Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IRFB3206GPBF
IRFB3206GPBF

IRFB3206GPBF Infineon Technologies

infineon-irfb3206g-datasheet-v01_01-en.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 888 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+65.37 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRFB3206GPBF Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 60V 120A TO220AB, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 75A, 10V, Power Dissipation (Max): 300W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA, Supplier Device Package: TO-220AB, Part Status: Not For New Designs, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6540 pF @ 50 V.

Інші пропозиції IRFB3206GPBF за ціною від 64.68 грн до 262.42 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRFB3206GPBF IRFB3206GPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfb3206g-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 766 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+85.55 грн
10+78.76 грн
100+71.91 грн
500+64.68 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3206GPBF IRFB3206GPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfb3206g-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 760 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
134+91.56 грн
145+84.31 грн
159+76.97 грн
500+69.23 грн
Мінімальне замовлення: 134
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3206GPBF IRFB3206GPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfb3206g-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
242+126.08 грн
500+118.96 грн
1000+112.86 грн
Мінімальне замовлення: 242
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3206GPBF IRFB3206GPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfb3206g-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 495 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
242+126.08 грн
Мінімальне замовлення: 242
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3206GPBF IRFB3206GPBF Виробник : Infineon Technologies irfb3206gpbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561550971df5 Description: MOSFET N-CH 60V 120A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6540 pF @ 50 V
на замовлення 858 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+262.42 грн
10+169.52 грн
100+118.69 грн
500+91.00 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3206GPBF IRFB3206GPBF
Код товару: 52938
Додати до обраних Обраний товар

irfb3206gpbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561550971df5 Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3206GPBF IRFB3206GPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfb3206g-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3206GPBF Виробник : ROCHESTER ELECTRONICS irfb3206gpbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561550971df5 Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IRFB3206GPBF - IRFB320 120A, 60V, N-CHANEL POWER MOSFET
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsCompliant: YES
productTraceability: No
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3206GPBF IRFB3206GPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES irfb3206gpbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561550971df5 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 150A; 300W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 150A
Power dissipation: 300W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3206GPBF IRFB3206GPBF Виробник : Infineon Technologies Infineon_IRFB3206G_DataSheet_v01_01_EN-3363060.pdf MOSFETs MOSFT 60V 210A 3mOhm 120nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3206GPBF IRFB3206GPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES irfb3206gpbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561550971df5 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 150A; 300W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 150A
Power dissipation: 300W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.