Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IRFB3307PBF
IRFB3307PBF

IRFB3307PBF Infineon Technologies

infineon-irfs3307-datasheet-v01_01-en.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 75V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+60.96 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRFB3307PBF Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 75V 130A TO220AB, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3mOhm @ 75A, 10V, Power Dissipation (Max): 200W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA, Supplier Device Package: TO-220AB, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5150 pF @ 50 V.

Інші пропозиції IRFB3307PBF за ціною від 54.67 грн до 196.45 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRFB3307PBF IRFB3307PBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfs3307-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 75V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 29391 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
273+111.03 грн
500+99.93 грн
1000+92.16 грн
10000+79.23 грн
Мінімальне замовлення: 273
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3307PBF IRFB3307PBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E5921B6D4F1A6F5005056AB5A8F&compId=irfs3307.pdf?ci_sign=9ae472c6c10abe8d437b7f6a48b6c6d21a14915d Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 130A; 250W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 130A
Power dissipation: 250W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
на замовлення 108 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+163.71 грн
4+128.39 грн
10+106.33 грн
12+77.19 грн
33+73.25 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3307PBF IRFB3307PBF Виробник : Infineon Technologies irfs3307pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563689292169 Description: MOSFET N-CH 75V 130A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5150 pF @ 50 V
на замовлення 128 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+182.40 грн
10+112.32 грн
100+79.12 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3307PBF IRFB3307PBF Виробник : Infineon Technologies Infineon_IRFS3307_DataSheet_v01_01_EN-1732718.pdf MOSFETs MOSFT 75V 120A 6.3mOhm 120nC
на замовлення 614 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+184.37 грн
10+116.52 грн
100+76.37 грн
500+74.10 грн
1000+56.94 грн
2000+54.67 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3307PBF IRFB3307PBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfs3307-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 75V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
65+188.96 грн
101+120.32 грн
103+117.90 грн
500+85.65 грн
1000+76.43 грн
Мінімальне замовлення: 65
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3307PBF IRFB3307PBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E5921B6D4F1A6F5005056AB5A8F&compId=irfs3307.pdf?ci_sign=9ae472c6c10abe8d437b7f6a48b6c6d21a14915d Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 130A; 250W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 130A
Power dissipation: 250W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 108 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+196.45 грн
3+159.99 грн
10+127.60 грн
12+92.63 грн
33+87.90 грн
250+84.12 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3307PBF Виробник : International Rectifier HiRel Products irfs3307pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563689292169 Trans MOSFET N-CH 75V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
273+111.03 грн
Мінімальне замовлення: 273
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3307PBF IRFB3307PBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfs3307-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 75V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3307PBF IRFB3307PBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfs3307-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 75V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3307PBF IRFB3307PBF Виробник : INFINEON 1572412.pdf Description: INFINEON - IRFB3307PBF - Leistungs-MOSFET, HEXFET®, n-Kanal, 75 V, 120 A, 0.005 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75
Dauer-Drainstrom Id: 120
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 200
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.005
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 4
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.