Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > IRFB4110PBF
IRFB4110PBF

IRFB4110PBF

irfb4110pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535615a9571e0b
Код товару: 42666
4 Додати до обраних Обраний товар

Виробник: IR
Корпус: TO-220
Напруга сток-витік Uds, В: 100 В
Струм стоку Idd, А: 180 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 4,5 мОм
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 9620/150
Монтаж: THT
у наявності: 684 шт
  • 676 шт - склад
  • 8 шт - РАДІОМАГ-Харків
КількістьЦіна без ПДВ
1+138.00 грн
10+123.20 грн
100+108.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції IRFB4110PBF за ціною від 78.90 грн до 278.32 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IRFB4110PBF IRFB4110PBF Infineon Technologies infineonirfb4110datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+96.06 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4110PBF IRFB4110PBF Infineon Technologies infineonirfb4110datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+96.06 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4110PBF IRFB4110PBF Infineon Technologies infineonirfb4110datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 17000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
237+149.69 грн
500+142.61 грн
1000+134.36 грн
10000+121.61 грн
Мінімальне замовлення: 237 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4110PBF IRFB4110PBF INFINEON TECHNOLOGIES irfb4110pbf.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 130A; 370W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 130A
Power dissipation: 370W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 150nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 395 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+178.16 грн
10+103.50 грн
25+94.17 грн
50+88.23 грн
100+83.99 грн
250+78.90 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4110PBF IRFB4110PBF Infineon Technologies infineonirfb4110datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 9870 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
75+189.65 грн
111+127.66 грн
112+126.39 грн
119+115.14 грн
500+91.79 грн
Мінімальне замовлення: 75 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4110PBF IRFB4110PBF Infineon Technologies infineonirfb4110datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 9873 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+190.31 грн
10+128.10 грн
50+126.82 грн
100+115.54 грн
500+92.11 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4110PBF IRFB4110PBF Infineon Technologies infineonirfb4110datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 175 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+213.64 грн
10+131.59 грн
50+130.27 грн
100+117.34 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4110PBF IRFB4110PBF Infineon Technologies infineonirfb4110datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 175 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
67+213.64 грн
108+131.59 грн
109+130.27 грн
117+117.34 грн
Мінімальне замовлення: 67 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4110PBF IRFB4110PBF Infineon Technologies infineonirfb4110datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1617 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+229.19 грн
10+139.12 грн
50+137.75 грн
100+123.90 грн
500+100.18 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4110PBF IRFB4110PBF Infineon Technologies infineonirfb4110datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1617 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
62+229.19 грн
102+139.12 грн
103+137.75 грн
111+123.90 грн
500+100.18 грн
Мінімальне замовлення: 62 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4110PBF IRFB4110PBF Infineon Technologies irfb4110pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535615a9571e0b Description: MOSFET N-CH 100V 120A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 370W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9620 pF @ 50 V
на замовлення 11946 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+278.32 грн
10+175.85 грн
50+136.10 грн
100+115.70 грн
500+94.65 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4110PBF infineonirfb4110datasheetv0101en.pdf
IRFB4110PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+96.06 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4110PBF infineonirfb4110datasheetv0101en.pdf
IRFB4110PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+96.06 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4110PBF infineonirfb4110datasheetv0101en.pdf
IRFB4110PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 17000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
237+149.69 грн
500+142.61 грн
1000+134.36 грн
10000+121.61 грн
Мінімальне замовлення: 237 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4110PBF irfb4110pbf.pdf
IRFB4110PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 130A; 370W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 130A
Power dissipation: 370W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 150nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 395 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+178.16 грн
10+103.50 грн
25+94.17 грн
50+88.23 грн
100+83.99 грн
250+78.90 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4110PBF infineonirfb4110datasheetv0101en.pdf
IRFB4110PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 9870 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
75+189.65 грн
111+127.66 грн
112+126.39 грн
119+115.14 грн
500+91.79 грн
Мінімальне замовлення: 75 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4110PBF infineonirfb4110datasheetv0101en.pdf
IRFB4110PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 9873 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+190.31 грн
10+128.10 грн
50+126.82 грн
100+115.54 грн
500+92.11 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4110PBF infineonirfb4110datasheetv0101en.pdf
IRFB4110PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 175 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+213.64 грн
10+131.59 грн
50+130.27 грн
100+117.34 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4110PBF infineonirfb4110datasheetv0101en.pdf
IRFB4110PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 175 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
67+213.64 грн
108+131.59 грн
109+130.27 грн
117+117.34 грн
Мінімальне замовлення: 67 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4110PBF infineonirfb4110datasheetv0101en.pdf
IRFB4110PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1617 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+229.19 грн
10+139.12 грн
50+137.75 грн
100+123.90 грн
500+100.18 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4110PBF infineonirfb4110datasheetv0101en.pdf
IRFB4110PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1617 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
62+229.19 грн
102+139.12 грн
103+137.75 грн
111+123.90 грн
500+100.18 грн
Мінімальне замовлення: 62 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4110PBF irfb4110pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535615a9571e0b
IRFB4110PBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 120A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 370W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9620 pF @ 50 V
на замовлення 11946 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+278.32 грн
10+175.85 грн
50+136.10 грн
100+115.70 грн
500+94.65 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.

