Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IRFB3607PBFXKMA1

IRFB3607PBFXKMA1 Infineon Technologies

Infineon_IRFS3607_DataSheet_v01_01_EN.pdf
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs IR FET >60-400V
на замовлення 4511 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+170.28 грн
10+106.42 грн
100+62.37 грн
500+50.56 грн
1000+45.29 грн
2000+42.36 грн
5000+40.18 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 31-40 дні (днів)
Мінімальна партія: 2 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRFB3607PBFXKMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRFB3607PBFXKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 80 A, 0.009 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 75V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 80A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: TBA, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, Verlustleistung: 140W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: HEXFET Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.009ohm.

Інші пропозиції IRFB3607PBFXKMA1 за ціною від 46.04 грн до 174.94 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IRFB3607PBFXKMA1 Infineon Technologies infineon-irfs3607-datasheet-v01_01-en.pdf HEXFET Power MOSFET
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+174.94 грн
10+111.73 грн
100+74.37 грн
500+59.06 грн
1000+46.04 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3607PBFXKMA1 INFINEON infineon-irfs3607-datasheet-en.pdf Description: INFINEON - IRFB3607PBFXKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 80 A, 0.009 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 140W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.009ohm
на замовлення 1888 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3607PBFXKMA1 infineon-irfs3607-datasheet-v01_01-en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
HEXFET Power MOSFET
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+174.94 грн
10+111.73 грн
100+74.37 грн
500+59.06 грн
1000+46.04 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3607PBFXKMA1 infineon-irfs3607-datasheet-en.pdf
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFB3607PBFXKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 80 A, 0.009 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 140W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.009ohm
на замовлення 1888 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.