Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IRFB3407ZPBF
IRFB3407ZPBF

IRFB3407ZPBF Infineon Technologies

infineonirfb3407zdatasheetv0101en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 122A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1304 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
207+169.76 грн
500+153.37 грн
1000+140.49 грн
Мінімальне замовлення: 207 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRFB3407ZPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRFB3407ZPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 120 A, 6400 µohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 75V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 120A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 230W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6400µohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції IRFB3407ZPBF за ціною від 153.37 грн до 207.93 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IRFB3407ZPBF IRFB3407ZPBF Infineon Technologies infineonirfb3407zdatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 75V 122A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 964 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
207+169.76 грн
500+153.37 грн
Мінімальне замовлення: 207 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3407ZPBF IRFB3407ZPBF Infineon Technologies infineonirfb3407zdatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 75V 122A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
68+207.93 грн
Мінімальне замовлення: 68 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3407ZPBF IRFB3407ZPBF INFINEON IRSDS13498-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFB3407ZPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 120 A, 6400 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 230W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6400µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1558 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3407ZPBF IRFB3407ZPBF Infineon Technologies Infineon_IRFB3407Z_DataSheet_v01_01_EN-3362989.pdf MOSFETs N
на замовлення 837 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3407ZPBF Infineon irfb3407zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561577b81dff
на замовлення 22000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3407ZPBF infineonirfb3407zdatasheetv0101en.pdf
IRFB3407ZPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 122A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 964 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
207+169.76 грн
500+153.37 грн
Мінімальне замовлення: 207 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3407ZPBF infineonirfb3407zdatasheetv0101en.pdf
IRFB3407ZPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 122A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
68+207.93 грн
Мінімальне замовлення: 68 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3407ZPBF IRSDS13498-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFB3407ZPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFB3407ZPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 120 A, 6400 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 230W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6400µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1558 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3407ZPBF Infineon_IRFB3407Z_DataSheet_v01_01_EN-3362989.pdf
IRFB3407ZPBF
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs N
на замовлення 837 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3407ZPBF irfb3407zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561577b81dff
Виробник: Infineon
на замовлення 22000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.