Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IRFB3077PBFXKMA1
IRFB3077PBFXKMA1

IRFB3077PBFXKMA1 INFINEON TECHNOLOGIES

Infineon-IRFB3077-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d462533600a4015356153f0d1def
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 210A; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 210A
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 26 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+155.34 грн
10+126.64 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRFB3077PBFXKMA1 INFINEON TECHNOLOGIES

Description: INFINEON - IRFB3077PBFXKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 210 A, 0.0033 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 75V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 210A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: TBA, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, Verlustleistung: 370W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: HEXFET Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0033ohm.

Інші пропозиції IRFB3077PBFXKMA1 за ціною від 176.26 грн до 422.86 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IRFB3077PBFXKMA1 IRFB3077PBFXKMA1 Infineon Technologies infineonirfb3077datasheeten.pdf Trans MOSFET N-CH Si 75V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 547 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
183+193.29 грн
500+183.87 грн
Мінімальне замовлення: 183 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3077PBFXKMA1 IRFB3077PBFXKMA1 Infineon Technologies infineonirfb3077datasheeten.pdf Trans MOSFET N-CH Si 75V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 215 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
34+422.52 грн
67+211.79 грн
100+176.26 грн
Мінімальне замовлення: 34 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3077PBFXKMA1 IRFB3077PBFXKMA1 Infineon Technologies infineonirfb3077datasheeten.pdf Trans MOSFET N-CH Si 75V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 216 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+422.86 грн
10+211.96 грн
100+176.40 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3077PBFXKMA1 Infineon Technologies Infineon-IRFB3077-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d462533600a4015356153f0d1def MOSFETs IR FET >60-400V
на замовлення 2900 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3077PBFXKMA1 INFINEON infineon-irfb3077-datasheet-en.pdf Description: INFINEON - IRFB3077PBFXKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 210 A, 0.0033 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 210A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 370W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0033ohm
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3077PBFXKMA1 infineonirfb3077datasheeten.pdf
IRFB3077PBFXKMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 547 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
183+193.29 грн
500+183.87 грн
Мінімальне замовлення: 183 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3077PBFXKMA1 infineonirfb3077datasheeten.pdf
IRFB3077PBFXKMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 215 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
34+422.52 грн
67+211.79 грн
100+176.26 грн
Мінімальне замовлення: 34 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3077PBFXKMA1 infineonirfb3077datasheeten.pdf
IRFB3077PBFXKMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 216 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+422.86 грн
10+211.96 грн
100+176.40 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3077PBFXKMA1 Infineon-IRFB3077-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d462533600a4015356153f0d1def
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs IR FET >60-400V
на замовлення 2900 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3077PBFXKMA1 infineon-irfb3077-datasheet-en.pdf
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFB3077PBFXKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 210 A, 0.0033 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 210A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 370W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0033ohm
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.