Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > IRFB3077PBF
IRFB3077PBF

IRFB3077PBF

irfb3077pbf-datasheet.pdf
Код товару: 104275
1 Додати до обраних Обраний товар

Виробник: IR
Корпус: TO-220AB
Uds,V: 75 V
Idd,A: 120 A
Rds(on), Ohm: 3,3 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 9400/160
Монтаж: THT
у наявності: 66 шт
  • 34 шт - склад
  • 29 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 3 шт - РАДІОМАГ-Харків
КількістьЦіна
1+85.00 грн
10+78.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRFB3077PBF IR

  • MOSFET, N, 75V, TO-220
  • Transistor Type:MOSFET
  • Transistor Polarity:N
  • Typ Voltage Vds:75V
  • Cont Current Id:210A
  • On State Resistance:3.3ohm
  • Voltage Vgs Rds on Measurement:10V
  • Typ Voltage Vgs th:4V
  • Case Style:TO-220AB
  • Termination Type:Through Hole
  • Avalanche Single Pulse Energy Eas:240mJ
  • Cont Current Id @ 100`C:150A
  • Cont Current Id @ 25`C:210A
  • Max Voltage Vds:75V
  • Power Dissipation Pd:370W
  • Pulse Current Idm:850A
  • Rds Measurement Voltage:10V
  • Typ Capacitance Ciss:9400pF
  • Voltage Vds:75V
  • Rth:0.4
  • Transistor Case Style:TO-220AB

Інші пропозиції IRFB3077PBF за ціною від 97.76 грн до 397.55 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
IRFB3077PBF IRFB3077PBF Infineon Technologies infineonirfb3077datasheeten.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 75V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 856 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
187+190.18 грн
500+179.55 грн
Мінімальне замовлення: 187 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3077PBF IRFB3077PBF Infineon Technologies infineonirfb3077datasheeten.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 75V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 29000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
187+190.18 грн
500+179.55 грн
1000+170.10 грн
10000+153.77 грн
Мінімальне замовлення: 187 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3077PBF IRFB3077PBF INFINEON TECHNOLOGIES irfb3077pbf.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 210A; 370W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 210A
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 3.3mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 160nC
Technology: HEXFET®
Power dissipation: 370W
на замовлення 136 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+220.86 грн
10+155.50 грн
50+144.57 грн
100+132.80 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3077PBF IRFB3077PBF INFINEON INFN-S-A0012837757-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: INFINEON - IRFB3077PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 210 A, 3300 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 210A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 370W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3300µohm
на замовлення 1441 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+307.94 грн
10+203.66 грн
100+144.19 грн
500+118.77 грн
1000+97.76 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3077PBF IRFB3077PBF Infineon Technologies infineon-irfb3077-datasheet-en.pdf description Description: MOSFET N-CH 75V 120A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 370W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 220 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9400 pF @ 50 V
на замовлення 2265 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+381.00 грн
10+242.45 грн
100+171.73 грн
500+132.83 грн
1000+123.73 грн
2000+116.09 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3077PBF IRFB3077PBF Infineon Technologies infineonirfb3077datasheeten.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 75V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 183 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
37+386.54 грн
53+268.72 грн
100+195.70 грн
Мінімальне замовлення: 37 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3077PBF IRFB3077PBF Infineon Technologies infineon-irfb3077-datasheet-en.pdf description MOSFETs MOSFT 75V 210A 3.3mOhm 160nC Qg
на замовлення 913 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+397.55 грн
10+256.97 грн
100+166.19 грн
500+139.66 грн
1000+129.88 грн
2000+121.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3077PBF description infineonirfb3077datasheeten.pdf
IRFB3077PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 856 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
187+190.18 грн
500+179.55 грн
Мінімальне замовлення: 187 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3077PBF description infineonirfb3077datasheeten.pdf
IRFB3077PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 29000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
187+190.18 грн
500+179.55 грн
1000+170.10 грн
10000+153.77 грн
Мінімальне замовлення: 187 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3077PBF description irfb3077pbf.pdf
IRFB3077PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 210A; 370W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 210A
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 3.3mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 160nC
Technology: HEXFET®
Power dissipation: 370W
на замовлення 136 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна
3+220.86 грн
10+155.50 грн
50+144.57 грн
100+132.80 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3077PBF description INFN-S-A0012837757-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFB3077PBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFB3077PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 210 A, 3300 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 210A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 370W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3300µohm
на замовлення 1441 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3+307.94 грн
10+203.66 грн
100+144.19 грн
500+118.77 грн
1000+97.76 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3077PBF description infineon-irfb3077-datasheet-en.pdf
IRFB3077PBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 75V 120A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 370W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 220 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9400 pF @ 50 V
на замовлення 2265 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+381.00 грн
10+242.45 грн
100+171.73 грн
500+132.83 грн
1000+123.73 грн
2000+116.09 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3077PBF description infineonirfb3077datasheeten.pdf
IRFB3077PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 183 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
37+386.54 грн
53+268.72 грн
100+195.70 грн
Мінімальне замовлення: 37 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3077PBF description infineon-irfb3077-datasheet-en.pdf
IRFB3077PBF
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 75V 210A 3.3mOhm 160nC Qg
на замовлення 913 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
1+397.55 грн
10+256.97 грн
100+166.19 грн
500+139.66 грн
1000+129.88 грн
2000+121.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.

