IRFB33N15DPBF

IRFB33N15DPBF Infineon Technologies


Infineon_IRFS33N15D_DataSheet_v01_01_EN-1228475.pdf Виробник: Infineon Technologies
MOSFET 150V 1 N-CH HEXFET 56mOhms 60nC
на замовлення 65 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+156.22 грн
10+ 138.06 грн
100+ 96.96 грн
500+ 79.15 грн
1000+ 65.7 грн
Мінімальне замовлення: 2
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRFB33N15DPBF Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 150V 33A TO220AB, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 20A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 170W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220AB, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2020 pF @ 25 V.

Інші пропозиції IRFB33N15DPBF

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IRFB33N15DPBF IRFB33N15DPBF
Код товару: 49500
INFN-S-A0001221485-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
IRFB33N15DPBF IRFB33N15DPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfs33n15d-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товар відсутній
IRFB33N15DPBF IRFB33N15DPBF Виробник : INFINEON 140041.pdf Description: INFINEON - IRFB33N15DPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 33 A, 0.056 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150
Dauer-Drainstrom Id: 33
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 170
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.056
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 5.5
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товар відсутній
IRFB33N15DPBF IRFB33N15DPBF Виробник : Infineon Technologies INFN-S-A0001221485-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET N-CH 150V 33A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2020 pF @ 25 V
товар відсутній