IRFB3306GPBF Infineon Technologies
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 194.27 грн |
| 10+ | 124.19 грн |
| 100+ | 77.34 грн |
| 500+ | 61.73 грн |
| 1000+ | 51.98 грн |
| 10000+ | 50.65 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRFB3306GPBF Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 120A TO220AB, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 75A, 10V, Power Dissipation (Max): 230W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA, Supplier Device Package: TO-220AB, Part Status: Not For New Designs, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4520 pF @ 50 V.
Інші пропозиції IRFB3306GPBF
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| IRFB3306GPBF | Виробник : Infineon |
 |
на замовлення 23000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
 |
IRFB3306GPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 60V 120A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 75A, 10V Power Dissipation (Max): 230W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4520 pF @ 50 V |
товару немає в наявності |