Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > IRFB3207ZPBF

IRFB3207ZPBF

infineon-irfs3207zpbf-datasheet-en.pdf
Код товару: 197879
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRFB3207ZPBF

  • MOSFET, N, 75V, TO-220AB
  • Transistor Polarity:N
  • Max Current Id:120A
  • Max Voltage Vds:75V
  • On State Resistance:0.0041ohm
  • Rds Measurement Voltage:10V
  • Max Voltage Vgs:20V
  • Power Dissipation:300mW
  • Operating Temperature Range:-55`C to +175`C
  • Transistor Case Style:TO-220AB
  • No. of Pins:3
  • Base Number:3207
  • Case Style:TO-220AB
  • Cont Current Id:170A
  • Max Voltage Vgs th:4V
  • Min Voltage Vgs th:2V
  • N-channel Gate Charge:120nC
  • Power Dissipation Pd:300W
  • Pulse Current Idm:670A
  • Termination Type:Through Hole
  • Transistor Type:MOSFET
  • Typ Voltage Vds:75V
  • Typ Voltage Vgs th:4V
  • Voltage Vgs Rds on Measurement:10V

Інші пропозиції IRFB3207ZPBF за ціною від 91.26 грн до 319.93 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IRFB3207ZPBF IRFB3207ZPBF Infineon Technologies infineonirfs3207zdatasheetv0101en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 75V 170A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 842 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+118.90 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3207ZPBF IRFB3207ZPBF Infineon Technologies infineonirfs3207zdatasheetv0101en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 75V 170A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 842 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
122+118.90 грн
Мінімальне замовлення: 122 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3207ZPBF IRFB3207ZPBF Infineon Technologies infineonirfs3207zdatasheetv0101en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 75V 170A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+121.09 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3207ZPBF IRFB3207ZPBF Infineon Technologies infineonirfs3207zdatasheetv0101en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 75V 170A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+121.09 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3207ZPBF IRFB3207ZPBF Infineon Technologies infineonirfs3207zdatasheetv0101en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 75V 170A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
111+131.70 грн
Мінімальне замовлення: 111 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3207ZPBF IRFB3207ZPBF Infineon Technologies infineonirfs3207zdatasheetv0101en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 75V 170A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 956 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
242+149.73 грн
500+142.48 грн
Мінімальне замовлення: 242 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3207ZPBF IRFB3207ZPBF Infineon Technologies infineonirfs3207zdatasheetv0101en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 75V 170A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
242+149.73 грн
500+142.48 грн
1000+134.03 грн
Мінімальне замовлення: 242 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3207ZPBF IRFB3207ZPBF Infineon Technologies infineonirfs3207zdatasheetv0101en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 75V 170A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2022 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
242+149.73 грн
500+142.48 грн
1000+134.03 грн
Мінімальне замовлення: 242 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3207ZPBF IRFB3207ZPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfs3207zpbf.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 120A; 300W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 120A
Power dissipation: 300W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.1mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 16 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+172.76 грн
10+140.36 грн
11+93.02 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3207ZPBF IRFB3207ZPBF Infineon Technologies infineon-irfs3207zpbf-datasheet-en.pdf description Description: MOSFET N-CH 75V 120A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6920 pF @ 50 V
на замовлення 4497 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+278.67 грн
10+175.81 грн
50+135.96 грн
100+115.55 грн
500+94.46 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3207ZPBF IRFB3207ZPBF Infineon Technologies infineon_irfs3207z_datasheet_en.pdf description MOSFETs MOSFT 75V 170A 4.1mOhm 120nC Qg
на замовлення 517 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
2+297.96 грн
10+148.97 грн
100+117.76 грн
500+96.42 грн
1000+94.21 грн
2000+91.26 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3207ZPBF IRFB3207ZPBF Infineon Technologies infineonirfs3207zdatasheetv0101en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 75V 170A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+319.93 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3207ZPBF IRFB3207ZPBF INFINEON INFN-S-A0012838143-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: INFINEON - IRFB3207ZPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 170 A, 4100 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 170A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 300W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4100µohm
на замовлення 174 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3207ZPBF description infineonirfs3207zdatasheetv0101en.pdf
IRFB3207ZPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 170A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 842 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+118.90 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3207ZPBF description infineonirfs3207zdatasheetv0101en.pdf
IRFB3207ZPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 170A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 842 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
122+118.90 грн
Мінімальне замовлення: 122 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3207ZPBF description infineonirfs3207zdatasheetv0101en.pdf
IRFB3207ZPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 170A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+121.09 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3207ZPBF description infineonirfs3207zdatasheetv0101en.pdf
IRFB3207ZPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 170A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+121.09 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3207ZPBF description infineonirfs3207zdatasheetv0101en.pdf
IRFB3207ZPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 170A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
111+131.70 грн
Мінімальне замовлення: 111 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3207ZPBF description infineonirfs3207zdatasheetv0101en.pdf
IRFB3207ZPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 170A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 956 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
242+149.73 грн
500+142.48 грн
Мінімальне замовлення: 242 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3207ZPBF description infineonirfs3207zdatasheetv0101en.pdf
IRFB3207ZPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 170A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
242+149.73 грн
500+142.48 грн
1000+134.03 грн
Мінімальне замовлення: 242 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3207ZPBF description infineonirfs3207zdatasheetv0101en.pdf
IRFB3207ZPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 170A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2022 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
242+149.73 грн
500+142.48 грн
1000+134.03 грн
Мінімальне замовлення: 242 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3207ZPBF description irfs3207zpbf.pdf
IRFB3207ZPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 120A; 300W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 120A
Power dissipation: 300W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.1mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 16 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+172.76 грн
10+140.36 грн
11+93.02 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3207ZPBF description infineon-irfs3207zpbf-datasheet-en.pdf
IRFB3207ZPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 75V 120A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6920 pF @ 50 V
на замовлення 4497 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+278.67 грн
10+175.81 грн
50+135.96 грн
100+115.55 грн
500+94.46 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3207ZPBF description infineon_irfs3207z_datasheet_en.pdf
IRFB3207ZPBF
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 75V 170A 4.1mOhm 120nC Qg
на замовлення 517 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+297.96 грн
10+148.97 грн
100+117.76 грн
500+96.42 грн
1000+94.21 грн
2000+91.26 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3207ZPBF description infineonirfs3207zdatasheetv0101en.pdf
IRFB3207ZPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 170A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+319.93 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3207ZPBF description INFN-S-A0012838143-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFB3207ZPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFB3207ZPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 170 A, 4100 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 170A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 300W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4100µohm
на замовлення 174 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.