IRFB3307PBF Infineon Technologies
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 12+ | 51.39 грн |
| 13+ | 49.85 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRFB3307PBF Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 75V 130A TO220AB, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3mOhm @ 75A, 10V, Power Dissipation (Max): 200W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA, Supplier Device Package: TO-220AB, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5150 pF @ 50 V.
Інші пропозиції IRFB3307PBF за ціною від 53.81 грн до 223.70 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
IRFB3307PBF | Виробник : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 75V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IRFB3307PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 75V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IRFB3307PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 75V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 26493 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IRFB3307PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 75V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IRFB3307PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 75V 130A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3mOhm @ 75A, 10V Power Dissipation (Max): 200W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5150 pF @ 50 V |
на замовлення 195 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IRFB3307PBF | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFT 75V 120A 6.3mOhm 120nC |
на замовлення 790 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
| IRFB3307PBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
IRFB3307PBF THT N channel transistors |
на замовлення 50 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||
|
|
IRFB3307PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 75V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
|
|
IRFB3307PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 75V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
 |
IRFB3307PBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRFB3307PBF - Leistungs-MOSFET, HEXFET®, n-Kanal, 75 V, 120 A, 0.005 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 75 Dauer-Drainstrom Id: 120 Rds(on)-Messspannung Vgs: 10 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 200 Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.005 Betriebstemperatur, max.: 175 Schwellenspannung Vgs: 4 SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) |
товару немає в наявності |