IRFB3077PBFXKMA1 Infineon Technologies
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 183+ | 194.59 грн |
| 500+ | 185.09 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
183 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRFB3077PBFXKMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRFB3077PBFXKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 210 A, 0.0033 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 75V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 210A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, Verlustleistung: 370W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: HEXFET Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0033ohm.
Інші пропозиції IRFB3077PBFXKMA1 за ціною від 153.02 грн до 205.67 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
IRFB3077PBFXKMA1 | Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH Si 75V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 16 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||
|
|
IRFB3077PBFXKMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 75V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 15 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||
| IRFB3077PBFXKMA1 | Infineon Technologies |
MOSFETs IR FET >60-400V |
на замовлення 2891 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||
| IRFB3077PBFXKMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IRFB3077PBFXKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 210 A, 0.0033 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 75V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 210A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 370W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0033ohm |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| IRFB3077PBFXKMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 75V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 16 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 205.67 грн |
| 10+ | 153.02 грн |
| IRFB3077PBFXKMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 75V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IRFB3077PBFXKMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs IR FET >60-400V
MOSFETs IR FET >60-400V
на замовлення 2891 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| IRFB3077PBFXKMA1 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFB3077PBFXKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 210 A, 0.0033 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 210A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 370W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0033ohm
Description: INFINEON - IRFB3077PBFXKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 210 A, 0.0033 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 210A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 370W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0033ohm
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)