Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > IRFB4110PBF
IRFB4110PBF

IRFB4110PBF

irfb4110pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535615a9571e0b
Код товару: 42666
Виробник: IR
Корпус: TO-220
Uds,V: 100 V
Idd,A: 180 A
Rds(on), Ohm: 4,5 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 9620/150
Монтаж: THT
у наявності 438 шт:
392 шт - склад
26 шт - РАДІОМАГ-Київ
1 шт - РАДІОМАГ-Львів
5 шт - РАДІОМАГ-Одеса
14 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість Ціна
1+138.00 грн
10+123.20 грн
100+108.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції IRFB4110PBF за ціною від 61.34 грн до 241.77 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRFB4110PBF IRFB4110PBF Виробник : Infineon Technologies infineonirfb4110datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+69.47 грн
2000+68.77 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4110PBF IRFB4110PBF Виробник : Infineon Technologies infineonirfb4110datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+70.13 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4110PBF IRFB4110PBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfb4110-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 10003 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+104.98 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4110PBF IRFB4110PBF Виробник : Infineon Technologies infineonirfb4110datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 380 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
226+134.25 грн
Мінімальне замовлення: 226
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4110PBF IRFB4110PBF Виробник : Infineon Technologies infineonirfb4110datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 13743 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
89+137.55 грн
142+85.51 грн
144+84.31 грн
500+76.82 грн
1000+62.46 грн
Мінімальне замовлення: 89
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4110PBF IRFB4110PBF Виробник : Infineon Technologies infineonirfb4110datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 13743 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+146.10 грн
50+91.51 грн
100+90.23 грн
500+86.81 грн
1000+64.91 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4110PBF IRFB4110PBF Виробник : Infineon Technologies infineonirfb4110datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1657 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
77+158.27 грн
104+116.65 грн
Мінімальне замовлення: 77
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4110PBF IRFB4110PBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E5921B713F1A6F5005056AB5A8F&compId=irfb4110pbf.pdf?ci_sign=b56f43999b13464496cb594a44e3702eb31e478b Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 130A; 370W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 130A
Power dissipation: 370W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 150nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
на замовлення 523 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+159.47 грн
10+127.60 грн
14+68.53 грн
38+64.59 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4110PBF IRFB4110PBF Виробник : Infineon Technologies infineonirfb4110datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 244 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
75+161.91 грн
136+89.13 грн
139+87.64 грн
Мінімальне замовлення: 75
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4110PBF IRFB4110PBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E5921B713F1A6F5005056AB5A8F&compId=irfb4110pbf.pdf?ci_sign=b56f43999b13464496cb594a44e3702eb31e478b Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 130A; 370W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 130A
Power dissipation: 370W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 150nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 523 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+191.36 грн
10+159.01 грн
14+82.23 грн
38+77.50 грн
1000+76.56 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4110PBF IRFB4110PBF Виробник : Infineon Technologies irfb4110pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535615a9571e0b Description: MOSFET N-CH 100V 120A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 370W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9620 pF @ 50 V
на замовлення 12286 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+221.66 грн
50+84.34 грн
100+81.58 грн
500+69.66 грн
1000+65.33 грн
2000+63.12 грн
5000+61.34 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4110PBF IRFB4110PBF Виробник : Infineon Technologies Infineon-IRFB4110-DataSheet-v01_01-EN.pdf MOSFETs MOSFT 100V 180A 4.5mOhm 150nC Qg
на замовлення 4681 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+223.19 грн
10+86.00 грн
100+71.53 грн
1000+66.46 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4110PBF IRFB4110PBF Виробник : Infineon Technologies infineonirfb4110datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 244 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+241.77 грн
50+98.64 грн
100+96.89 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4110PBF IRFB4110PBF Виробник : INFINEON 3733817.pdf Description: INFINEON - IRFB4110PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 180 A, 0.0045 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 370W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0045ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.

З цим товаром купують

10 Ohm 1% 0,25W 200V 1206 (RC1206FR-10R-Hitano) (резистор SMD)
Код товару: 17834
Додати до обраних Обраний товар

rc_series_20150401_1.pdf
10 Ohm 1% 0,25W 200V 1206 (RC1206FR-10R-Hitano) (резистор SMD)
Виробник: Hitano
SMD резистори > 1206
Номінал: 10 Ohm
Точність: ±1% F
Рном,W: 0,25 W
Uроб,V: 200 V
Типорозмір: 1206
у наявності: 5850 шт
5850 шт - склад
очікується: 20000 шт
20000 шт - очікується
Кількість Ціна
100+0.22 грн
1000+0.16 грн
10000+0.13 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
47uF 35V EZV SMD sizeC 6.3x5.7 (low imp.) (EZV470M35RC) (електролітичний конденсатор SMD низькоімпедансний)
Код товару: 23420
Додати до обраних Обраний товар

EZV_070829.pdf
47uF 35V EZV SMD sizeC 6.3x5.7 (low imp.) (EZV470M35RC) (електролітичний конденсатор SMD низькоімпедансний)
Виробник: Hitano
Конденсатори > Електролітичні SMD конденсатори
Ємність: 47 µF
Номін.напруга: 35 V
Серія: EZV-SMD низькоімпедансні
Темп.діапазон: -40...+105°C
Типорозмір,габарити: SMD size C
Макс.пульс.струм: 230mA
товару немає в наявності
очікується: 5000 шт
5000 шт - очікується
Кількість Ціна
7+3.00 грн
10+2.68 грн
100+2.47 грн
1000+2.10 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR120NPBF
Код товару: 32182
Додати до обраних Обраний товар

description irlr120npbf-datasheet.pdf
IRLR120NPBF
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: D-Pak (TO-252)
Uds,V: 100 V
Idd,A: 10 А
Rds(on), Ohm: 0,185 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 440/20
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: SMD
у наявності: 395 шт
378 шт - склад
5 шт - РАДІОМАГ-Львів
2 шт - РАДІОМАГ-Харків
1 шт - РАДІОМАГ-Одеса
9 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
очікується: 30 шт
30 шт - очікується
Кількість Ціна
2+18.00 грн
10+15.90 грн
100+14.20 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
5,1 kOhm 1% 0,25W 200V 1206 (RC1206FR-5K1R-Hitano) (резистор SMD)
Код товару: 1364
Додати до обраних Обраний товар

rc_series_20150401_1.pdf
5,1 kOhm 1% 0,25W 200V 1206 (RC1206FR-5K1R-Hitano) (резистор SMD)
Виробник: Hitano
SMD резистори > 1206
Номінал: 5,1 kOhm
Точність: ±1% F
Рном,W: 0,25 W
Uроб,V: 200 V
Типорозмір: 1206
у наявності: 6188 шт
6188 шт - склад
Кількість Ціна
100+0.22 грн
1000+0.16 грн
10000+0.13 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
300 kOhm 5% 0,25W 200V 1206 (RC1206JR-300K-Hitano) (резистор SMD)
Код товару: 2199
Додати до обраних Обраний товар

300 kOhm 5% 0,25W 200V 1206 (RC1206JR-300K-Hitano) (резистор SMD)
Виробник: Hitano
SMD резистори > 1206
Номінал: 300 kOhm
Точність: ±5% J
Рном,W: 0,25 W
Uроб,V: 200 V
Типорозмір: 1206
у наявності: 31247 шт
7136 шт - склад
4840 шт - РАДІОМАГ-Київ
4400 шт - РАДІОМАГ-Львів
3310 шт - РАДІОМАГ-Харків
8390 шт - РАДІОМАГ-Одеса
3171 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість Ціна
100+0.20 грн
1000+0.15 грн
10000+0.12 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.