IRFB3307PBF

IRFB3307PBF INFINEON TECHNOLOGIES


irfs3307.pdf Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 130A; 250W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 130A
Power dissipation: 250W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
на замовлення 1270 шт:

термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+143.65 грн
10+118.30 грн
20+102.24 грн
50+84.50 грн
100+74.36 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRFB3307PBF INFINEON TECHNOLOGIES

Description: MOSFET N-CH 75V 130A TO220AB, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3mOhm @ 75A, 10V, Power Dissipation (Max): 200W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA, Supplier Device Package: TO-220AB, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5150 pF @ 50 V.

Інші пропозиції IRFB3307PBF за ціною від 55.45 грн до 229.02 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRFB3307PBF IRFB3307PBF Виробник : Infineon Technologies irfs3307pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563689292169 Description: MOSFET N-CH 75V 130A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5150 pF @ 50 V
на замовлення 1049 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+186.38 грн
10+115.75 грн
100+79.52 грн
500+60.11 грн
1000+55.45 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3307PBF IRFB3307PBF Виробник : Infineon Technologies irfs3307pbf.pdf MOSFETs MOSFT 75V 120A 6.3mOhm 120nC
на замовлення 1178 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+186.73 грн
10+119.48 грн
100+77.22 грн
500+56.93 грн
1000+56.16 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3307PBF IRFB3307PBF Виробник : Infineon Technologies irfs3307pbf.pdf Trans MOSFET N-CH 75V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
61+213.70 грн
94+139.36 грн
128+102.05 грн
500+92.08 грн
1000+69.21 грн
Мінімальне замовлення: 61
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3307PBF IRFB3307PBF Виробник : Infineon Technologies irfs3307pbf.pdf Trans MOSFET N-CH 75V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
57+228.71 грн
88+148.14 грн
100+145.54 грн
500+131.15 грн
1000+107.52 грн
Мінімальне замовлення: 57
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3307PBF IRFB3307PBF Виробник : Infineon Technologies irfs3307pbf.pdf Trans MOSFET N-CH 75V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+229.02 грн
10+149.35 грн
100+109.37 грн
500+98.67 грн
1000+74.17 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3307PBF IRFB3307PBF Виробник : Infineon Technologies irfs3307pbf.pdf Trans MOSFET N-CH 75V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3307PBF IRFB3307PBF Виробник : Infineon Technologies irfs3307pbf.pdf Trans MOSFET N-CH 75V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3307PBF IRFB3307PBF Виробник : INFINEON 1572412.pdf Description: INFINEON - IRFB3307PBF - Leistungs-MOSFET, HEXFET®, n-Kanal, 75 V, 120 A, 0.005 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75
Dauer-Drainstrom Id: 120
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 200
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.005
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 4
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.