Технічний опис IRFB4019PBF
- MOSFET, N, 150V, TO-220AB
- Transistor Type:MOSFET
- Transistor Polarity:N
- Typ Voltage Vds:150V
- Cont Current Id:17A
- On State Resistance:0.095ohm
- Voltage Vgs Rds on Measurement:10V
- Typ Voltage Vgs th:4.9V
- Case Style:TO-220AB
- Termination Type:Through Hole
- Base Number:4019
- Max Voltage Vds:150V
- Max Voltage Vgs th:4.9V
- Min Voltage Vgs th:3V
- N-channel Gate Charge:13nC
- No. of Pins:3
- Power Dissipation:80mW
- Power Dissipation Pd:80W
- Pulse Current Idm:51A
- Transistor Case Style:TO-220AB
Інші пропозиції IRFB4019PBF за ціною від 34.40 грн до 150.19 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IRFB4019PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 150V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 1238 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRFB4019PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 150V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 11660 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRFB4019PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 150V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRFB4019PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 150V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRFB4019PBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 17A; 80W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 150V Drain current: 17A Power dissipation: 80W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 95mΩ Mounting: THT Gate charge: 13nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
на замовлення 775 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRFB4019PBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRFB4019PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 17 A, 0.095 ohm, TO-220AB, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 17A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.9V euEccn: NLR Verlustleistung: 80W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.095ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 779 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRFB4019PBF | Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFT 150V 17A 95mOhm 13nC Qg |
на замовлення 691 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRFB4019PBF | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 150V 17A TO220ABPackaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 80W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.9V @ 50µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 50 V |
на замовлення 1692 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRFB4019PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 150V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 11660 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRFB4019PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 150V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 161 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 161 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
IRFB4019PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 150V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 161 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 161 шт В кошику од. на суму грн. |
| IRFB4019PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 150V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 150V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1238 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 255+ | 55.39 грн |
| IRFB4019PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 150V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 150V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 11660 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 199+ | 71.18 грн |
| 223+ | 63.42 грн |
| 500+ | 55.83 грн |
| 1000+ | 49.25 грн |
| 2000+ | 43.72 грн |
| 5000+ | 38.65 грн |
| IRFB4019PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 150V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 150V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 483+ | 73.06 грн |
| 537+ | 65.76 грн |
| 1000+ | 60.64 грн |
| IRFB4019PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 150V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 150V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 483+ | 73.06 грн |
| 537+ | 65.76 грн |
| 1000+ | 60.64 грн |
| IRFB4019PBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 17A; 80W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 17A
Power dissipation: 80W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 95mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 13nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 17A; 80W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 17A
Power dissipation: 80W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 95mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 13nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 775 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 113.95 грн |
| 6+ | 82.96 грн |
| 10+ | 71.95 грн |
| 25+ | 59.26 грн |
| 50+ | 53.33 грн |
| 100+ | 51.64 грн |
| 500+ | 49.10 грн |
| IRFB4019PBF |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFB4019PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 17 A, 0.095 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 80W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.095ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: INFINEON - IRFB4019PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 17 A, 0.095 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 80W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.095ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 779 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 118.15 грн |
| 13+ | 65.80 грн |
| 100+ | 53.25 грн |
| 500+ | 43.12 грн |
| IRFB4019PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 150V 17A 95mOhm 13nC Qg
MOSFETs MOSFT 150V 17A 95mOhm 13nC Qg
на замовлення 691 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 123.07 грн |
| 10+ | 47.55 грн |
| 100+ | 35.87 грн |
| 1000+ | 35.80 грн |
| IRFB4019PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 150V 17A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.9V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 50 V
Description: MOSFET N-CH 150V 17A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.9V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 50 V
на замовлення 1692 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 123.42 грн |
| 50+ | 56.73 грн |
| 100+ | 50.68 грн |
| 500+ | 37.61 грн |
| 1000+ | 34.40 грн |
| IRFB4019PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 150V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 150V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 11660 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 150.19 грн |
| 11+ | 70.99 грн |
| 100+ | 63.25 грн |
| 500+ | 53.69 грн |
| 1000+ | 45.49 грн |
| 2000+ | 41.86 грн |
| 5000+ | 38.55 грн |
| IRFB4019PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 150V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 150V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 161 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IRFB4019PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 150V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 150V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 161 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
З цим товаром купують
| HV9961LG-G Код товару: 25088
1
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Supertex
Мікросхеми > Драйвери світлодіодів
Корпус: SO-8
Напруга живлення Vcc, V: 8...450 V
Iвих, mA: 165 mA
Частота генерації Fosc, kHz: 500 kHz
К-сть каналів: 1
Робоча температура, °С: -40…+125°C
Мікросхеми > Драйвери світлодіодів
Корпус: SO-8
Напруга живлення Vcc, V: 8...450 V
Iвих, mA: 165 mA
Частота генерації Fosc, kHz: 500 kHz
К-сть каналів: 1
Робоча температура, °С: -40…+125°C
у наявності: 47 шт
42 шт - склад
5 шт - РАДІОМАГ-Київ
5 шт - РАДІОМАГ-Київ
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 77.00 грн |
| 10+ | 76.50 грн |
| 100+ | 76.10 грн |









