Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > IRFB4110PBF
IRFB4110PBF

IRFB4110PBF

irfb4110pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535615a9571e0b
Код товару: 42666
4 Додати до обраних Обраний товар

Виробник: IR
Корпус: TO-220
Uds,V: 100 V
Idd,A: 180 A
Rds(on), Ohm: 4,5 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 9620/150
Монтаж: THT
у наявності 328 шт:
291 шт - склад
37 шт - РАДІОМАГ-Київ
очікується 30 шт:
30 шт - очікується
КількістьЦіна
1+138.00 грн
10+123.20 грн
100+108.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції IRFB4110PBF за ціною від 74.49 грн до 389.87 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRFB4110PBF IRFB4110PBF Infineon Technologies infineonirfb4110datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 11070 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
122+116.17 грн
Мінімальне замовлення: 122 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4110PBF IRFB4110PBF Infineon Technologies infineonirfb4110datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1625 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
107+132.59 грн
108+131.26 грн
115+123.72 грн
500+106.74 грн
Мінімальне замовлення: 107 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4110PBF IRFB4110PBF INFINEON TECHNOLOGIES irfb4110pbf.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 130A; 370W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 130A
Power dissipation: 370W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 150nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 817 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+177.77 грн
10+103.27 грн
25+93.96 грн
50+88.04 грн
100+83.80 грн
250+78.73 грн
500+74.49 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4110PBF IRFB4110PBF INFINEON 3733817.pdf Description: INFINEON - IRFB4110PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 180 A, 4500 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 370W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4500µohm
на замовлення 582 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+241.22 грн
10+141.94 грн
100+121.43 грн
500+100.57 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4110PBF IRFB4110PBF Infineon Technologies irfb4110pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535615a9571e0b Description: MOSFET N-CH 100V 120A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 370W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9620 pF @ 50 V
на замовлення 4382 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+267.41 грн
50+128.56 грн
100+116.03 грн
500+88.29 грн
1000+81.66 грн
2000+76.10 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4110PBF IRFB4110PBF Infineon Technologies infineonirfb4110datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 11073 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+389.87 грн
50+194.40 грн
100+175.46 грн
500+137.18 грн
1000+117.50 грн
2000+105.11 грн
5000+96.80 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4110PBF infineonirfb4110datasheetv0101en.pdf
IRFB4110PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 11070 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
122+116.17 грн
Мінімальне замовлення: 122 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4110PBF infineonirfb4110datasheetv0101en.pdf
IRFB4110PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1625 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
107+132.59 грн
108+131.26 грн
115+123.72 грн
500+106.74 грн
Мінімальне замовлення: 107 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4110PBF irfb4110pbf.pdf
IRFB4110PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 130A; 370W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 130A
Power dissipation: 370W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 150nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 817 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна
3+177.77 грн
10+103.27 грн
25+93.96 грн
50+88.04 грн
100+83.80 грн
250+78.73 грн
500+74.49 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4110PBF 3733817.pdf
IRFB4110PBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFB4110PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 180 A, 4500 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 370W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4500µohm
на замовлення 582 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
4+241.22 грн
10+141.94 грн
100+121.43 грн
500+100.57 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4110PBF irfb4110pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535615a9571e0b
IRFB4110PBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 120A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 370W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9620 pF @ 50 V
на замовлення 4382 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+267.41 грн
50+128.56 грн
100+116.03 грн
500+88.29 грн
1000+81.66 грн
2000+76.10 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4110PBF infineonirfb4110datasheetv0101en.pdf
IRFB4110PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 11073 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+389.87 грн
50+194.40 грн
100+175.46 грн
500+137.18 грн
1000+117.50 грн
2000+105.11 грн
5000+96.80 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.

З цим товаром купують

Прокладка силіконова TO-220 13x18x0,3mm (Sili.TO220 13 * 18mm (0 .3mm))
Код товару: 123772
4 Додати до обраних Обраний товар
Прокладка силіконова TO-220 13x18x0,3mm (Sili.TO220 13 * 18mm (0 .3mm))
Ізоляційні матеріали
Група: Прокладка теплопровідна
Опис: Розміри: 13x18x0.3mm з отвором Ø3mm, -60 + 180 ° C, 1, 22W
Розмір: 13х18х0,3мм
Матеріал: Силікон
Колір: білий
у наявності: 1637 шт
882 шт - РАДІОМАГ-Харків
755 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
КількістьЦіна
14+1.50 грн
20+1.00 грн
100+0.80 грн
1000+0.50 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TL494CDR
Код товару: 123303
3 Додати до обраних Обраний товар
suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Ftl494
TL494CDR
Виробник: TI
Мікросхеми > Джерел живлення
Корпус: SOIC-16
Призначення і характеристики: Switching Controllers PWM Controller
Напруга вхідна, V: 40 V
Iвых., A: 0,2 A
Fosc, kHz: 300 kHz
Темп.діапазон: -40…+85°C
у наявності: 519 шт
460 шт - склад
14 шт - РАДІОМАГ-Київ
15 шт - РАДІОМАГ-Львів
30 шт - РАДІОМАГ-Харків
очікується: 20 шт
20 шт - очікується
КількістьЦіна
2+12.00 грн
10+10.80 грн
100+9.70 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CRG40T60AN3H
Код товару: 189198
5 Додати до обраних Обраний товар
P020210520320339868480.pdf
CRG40T60AN3H
Виробник: CRMICRO
Транзистори > IGBT
Корпус: TO-3P
Vces: 600 V
Vce: 1,9 V
Ic 25: 80 A
Ic 100: 40 A
Pd 25: 280 W
td(on)/td(off) 100-150 град: 46,8/147,7
у наявності: 250 шт
129 шт - склад
73 шт - РАДІОМАГ-Київ
48 шт - РАДІОМАГ-Львів
КількістьЦіна
1+70.00 грн
10+65.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MER 100nF 100V J(+/-5%), P=10mm; 5,5x10x13mm (MER104J2AB-Hitano) (конденсатор плівковий)
Код товару: 2897
Додати до обраних Обраний товар
MER_070523.pdf
MER 100nF 100V J(+/-5%), P=10mm; 5,5x10x13mm (MER104J2AB-Hitano) (конденсатор плівковий)
Виробник: Hitano
Конденсатори > Плівкові конденсатори
Ємність: 100 nF
Ном.напруга: 100 VDC
Точність: ±5% J
Крок виводів: 10 mm
Діелектрик: Поліестер
Розмір корпуса: 5,5x10x13 mm
Part Number: MER104J2AB
у наявності: 1057 шт
879 шт - склад
158 шт - РАДІОМАГ-Київ
19 шт - РАДІОМАГ-Львів
1 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
очікується: 150 шт
150 шт - очікується
КількістьЦіна
5+4.50 грн
10+4.00 грн
100+3.60 грн
1000+3.10 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VCR-10D431K (S10K275,TVR10431,GNR-10D431K) (варистор)
Код товару: 18262
1 Додати до обраних Обраний товар
VCR-10D_081201.pdf
VCR-10D431K (S10K275,TVR10431,GNR-10D431K) (варистор)
Виробник: Hitano
Пасивні компоненти > Варистори
Uроб AC/DC, V: 275/350 V
Uвар, V: 430(387...473) V
Макс. напруга і струм спрацьовування, В@A: 710@25 В@A
Iмакс.(8/20мкс): 2500 Iмакс.(8/20мкс)
Потужність, W: 0,4 W
Ємність, pF: 230 pF
Розмір: 10D
товару немає в наявності
КількістьