IRFB3307PBF Infineon Technologies


irfs3307pbf.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 75V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 29391 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
215+166.11 грн
500+149.50 грн
1000+137.63 грн
10000+118.99 грн
Мінімальне замовлення: 215 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 215 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRFB3307PBF Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 75V 130A TO220AB, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3mOhm @ 75A, 10V, Power Dissipation (Max): 200W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA, Supplier Device Package: TO-220AB, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5150 pF @ 50 V.

Інші пропозиції IRFB3307PBF за ціною від 72.62 грн до 341.50 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IRFB3307PBF IRFB3307PBF INFINEON TECHNOLOGIES irfs3307.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 130A; 250W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 130A
Power dissipation: 250W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
на замовлення 1250 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+177.44 грн
10+142.77 грн
12+79.23 грн
33+75.10 грн
500+74.28 грн
1000+72.62 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3307PBF IRFB3307PBF Infineon Technologies infineon-irfb3307-datasheet-en.pdf Description: MOSFET N-CH 75V 130A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5150 pF @ 50 V
на замовлення 751 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+236.80 грн
10+148.70 грн
50+114.34 грн
100+96.92 грн
500+78.71 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3307PBF IRFB3307PBF Infineon Technologies irfs3307pbf.pdf Trans MOSFET N-CH 75V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
58+246.30 грн
Мінімальне замовлення: 58 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3307PBF IRFB3307PBF Infineon Technologies infineon_irfb3307_datasheet_en.pdf MOSFETs MOSFT 75V 120A 6.3mOhm 120nC
на замовлення 1096 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
2+256.82 грн
10+126.99 грн
100+100.19 грн
500+81.18 грн
1000+74.60 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3307PBF IRFB3307PBF Infineon Technologies irfs3307pbf.pdf Trans MOSFET N-CH 75V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 3899 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
53+271.73 грн
Мінімальне замовлення: 53 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3307PBF IRFB3307PBF Infineon Technologies irfs3307pbf.pdf Trans MOSFET N-CH 75V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 3900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+272.52 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3307PBF IRFB3307PBF Infineon Technologies irfs3307pbf.pdf Trans MOSFET N-CH 75V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 3899 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
53+272.89 грн
Мінімальне замовлення: 53 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3307PBF IRFB3307PBF Infineon Technologies irfs3307pbf.pdf Trans MOSFET N-CH 75V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+341.50 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3307PBF International Rectifier HiRel Products infineon-irfb3307-datasheet-en.pdf Trans MOSFET N-CH 75V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
215+166.11 грн
Мінімальне замовлення: 215 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3307PBF irfs3307.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 130A; 250W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 130A
Power dissipation: 250W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
на замовлення 1250 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+177.44 грн
10+142.77 грн
12+79.23 грн
33+75.10 грн
500+74.28 грн
1000+72.62 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3307PBF infineon-irfb3307-datasheet-en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 75V 130A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5150 pF @ 50 V
на замовлення 751 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+236.80 грн
10+148.70 грн
50+114.34 грн
100+96.92 грн
500+78.71 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3307PBF irfs3307pbf.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 75V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
58+246.30 грн
Мінімальне замовлення: 58 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3307PBF infineon_irfb3307_datasheet_en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 75V 120A 6.3mOhm 120nC
на замовлення 1096 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+256.82 грн
10+126.99 грн
100+100.19 грн
500+81.18 грн
1000+74.60 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3307PBF irfs3307pbf.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 75V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 3899 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
53+271.73 грн
Мінімальне замовлення: 53 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3307PBF irfs3307pbf.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 75V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 3900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+272.52 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3307PBF irfs3307pbf.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 75V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 3899 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
53+272.89 грн
Мінімальне замовлення: 53 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3307PBF irfs3307pbf.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 75V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+341.50 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3307PBF infineon-irfb3307-datasheet-en.pdf
Виробник: International Rectifier HiRel Products
Trans MOSFET N-CH 75V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
215+166.11 грн
Мінімальне замовлення: 215 шт
В кошику  од. на суму  грн.