Технічний опис IRFB3207ZPBF
- MOSFET, N, 75V, TO-220AB
- Transistor Polarity:N
- Max Current Id:120A
- Max Voltage Vds:75V
- On State Resistance:0.0041ohm
- Rds Measurement Voltage:10V
- Max Voltage Vgs:20V
- Power Dissipation:300mW
- Operating Temperature Range:-55`C to +175`C
- Transistor Case Style:TO-220AB
- No. of Pins:3
- Base Number:3207
- Case Style:TO-220AB
- Cont Current Id:170A
- Max Voltage Vgs th:4V
- Min Voltage Vgs th:2V
- N-channel Gate Charge:120nC
- Power Dissipation Pd:300W
- Pulse Current Idm:670A
- Termination Type:Through Hole
- Transistor Type:MOSFET
- Typ Voltage Vds:75V
- Typ Voltage Vgs th:4V
- Voltage Vgs Rds on Measurement:10V
Інші пропозиції IRFB3207ZPBF за ціною від 74.36 грн до 255.72 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IRFB3207ZPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 75V 170A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 276 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRFB3207ZPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 75V 170A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 276 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRFB3207ZPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 75V 170A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRFB3207ZPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 75V 170A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRFB3207ZPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 75V 170A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRFB3207ZPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 75V 170A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 960 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRFB3207ZPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 75V 170A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 956 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRFB3207ZPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 75V 170A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRFB3207ZPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 120A; 300W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 75V Drain current: 120A Power dissipation: 300W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 4.1mΩ Mounting: THT Gate charge: 0.12µC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
на замовлення 71 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRFB3207ZPBF | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 75V 120A TO220ABPackaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 75A, 10V Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6920 pF @ 50 V |
на замовлення 4980 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRFB3207ZPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRFB3207ZPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 170 A, 4100 µohm, TO-220AB, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 75V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 170A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 300W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4100µohm |
на замовлення 219 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
IRFB3207ZPBF | Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFT 75V 170A 4.1mOhm 120nC Qg |
на замовлення 597 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRFB3207ZPBF | International Rectifier HiRel Products |
Trans MOSFET N-CH Si 75V 170A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 4957 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| IRFB3207ZPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 170A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 75V 170A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 276 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 9+ | 91.79 грн |
| IRFB3207ZPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 170A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 75V 170A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 276 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 155+ | 91.79 грн |
| IRFB3207ZPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 170A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 75V 170A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1000+ | 121.86 грн |
| 2000+ | 120.69 грн |
| IRFB3207ZPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 170A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 75V 170A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1000+ | 121.86 грн |
| 2000+ | 120.69 грн |
| IRFB3207ZPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 170A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 75V 170A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 93+ | 152.80 грн |
| 94+ | 151.28 грн |
| 101+ | 140.22 грн |
| 500+ | 114.87 грн |
| 1000+ | 105.29 грн |
| IRFB3207ZPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 170A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 75V 170A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 194+ | 182.69 грн |
| 500+ | 165.01 грн |
| IRFB3207ZPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 170A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 75V 170A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 956 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 194+ | 182.69 грн |
| 500+ | 165.01 грн |
| IRFB3207ZPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 170A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 75V 170A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 184.06 грн |
| 100+ | 166.47 грн |
| 500+ | 135.65 грн |
| 1000+ | 121.25 грн |
| IRFB3207ZPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 120A; 300W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 120A
Power dissipation: 300W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.1mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 120A; 300W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 120A
Power dissipation: 300W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.1mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 71 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 196.44 грн |
| 10+ | 167.48 грн |
| 20+ | 150.90 грн |
| 50+ | 108.61 грн |
| IRFB3207ZPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 75V 120A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6920 pF @ 50 V
Description: MOSFET N-CH 75V 120A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6920 pF @ 50 V
на замовлення 4980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 255.72 грн |
| 50+ | 124.20 грн |
| 100+ | 112.33 грн |
| 500+ | 85.90 грн |
| 1000+ | 79.63 грн |
| 2000+ | 74.36 грн |
| IRFB3207ZPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFB3207ZPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 170 A, 4100 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 170A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 300W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4100µohm
Description: INFINEON - IRFB3207ZPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 170 A, 4100 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 170A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 300W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4100µohm
на замовлення 219 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IRFB3207ZPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 75V 170A 4.1mOhm 120nC Qg
MOSFETs MOSFT 75V 170A 4.1mOhm 120nC Qg
на замовлення 597 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| IRFB3207ZPBF |
![]() |
Виробник: International Rectifier HiRel Products
Trans MOSFET N-CH Si 75V 170A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 75V 170A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 4957 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 194+ | 182.69 грн |
| 500+ | 165.01 грн |
| 1000+ | 152.04 грн |








