMD резистори > 1206
Номінал: 20 Ohm
Точність: ±5% J
Рном,W: 0,25 W
Uроб,V: 200 V
Типорозмір: 1206

товару немає в наявності

очікується: 10000 шт

10000 шт - очікується 10.05.2026

Кількість	Ціна
100+	0.20 грн
1000+	0.15 грн
10000+	0.12 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

IRFB4115PBF
Код товару: 37473

Додати до обраних Обраний товар

irfb4115pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535615ba6a1e0f

Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 150 V
Idd,A: 104 A
Монтаж: THT

у наявності: 66 шт

39 шт - склад
21 шт - РАДІОМАГ-Київ
6 шт - РАДІОМАГ-Львів

Кількість	Ціна
1+	93.50 грн
10+	84.70 грн

В кошику од. на суму грн.

Прокладка силіконова TO-220 13x18x0,3mm (Sili.TO220 13 * 18mm (0 .3mm))
Код товару: 123772

Додати до обраних Обраний товар

Ізоляційні матеріали
Група: Прокладка теплопровідна
Опис: Розміри: 13x18x0.3mm з отвором Ø3mm, -60 + 180 ° C, 1, 22W
Розмір: 13х18х0,3мм
Матеріал: Силікон
Колір: білий

у наявності: 19763 шт

15777 шт - склад
1000 шт - РАДІОМАГ-Київ
1000 шт - РАДІОМАГ-Львів
1000 шт - РАДІОМАГ-Харків
986 шт - РАДІОМАГ-Дніпро

Кількість	Ціна
14+	1.50 грн
20+	1.00 грн
100+	0.80 грн
1000+	0.50 грн

Мінімальне замовлення: 14

В кошику од. на суму грн.

Батарейка AA лужна 1,5V 1шт. Energycell EN15EX-4S
Код товару: 162198

Додати до обраних Обраний товар

Виробник: Energycell
Батарейки
Матеріал: лужна
Розмір: AA / LR06 / "пальчик"
Напруга, V: 1,5 V
Форма: Циліндрична

у наявності: 2 шт

2 шт - склад

Кількість	Ціна
2+	14.00 грн
10+	12.50 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.