IRFB33N15DPBF Infineon Technologies
на замовлення 65 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 180.43 грн |
| 10+ | 159.46 грн |
| 100+ | 111.99 грн |
| 500+ | 91.42 грн |
| 1000+ | 75.88 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRFB33N15DPBF Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 150V 33A TO220AB, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 20A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 170W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220AB, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2020 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IRFB33N15DPBF
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
IRFB33N15DPBF Код товару: 49500
Додати до обраних
Обраний товар
|
 Транзистори > Польові N-канальні |
товару немає в наявності
|
||
 |
IRFB33N15DPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 150V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
товару немає в наявності |
|
 |
IRFB33N15DPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRFB33N15DPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 33 A, 0.056 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150 Dauer-Drainstrom Id: 33 Rds(on)-Messspannung Vgs: 10 Verlustleistung Pd: 170 Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.056 Betriebstemperatur, max.: 175 Schwellenspannung Vgs: 5.5 SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
товару немає в наявності |
|
 |
IRFB33N15DPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 150V 33A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 170W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2020 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |