Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IRFB3307PBF
IRFB3307PBF

IRFB3307PBF Infineon Technologies

irfs3307pbf.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 75V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
176+80.68 грн
Мінімальне замовлення: 176 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRFB3307PBF Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 75V 130A TO220AB, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3mOhm @ 75A, 10V, Power Dissipation (Max): 200W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA, Supplier Device Package: TO-220AB, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5150 pF @ 50 V.

Інші пропозиції IRFB3307PBF за ціною від 56.74 грн до 232.33 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
IRFB3307PBF IRFB3307PBF Infineon Technologies irfs3307pbf.pdf Trans MOSFET N-CH 75V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 14900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
115+123.72 грн
Мінімальне замовлення: 115 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3307PBF IRFB3307PBF INFINEON TECHNOLOGIES irfs3307.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 130A; 250W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 130A
Power dissipation: 250W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1268 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+152.71 грн
10+115.38 грн
20+97.57 грн
50+79.75 грн
100+74.66 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3307PBF IRFB3307PBF Infineon Technologies irfs3307pbf.pdf MOSFETs MOSFT 75V 120A 6.3mOhm 120nC
на замовлення 1164 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+207.22 грн
10+106.99 грн
100+68.51 грн
500+58.78 грн
1000+56.74 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3307PBF IRFB3307PBF Infineon Technologies irfs3307pbf.pdf Trans MOSFET N-CH 75V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 14900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+231.77 грн
10+151.14 грн
100+110.54 грн
500+93.97 грн
1000+71.11 грн
2000+65.15 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3307PBF IRFB3307PBF Infineon Technologies irfs3307pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563689292169 Description: MOSFET N-CH 75V 130A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5150 pF @ 50 V
на замовлення 786 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+232.33 грн
10+144.54 грн
100+99.35 грн
500+75.10 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3307PBF irfs3307pbf.pdf
IRFB3307PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 75V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 14900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
115+123.72 грн
Мінімальне замовлення: 115 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3307PBF irfs3307.pdf
IRFB3307PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 130A; 250W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 130A
Power dissipation: 250W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1268 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна
3+152.71 грн
10+115.38 грн
20+97.57 грн
50+79.75 грн
100+74.66 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3307PBF irfs3307pbf.pdf
IRFB3307PBF
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 75V 120A 6.3mOhm 120nC
на замовлення 1164 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
2+207.22 грн
10+106.99 грн
100+68.51 грн
500+58.78 грн
1000+56.74 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3307PBF irfs3307pbf.pdf
IRFB3307PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 75V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 14900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
4+231.77 грн
10+151.14 грн
100+110.54 грн
500+93.97 грн
1000+71.11 грн
2000+65.15 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3307PBF irfs3307pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563689292169
IRFB3307PBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 75V 130A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5150 pF @ 50 V
на замовлення 786 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+232.33 грн
10+144.54 грн
100+99.35 грн
500+75.10 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.