Інші пропозиції IRFB3206GPBF за ціною від 89.34 грн до 228.28 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRFB3206GPBF | Виробник : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH Si 60V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 266 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
|
IRFB3206GPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 266 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
 |
IRFB3206GPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 60V 120A TO220AB Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 75A, 10V Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA Supplier Device Package: TO-220AB Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6540 pF @ 50 V |
на замовлення 1495 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
|
IRFB3206GPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 518 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
|
IRFB3206GPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
|
IRFB3206GPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 495 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
 |
IRFB3206GPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 150A; 300W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 150A Power dissipation: 300W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3mΩ Mounting: THT Gate charge: 0.12µC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
на замовлення 200 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||
| IRFB3206GPBF | Виробник : ROCHESTER ELECTRONICS |
Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IRFB3206GPBF - IRFB320 120A, 60V, N-CHANEL POWER MOSFET tariffCode: 85412900 euEccn: NLR hazardous: false rohsCompliant: YES productTraceability: No rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
товару немає в наявності |
||||||||||
|
|
IRFB3206GPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 60V 120A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 75A, 10V Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6540 pF @ 50 V |
товару немає в наявності |
|||||||||
 |
IRFB3206GPBF | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFT 60V 210A 3mOhm 120nC |
товару немає в наявності |