IRFB3607PBF Infineon Technologies
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 12+ | 27.43 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRFB3607PBF Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 75V 80A TO220AB, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 46A, 10V, Power Dissipation (Max): 140W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA, Supplier Device Package: TO-220AB, Part Status: Not For New Designs, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3070 pF @ 50 V.
Інші пропозиції IRFB3607PBF за ціною від 25.51 грн до 96.82 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRFB3607PBF | Виробник : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 75V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 15400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
IRFB3607PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 75V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
IRFB3607PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 75V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 1800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
IRFB3607PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 75V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
IRFB3607PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 75V 80A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 46A, 10V Power Dissipation (Max): 140W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3070 pF @ 50 V |
на замовлення 3683 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
IRFB3607PBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 80A; 140W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 75V Drain current: 80A Power dissipation: 140W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 9mΩ Mounting: THT Gate charge: 56nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
на замовлення 418 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
IRFB3607PBF | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFET MOSFT 75V 80A 9.0mOhm 56nC Qg |
на замовлення 1949 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
IRFB3607PBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRFB3607PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 80 A, 0.00734 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 75V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 80A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 140W Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Knipex - Diagonal Side Cutters productTraceability: Yes-Date/Lot Code Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00734ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 556 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
IRFB3607PBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 80A; 140W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 75V Drain current: 80A Power dissipation: 140W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 9mΩ Mounting: THT Gate charge: 56nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 418 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
IRFB3607PBF Код товару: 62331 |
Виробник : IR |
Транзистори > Польові N-канальні Корпус: TO-220AB Uds,V: 75 V Idd,A: 80 A Rds(on), Ohm: 0,073 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 3070/56 Монтаж: THT |
товар відсутній
|