З цим товаром купують

Прокладка силіконова TO-220 13x18x0,3mm (Sili.TO220 13 * 18mm (0 .3mm))
Код товару: 123772
4 Додати до обраних Обраний товар
Прокладка силіконова TO-220 13x18x0,3mm (Sili.TO220 13 * 18mm (0 .3mm))
Ізоляційні матеріали
Група: Прокладка теплопровідна
Опис: Розміри: 13x18x0.3mm з отвором Ø3mm, -60 + 180 ° C, 1, 22W
Розмір: 13х18х0,3мм
Матеріал: Силікон
Колір: Білий
у наявності: 8 шт
  • 8 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
на замовлення: 7 шт
  • 7 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8+2.5 грн
14+1.50 грн
15+1.33 грн
100+0.80 грн
1000+0.50 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR120NPBF
Код товару: 32182
Додати до обраних Обраний товар
description irlr120npbf-datasheet.pdf
IRLR120NPBF
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: D-Pak (TO-252)
Напруга сток-витік Uds, В: 100 В
Струм стоку Idd, А: 10 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,185 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 440/20
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: SMD
у наявності: 464 шт
  • 464 шт - склад
КількістьЦіна без ПДВ
2+18.00 грн
10+15.90 грн
100+14.20 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1,0 kOhm 1% 1W 2512 (RC2512FK-1KR-Hitano) (резистор SMD)
Код товару: 39654
Додати до обраних Обраний товар
1,0 kOhm 1% 1W 2512 (RC2512FK-1KR-Hitano) (резистор SMD)
Виробник: Hitano
SMD резистори > 2512
Номінал: 1 кОм
Точність: ±1%
Pном, Вт: 1 Вт
Uном, В: 200 V (макс. 500 V при перевантаженні)
Типорозмір: 2512
очікується: 4000 шт
  • 4000 шт - очікується
на замовлення: 490 шт
  • 490 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+2.50 грн
100+2.20 грн
1000+1.50 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SFH6156-3T
Код товару: 50023
Додати до обраних Обраний товар
description sfh6156.pdf
Виробник: Vishay
Мікросхеми > Оптрони (оптопари)
Корпус: SMD-4
Тип: Транзисторний
Напруга ізоляції Uізол, кВ: 5,3 кВ
Струм вх/вих Iвх/Iвих, мА: 60/50 мА
Вихідна напруга Uвих, В: 70 В
Час вмик/вимк Ton/Toff, µs: 3/23 µs
Кількість каналів: 1
у наявності: 1000 шт
  • 1000 шт - склад
на замовлення: 8 шт
  • 8 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+15.00 грн
10+13.50 грн
100+12.20 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SMBJ15A-E3/52
Код товару: 105535
Додати до обраних Обраний товар
description smbj5a-736634-datasheet.pdf
SMBJ15A-E3/52
Виробник: Vishay
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди обмежувальні (cупрессори)
Корпус: SMB (DO-214AA)
Пікова потужність, P, Вт: 600 Вт
Напруга пробою, Vbr: 17,6 В
Постійна зворотна напруга, Vrm: 15 В
Струм витоку, Irm: 1 мкА
Конструкція діода: Односпрямований
Монтаж: SMD
SMBJ15A-E3/52
у наявності: 246 шт
  • 226 шт - склад
  • 20 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
на замовлення: 132 шт
  • 132 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+6.00 грн
10+5.00 грн
100+4.30 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.