Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IRFB3307PBF
IRFB3307PBF

IRFB3307PBF Infineon Technologies

irfs3307pbf.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 75V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
176+79.61 грн
Мінімальне замовлення: 176
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRFB3307PBF Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 75V 130A TO220AB, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3mOhm @ 75A, 10V, Power Dissipation (Max): 200W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA, Supplier Device Package: TO-220AB, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5150 pF @ 50 V.

Інші пропозиції IRFB3307PBF за ціною від 54.93 грн до 228.68 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRFB3307PBF IRFB3307PBF Виробник : Infineon Technologies irfs3307pbf.pdf Trans MOSFET N-CH 75V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 14900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
115+122.06 грн
Мінімальне замовлення: 115
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3307PBF IRFB3307PBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES irfs3307.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 130A; 250W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 130A
Power dissipation: 250W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1270 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+142.30 грн
10+117.19 грн
20+101.28 грн
50+83.71 грн
100+73.66 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3307PBF IRFB3307PBF Виробник : Infineon Technologies irfs3307pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563689292169 Description: MOSFET N-CH 75V 130A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5150 pF @ 50 V
на замовлення 1049 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+184.63 грн
10+114.66 грн
100+78.77 грн
500+59.55 грн
1000+54.93 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3307PBF IRFB3307PBF Виробник : Infineon Technologies irfs3307pbf.pdf MOSFETs MOSFT 75V 120A 6.3mOhm 120nC
на замовлення 1178 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+204.45 грн
10+103.96 грн
100+66.97 грн
500+58.00 грн
1000+55.28 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3307PBF IRFB3307PBF Виробник : Infineon Technologies irfs3307pbf.pdf Trans MOSFET N-CH 75V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 14900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+228.68 грн
10+149.12 грн
100+109.06 грн
500+92.71 грн
1000+70.16 грн
2000+64.28 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3307PBF IRFB3307PBF Виробник : Infineon Technologies irfs3307pbf.pdf Trans MOSFET N-CH 75V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3307PBF IRFB3307PBF Виробник : Infineon Technologies irfs3307pbf.pdf Trans MOSFET N-CH 75V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3307PBF IRFB3307PBF Виробник : INFINEON 1572412.pdf Description: INFINEON - IRFB3307PBF - Leistungs-MOSFET, HEXFET®, n-Kanal, 75 V, 120 A, 0.005 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75
Dauer-Drainstrom Id: 120
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 200
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.005
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 4
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3307PBF Виробник : Infineon irfs3307pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563689292169 MOSFET N-CH 75V 120A TO-220-3 Група товару: Транзистори Од. вим: шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.