Технічний опис IRFB38N20DPBF
- MOSFET, N, 200V, 44A, TO-220
- Transistor Polarity:N
- Max Voltage Vds:200V
- On State Resistance:0.054ohm
- Power Dissipation:320W
- Transistor Case Style:TO-220AB
- Case Style:TO-220AB
- Cont Current Id:44A
- Junction to Case Thermal Resistance A:0.47`C/W
- On State resistance @ Vgs = 10V:54ohm
- Power Dissipation Pd:320W
- Pulse Current Idm:180A
- Termination Type:Through Hole
- Transistor Type:MOSFET
- Typ Voltage Vds:200V
- Typ Voltage Vgs th:5V
- Voltage Vgs Rds on Measurement:10V
Інші пропозиції IRFB38N20DPBF за ціною від 69.18 грн до 288.90 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IRFB38N20DPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 200V 43A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRFB38N20DPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 200V 43A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 50872 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRFB38N20DPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 200V 43A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 50879 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRFB38N20DPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 200V 43A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 1724 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRFB38N20DPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 200V 43A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 1100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRFB38N20DPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 200V 43A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 6037 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRFB38N20DPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 200V 43A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 4727 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRFB38N20DPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 200V 43A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 18524 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRFB38N20DPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 44A; 320W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 44A Power dissipation: 320W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 54mΩ Mounting: THT Gate charge: 60nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Technology: HEXFET® |
на замовлення 77 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRFB38N20DPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 200V 43A TO220ABPackaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 26A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 91 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 25 V |
на замовлення 747 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRFB38N20DPBF | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFT 200V 44A 54mOhm 60nC |
на замовлення 1656 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRFB38N20DPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRFB38N20DPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 44 A, 0.054 ohm, TO-220AB, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 44A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 320W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.054ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 403 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRFB38N20DPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 200V 43A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 3732 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRFB38N20DPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 200V 43A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
IRFB38N20DPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 200V 43A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
| IRFB38N20DPBF | Виробник : International Rectifier |
Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||
| IRFB38N20DPBF | Виробник : International Rectifier/Infineon |
N-канальний ПТ, Udss, В = 200, Id = 43 А, Ptot, Вт = 3,8, Тип монт. = вивідний, Ciss, пФ @ Uds, В = 2900 @ 25, Qg, нКл = 91 @ 10 В, Rds = 54 мОм @ 26 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+175, Ugs(th) = 5 В @ 250 мкА,... Група товару: Транзистори Корпус: TO-220AB Окількість в упаковці: 50 шт |
товару немає в наявності |





