на замовлення 837 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 135.17 грн |
| 10+ | 106.77 грн |
| 100+ | 79.80 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRFB3407ZPBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRFB3407ZPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 120 A, 6400 µohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 75V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 120A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 230W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6400µohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції IRFB3407ZPBF за ціною від 81.89 грн до 226.38 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRFB3407ZPBF | Виробник : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH Si 75V 122A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 1304 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IRFB3407ZPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 75V 122A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 964 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IRFB3407ZPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 75V 122A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IRFB3407ZPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRFB3407ZPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 120 A, 6400 µohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 75V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 120A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 230W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6400µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 1558 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
| IRFB3407ZPBF | Виробник : Infineon |
|
на замовлення 22000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||
 |
IRFB3407ZPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 75V 122A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
 |
IRFB3407ZPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 75V 120A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.4mOhm @ 75A, 10V Power Dissipation (Max): 230W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4750 pF @ 50 V |
товару немає в наявності |