Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IRFB3256PBF
IRFB3256PBF

IRFB3256PBF Infineon Technologies

IRSDS13224-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 75A TO220AB
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 195 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6600 pF @ 48 V
на замовлення 1449 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
189+116.71 грн
Мінімальне замовлення: 189
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRFB3256PBF Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 60V 75A TO220AB, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 75A, 10V, Power Dissipation (Max): 300W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA, Supplier Device Package: TO-220AB, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 195 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6600 pF @ 48 V.

Інші пропозиції IRFB3256PBF за ціною від 125.07 грн до 281.52 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRFB3256PBF IRFB3256PBF Виробник : Infineon Technologies Infineon_IRFB3256_DataSheet_v01_01_EN-1732504.pdf MOSFET MOSFET, 60V, 210A, 3 130 nC Qg, TO-220AB
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+281.52 грн
10+249.58 грн
100+178.04 грн
500+151.55 грн
1000+132.42 грн
2000+125.07 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3256PBF IRFB3256PBF Виробник : ROCHESTER ELECTRONICS IRSDS13224-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IRFB3256PBF - IRFB3256 12V-300V N-CHANNEL POWER MOSFET
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsCompliant: YES
productTraceability: No
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3256PBF IRFB3256PBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfb3256-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 206A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3256PBF IRFB3256PBF Виробник : Infineon Technologies IRSDS13224-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET N-CH 60V 75A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 195 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6600 pF @ 48 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.