Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > IRFB3206GPBF
IRFB3206GPBF

IRFB3206GPBF

irfb3206gpbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561550971df5
Код товару: 52938
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції IRFB3206GPBF за ціною від 109.02 грн до 227.60 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IRFB3206GPBF IRFB3206GPBF Infineon Technologies irfb3206gpbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561550971df5 Description: MOSFET N-CH 60V 120A TO220AB
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6540 pF @ 50 V
на замовлення 1495 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
185+109.45 грн
Мінімальне замовлення: 185 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3206GPBF IRFB3206GPBF Infineon Technologies infineonirfb3206gdatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 518 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
242+146.15 грн
500+137.90 грн
Мінімальне замовлення: 242 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3206GPBF IRFB3206GPBF Infineon Technologies infineonirfb3206gdatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
242+146.15 грн
500+137.90 грн
1000+130.83 грн
Мінімальне замовлення: 242 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3206GPBF IRFB3206GPBF Infineon Technologies infineonirfb3206gdatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 495 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
242+146.15 грн
Мінімальне замовлення: 242 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3206GPBF IRFB3206GPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfb3206gpbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561550971df5 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 150A; 300W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 150A
Power dissipation: 300W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 200 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+227.60 грн
10+140.89 грн
100+109.02 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3206GPBF irfb3206gpbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561550971df5
IRFB3206GPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 120A TO220AB
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6540 pF @ 50 V
на замовлення 1495 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
185+109.45 грн
Мінімальне замовлення: 185 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3206GPBF infineonirfb3206gdatasheetv0101en.pdf
IRFB3206GPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 518 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
242+146.15 грн
500+137.90 грн
Мінімальне замовлення: 242 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3206GPBF infineonirfb3206gdatasheetv0101en.pdf
IRFB3206GPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
242+146.15 грн
500+137.90 грн
1000+130.83 грн
Мінімальне замовлення: 242 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3206GPBF infineonirfb3206gdatasheetv0101en.pdf
IRFB3206GPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 495 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
242+146.15 грн
Мінімальне замовлення: 242 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3206GPBF irfb3206gpbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561550971df5
IRFB3206GPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 150A; 300W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 150A
Power dissipation: 300W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 200 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+227.60 грн
10+140.89 грн
100+109.02 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.