Технічний опис IRFB3077PBFXKMA1 Infineon Technologies
Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 210A; TO220AB, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 75V, Drain current: 210A, Case: TO220AB, Mounting: THT, Kind of package: tube, Kind of channel: enhancement.
Інші пропозиції IRFB3077PBFXKMA1
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
IRFB3077PBFXKMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH Si 75V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
товару немає в наявності |
|
 |
IRFB3077PBFXKMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: TRENCH 40<-<100V Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 75A, 10V Power Dissipation (Max): 370W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TO220-3-904 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 220 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9400 pF @ 50 V |
товару немає в наявності |
|
| IRFB3077PBFXKMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs TRENCH 40<-<100V |
товару немає в наявності |
||
| IRFB3077PBFXKMA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 210A; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 75V Drain current: 210A Case: TO220AB Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |