IRFB3407ZPBF Infineon Technologies


Infineon_IRFB3407Z_DataSheet_v01_01_EN-3362989.pdf
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs N
на замовлення 837 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+114.92 грн
10+90.77 грн
100+67.84 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 31-40 дні (днів)
Мінімальна партія: 3 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRFB3407ZPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRFB3407ZPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 120 A, 6400 µohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 75V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 120A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, Verlustleistung: 230W, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025), Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6400µohm.

Інші пропозиції IRFB3407ZPBF за ціною від 92.25 грн до 172.42 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IRFB3407ZPBF IRFB3407ZPBF Infineon Technologies infineonirfb3407zdatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 75V 122A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+172.32 грн
10+140.11 грн
25+126.54 грн
100+113.26 грн
500+100.16 грн
1000+92.25 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3407ZPBF IRFB3407ZPBF Infineon Technologies infineonirfb3407zdatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 75V 122A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
83+172.32 грн
102+140.11 грн
113+126.54 грн
122+113.26 грн
500+100.16 грн
1000+92.25 грн
Мінімальне замовлення: 83 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3407ZPBF IRFB3407ZPBF Infineon Technologies infineonirfb3407zdatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 75V 122A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 964 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
207+172.42 грн
500+155.78 грн
Мінімальне замовлення: 207 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3407ZPBF IRFB3407ZPBF Infineon Technologies infineonirfb3407zdatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 75V 122A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1334 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
207+172.42 грн
500+155.78 грн
1000+142.70 грн
Мінімальне замовлення: 207 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3407ZPBF IRFB3407ZPBF INFINEON IRSDS13498-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFB3407ZPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 120 A, 6400 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 230W
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6400µohm
на замовлення 1542 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3407ZPBF infineonirfb3407zdatasheetv0101en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 122A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+172.32 грн
10+140.11 грн
25+126.54 грн
100+113.26 грн
500+100.16 грн
1000+92.25 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3407ZPBF infineonirfb3407zdatasheetv0101en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 122A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
83+172.32 грн
102+140.11 грн
113+126.54 грн
122+113.26 грн
500+100.16 грн
1000+92.25 грн
Мінімальне замовлення: 83 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3407ZPBF infineonirfb3407zdatasheetv0101en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 122A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 964 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
207+172.42 грн
500+155.78 грн
Мінімальне замовлення: 207 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3407ZPBF infineonirfb3407zdatasheetv0101en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 122A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1334 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
207+172.42 грн
500+155.78 грн
1000+142.70 грн
Мінімальне замовлення: 207 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3407ZPBF IRSDS13498-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFB3407ZPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 120 A, 6400 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 230W
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6400µohm
на замовлення 1542 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.