Технічний опис IRFB3207ZPBF
- MOSFET, N, 75V, TO-220AB
- Transistor Polarity:N
- Max Current Id:120A
- Max Voltage Vds:75V
- On State Resistance:0.0041ohm
- Rds Measurement Voltage:10V
- Max Voltage Vgs:20V
- Power Dissipation:300mW
- Operating Temperature Range:-55`C to +175`C
- Transistor Case Style:TO-220AB
- No. of Pins:3
- Base Number:3207
- Case Style:TO-220AB
- Cont Current Id:170A
- Max Voltage Vgs th:4V
- Min Voltage Vgs th:2V
- N-channel Gate Charge:120nC
- Power Dissipation Pd:300W
- Pulse Current Idm:670A
- Termination Type:Through Hole
- Transistor Type:MOSFET
- Typ Voltage Vds:75V
- Typ Voltage Vgs th:4V
- Voltage Vgs Rds on Measurement:10V
Інші пропозиції IRFB3207ZPBF за ціною від 73.31 грн до 264.10 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRFB3207ZPBF | Виробник : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH Si 75V 170A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 276 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IRFB3207ZPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 75V 170A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 276 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IRFB3207ZPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 75V 170A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 566 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IRFB3207ZPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 75V 170A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IRFB3207ZPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 75V 170A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IRFB3207ZPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 120A; 300W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 75V Drain current: 120A Power dissipation: 300W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 4.1mΩ Mounting: THT Gate charge: 0.12µC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
на замовлення 111 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IRFB3207ZPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 75V 170A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 960 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IRFB3207ZPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 75V 170A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 956 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IRFB3207ZPBF | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFT 75V 170A 4.1mOhm 120nC Qg |
на замовлення 4245 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IRFB3207ZPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 75V 120A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 75A, 10V Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6920 pF @ 50 V |
на замовлення 4997 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IRFB3207ZPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRFB3207ZPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 170 A, 4100 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 75V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 170A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 300W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4100µohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 251 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IRFB3207ZPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 75V 170A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 566 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||
| IRFB3207ZPBF | Виробник : International Rectifier HiRel Products |
Trans MOSFET N-CH Si 75V 170A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 4957 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| IRFB3207ZPBF | Виробник : Infineon |
Trans MOSFET N-CH Si 75V 170A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
товару немає в наявності |