Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > IRFB4019PBF

IRFB4019PBF

irfb4019pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561587651e03
Код товару: 171727
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRFB4019PBF

  • MOSFET, N, 150V, TO-220AB
  • Transistor Type:MOSFET
  • Transistor Polarity:N
  • Typ Voltage Vds:150V
  • Cont Current Id:17A
  • On State Resistance:0.095ohm
  • Voltage Vgs Rds on Measurement:10V
  • Typ Voltage Vgs th:4.9V
  • Case Style:TO-220AB
  • Termination Type:Through Hole
  • Base Number:4019
  • Max Voltage Vds:150V
  • Max Voltage Vgs th:4.9V
  • Min Voltage Vgs th:3V
  • N-channel Gate Charge:13nC
  • No. of Pins:3
  • Power Dissipation:80mW
  • Power Dissipation Pd:80W
  • Pulse Current Idm:51A
  • Transistor Case Style:TO-220AB

Інші пропозиції IRFB4019PBF за ціною від 40.97 грн до 156.10 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IRFB4019PBF IRFB4019PBF Infineon Technologies infineonirfb4019datasheetv0101en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 150V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+52.27 грн
2000+52.17 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4019PBF IRFB4019PBF Infineon Technologies infineonirfb4019datasheetv0101en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 150V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 3161 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+52.27 грн
2000+52.17 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4019PBF IRFB4019PBF Infineon Technologies infineonirfb4019datasheetv0101en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 150V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 21151 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
200+70.93 грн
225+63.21 грн
500+56.58 грн
1000+49.13 грн
2000+45.03 грн
5000+42.27 грн
Мінімальне замовлення: 200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4019PBF IRFB4019PBF Infineon Technologies infineonirfb4019datasheetv0101en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 150V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
483+73.39 грн
537+66.06 грн
1000+60.91 грн
Мінімальне замовлення: 483 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4019PBF IRFB4019PBF Infineon Technologies infineonirfb4019datasheetv0101en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 150V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
483+73.39 грн
537+66.06 грн
1000+60.91 грн
Мінімальне замовлення: 483 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4019PBF IRFB4019PBF INFINEON TECHNOLOGIES irfb4019pbf.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 17A; 80W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 17A
Power dissipation: 80W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 95mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 13nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 477 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5+108.28 грн
6+79.77 грн
10+67.31 грн
25+52.68 грн
50+44.62 грн
100+43.13 грн
250+40.97 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4019PBF IRFB4019PBF Infineon Technologies infineonirfb4019datasheetv0101en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 150V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1238 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+138.13 грн
11+70.03 грн
100+62.85 грн
500+54.57 грн
1000+45.73 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4019PBF IRFB4019PBF Infineon Technologies infineonirfb4019datasheetv0101en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 150V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1238 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
103+138.13 грн
203+70.03 грн
226+62.85 грн
500+54.57 грн
1000+45.73 грн
Мінімальне замовлення: 103 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4019PBF IRFB4019PBF Infineon Technologies infineonirfb4019datasheetv0101en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 150V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 21160 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+149.32 грн
11+70.70 грн
100+63.01 грн
500+54.38 грн
1000+45.33 грн
2000+43.09 грн
5000+42.14 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4019PBF IRFB4019PBF Infineon Technologies irfb4019pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561587651e03 description Description: MOSFET N-CH 150V 17A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.9V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 50 V
на замовлення 1661 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+156.10 грн
50+72.53 грн
100+64.99 грн
500+48.58 грн
1000+44.59 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4019PBF IRFB4019PBF Infineon Technologies Infineon-IRFB4019-DataSheet-v01_01-EN.pdf description MOSFETs MOSFT 150V 17A 95mOhm 13nC Qg
на замовлення 372 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4019PBF IRFB4019PBF INFINEON INFN-S-A0012837744-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: INFINEON - IRFB4019PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 17 A, 0.095 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.9V
Verlustleistung: 80W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.095ohm
на замовлення 759 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4019PBF description infineonirfb4019datasheetv0101en.pdf
IRFB4019PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 150V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+52.27 грн
2000+52.17 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4019PBF description infineonirfb4019datasheetv0101en.pdf
IRFB4019PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 150V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 3161 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+52.27 грн
2000+52.17 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4019PBF description infineonirfb4019datasheetv0101en.pdf
IRFB4019PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 150V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 21151 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
200+70.93 грн
225+63.21 грн
500+56.58 грн
1000+49.13 грн
2000+45.03 грн
5000+42.27 грн
Мінімальне замовлення: 200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4019PBF description infineonirfb4019datasheetv0101en.pdf
IRFB4019PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 150V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
483+73.39 грн
537+66.06 грн
1000+60.91 грн
Мінімальне замовлення: 483 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4019PBF description infineonirfb4019datasheetv0101en.pdf
IRFB4019PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 150V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
483+73.39 грн
537+66.06 грн
1000+60.91 грн
Мінімальне замовлення: 483 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4019PBF description irfb4019pbf.pdf
IRFB4019PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 17A; 80W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 17A
Power dissipation: 80W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 95mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 13nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 477 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+108.28 грн
6+79.77 грн
10+67.31 грн
25+52.68 грн
50+44.62 грн
100+43.13 грн
250+40.97 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4019PBF description infineonirfb4019datasheetv0101en.pdf
IRFB4019PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 150V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1238 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+138.13 грн
11+70.03 грн
100+62.85 грн
500+54.57 грн
1000+45.73 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4019PBF description infineonirfb4019datasheetv0101en.pdf
IRFB4019PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 150V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1238 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
103+138.13 грн
203+70.03 грн
226+62.85 грн
500+54.57 грн
1000+45.73 грн
Мінімальне замовлення: 103 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4019PBF description infineonirfb4019datasheetv0101en.pdf
IRFB4019PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 150V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 21160 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+149.32 грн
11+70.70 грн
100+63.01 грн
500+54.38 грн
1000+45.33 грн
2000+43.09 грн
5000+42.14 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4019PBF description irfb4019pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561587651e03
IRFB4019PBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 150V 17A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.9V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 50 V
на замовлення 1661 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+156.10 грн
50+72.53 грн
100+64.99 грн
500+48.58 грн
1000+44.59 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4019PBF description Infineon-IRFB4019-DataSheet-v01_01-EN.pdf
IRFB4019PBF
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 150V 17A 95mOhm 13nC Qg
на замовлення 372 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4019PBF description INFN-S-A0012837744-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFB4019PBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFB4019PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 17 A, 0.095 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.9V
Verlustleistung: 80W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.095ohm
на замовлення 759 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.

З цим товаром купують

HV9961LG-G
Код товару: 25088
1 Додати до обраних Обраний товар
HV9961-LED-Driver-with-Average-Current-Mode-Constant-Current-Control-Data-Sheet-20005588B.pdf
HV9961LG-G
Виробник: Supertex
Мікросхеми > Драйвери світлодіодів
Корпус: SO-8
Напруга живлення Vcc, В: 8...450 В
Вихідний струм Iвих, мА: 165 мА
Частота генерації Fosc, кГц: 500 кГц
К-сть каналів: 1
Робоча температура, °С: -40…+125°С
у наявності: 37 шт
  • 32 шт - склад
  • 5 шт - РАДІОМАГ-Київ
очікується: 10 шт
  • 10 шт - очікується
КількістьЦіна без ПДВ
1+77.00 грн
10+76.50 грн
100+76.10 грн
В кошику  од. на суму  грн.