IRFB4110 JSMSEMI
Виробник: JSMSEMI
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 25V; 5mOhm; 180A; 240W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRFB4110; IRFB4110G; SP001570598; SP001556050; IRFB4110 JSMICRO TIRFB4110 JSM
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 20+ | 51.81 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRFB4110 JSMSEMI
Description: MOSFET N-CH 100V 120A TO220AB, Packaging: Tube, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Supplier Device Package: TO-220AB, Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 370W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 75A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-220-3.
Інші пропозиції IRFB4110 за ціною від 58.31 грн до 205.36 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
IRFB4110 | Виробник : UMW |
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 4,5mOhm; 180A; 370W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRFB4110; IRFB4110G; SP001570598; SP001556050; IRFB4110 UMW TIRFB4110 UMW кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 94 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
IRFB4110 | Виробник : Infineon |
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 4,5mOhm; 180A; 370W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRFB4110; IRFB4110 TIRFB4110 кількість в упаковці: 50 шт |
на замовлення 200 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
IRFB4110 | Виробник : International Rectifier |
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 4,5mOhm; 180A; 370W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRFB4110; IRFB4110 TIRFB4110 кількість в упаковці: 50 шт |
на замовлення 105 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
IRFB4110 | Виробник : UMW |
Description: MOSFET N-CH 100V 120A TO220AB Packaging: Tube Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: TO-220AB Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 370W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 75A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 |
на замовлення 930 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
IRFB4110 | Виробник : Infineon / IR |
MOSFETs |
товару немає в наявності |