З цим товаром купують

HCPL-3120-300E
Код товару: 122265
Додати до обраних Обраний товар
oohcpl3120smd.pdf
HCPL-3120-300E
Виробник: Avago
Мікросхеми > Оптрони (оптопари)
Корпус: SO-8
Тип: Драйвер затвора транзистора
Uізол,kV: 3,7 kV
Ton/Toff,µs: 0,5/0,5 µs
Роб.темп.,°С: -40…+100°C
товару немає в наявності
КількістьЦіна
1+76.00 грн
10+69.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
20 Ohm 5% 0,25W 200V 1206 (RC1206JR-20R-Hitano) (резистор SMD)
Код товару: 3685
Додати до обраних Обраний товар
20 Ohm 5% 0,25W 200V 1206 (RC1206JR-20R-Hitano) (резистор SMD)
Виробник: Hitano
SMD резистори > 1206
Номінал: 20 Ohm
Точність: ±5% J
Рном,W: 0,25 W
Uроб,V: 200 V
Типорозмір: 1206
у наявності: 4400 шт
  • 4400 шт - склад
очікується: 5000 шт
  • 5000 шт - очікується
КількістьЦіна
100+0.25 грн
1000+0.18 грн
10000+0.14 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4115PBF
Код товару: 37473
Додати до обраних Обраний товар
irfb4115pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535615ba6a1e0f
IRFB4115PBF
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 150 V
Idd,A: 104 A
Монтаж: THT
у наявності: 51 шт
  • 33 шт - склад
  • 10 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 8 шт - РАДІОМАГ-Львів
КількістьЦіна
1+93.50 грн
10+84.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Прокладка силіконова TO-220 13x18x0,3mm (Sili.TO220 13 * 18mm (0 .3mm))
Код товару: 123772
4 Додати до обраних Обраний товар
Прокладка силіконова TO-220 13x18x0,3mm (Sili.TO220 13 * 18mm (0 .3mm))
Ізоляційні матеріали
Група: Прокладка теплопровідна
Опис: Розміри: 13x18x0.3mm з отвором Ø3mm, -60 + 180 ° C, 1, 22W
Розмір: 13х18х0,3мм
Матеріал: Силікон
Колір: білий
у наявності: 1549 шт
  • 844 шт - РАДІОМАГ-Харків
  • 705 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
КількістьЦіна
14+1.50 грн
20+1.00 грн
100+0.80 грн
1000+0.50 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP14NK50ZFP
Код товару: 2275
2 Додати до обраних Обраний товар
description STP14NK50ZFP.pdf
STP14NK50ZFP
Виробник: ST
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220FP
Uds,V: 500 V
Idd,A: 14 A
Rds(on), Ohm: 0,38 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 2000/69
Примітка: Ізольований корпус
Монтаж: THT
у наявності: 95 шт
  • 65 шт - склад
  • 30 шт - РАДІОМАГ-Київ
КількістьЦіна
1+75.00 грн
10+68.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.