Технічний опис IRFB38N20DPBF
- MOSFET, N, 200V, 44A, TO-220
- Transistor Polarity:N
- Max Voltage Vds:200V
- On State Resistance:0.054ohm
- Power Dissipation:320W
- Transistor Case Style:TO-220AB
- Case Style:TO-220AB
- Cont Current Id:44A
- Junction to Case Thermal Resistance A:0.47`C/W
- On State resistance @ Vgs = 10V:54ohm
- Power Dissipation Pd:320W
- Pulse Current Idm:180A
- Termination Type:Through Hole
- Transistor Type:MOSFET
- Typ Voltage Vds:200V
- Typ Voltage Vgs th:5V
- Voltage Vgs Rds on Measurement:10V
Інші пропозиції IRFB38N20DPBF за ціною від 78.06 грн до 290.44 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IRFB38N20DPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 200V 43A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRFB38N20DPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 200V 43A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 50872 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRFB38N20DPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 200V 43A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 50879 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRFB38N20DPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 200V 43A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 1724 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRFB38N20DPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 200V 43A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 1100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRFB38N20DPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 200V 43A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 6037 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRFB38N20DPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 200V 43A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 4727 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRFB38N20DPBF | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 200V 43A TO220ABPackaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 26A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 91 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 25 V |
на замовлення 747 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRFB38N20DPBF | Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFT 200V 44A 54mOhm 60nC |
на замовлення 1656 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRFB38N20DPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRFB38N20DPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 44 A, 0.054 ohm, TO-220AB, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 44A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V Verlustleistung: 320W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.054ohm |
на замовлення 360 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| IRFB38N20DPBF | ![]() |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 200V 43A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH 200V 43A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1000+ | 109.21 грн |
| IRFB38N20DPBF | ![]() |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 200V 43A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH 200V 43A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 50872 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 104+ | 135.74 грн |
| 105+ | 134.73 грн |
| 112+ | 126.06 грн |
| 500+ | 104.43 грн |
| 1000+ | 88.41 грн |
| 2000+ | 84.03 грн |
| IRFB38N20DPBF | ![]() |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 200V 43A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH 200V 43A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 50879 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 135.77 грн |
| 50+ | 134.76 грн |
| 100+ | 126.09 грн |
| 500+ | 104.45 грн |
| 1000+ | 88.43 грн |
| 2000+ | 84.04 грн |
| IRFB38N20DPBF | ![]() |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 200V 43A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH 200V 43A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1724 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 80+ | 176.81 грн |
| 83+ | 170.08 грн |
| 100+ | 164.31 грн |
| 250+ | 153.63 грн |
| 500+ | 138.38 грн |
| 1000+ | 129.60 грн |
| IRFB38N20DPBF | ![]() |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 200V 43A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH 200V 43A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 197+ | 179.93 грн |
| 500+ | 162.29 грн |
| 1000+ | 149.35 грн |
| IRFB38N20DPBF | ![]() |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 200V 43A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH 200V 43A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 6037 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 197+ | 179.93 грн |
| 500+ | 162.29 грн |
| 1000+ | 149.35 грн |
| IRFB38N20DPBF | ![]() |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 200V 43A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH 200V 43A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 4727 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 197+ | 179.93 грн |
| 500+ | 162.29 грн |
| 1000+ | 149.35 грн |
| IRFB38N20DPBF | ![]() |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 200V 43A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 26A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 91 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 200V 43A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 26A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 91 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 25 V
на замовлення 747 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 237.35 грн |
| 50+ | 115.16 грн |
| 100+ | 104.15 грн |
| 500+ | 79.61 грн |
| IRFB38N20DPBF | ![]() |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 200V 44A 54mOhm 60nC
MOSFETs MOSFT 200V 44A 54mOhm 60nC
на замовлення 1656 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 239.58 грн |
| 10+ | 118.89 грн |
| 100+ | 93.53 грн |
| 500+ | 78.76 грн |
| 1000+ | 78.06 грн |
| IRFB38N20DPBF | ![]() |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFB38N20DPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 44 A, 0.054 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 44A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 320W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.054ohm
Description: INFINEON - IRFB38N20DPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 44 A, 0.054 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 44A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 320W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.054ohm
на замовлення 360 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 290.44 грн |
| 10+ | 156.71 грн |
| 100+ | 136.20 грн |







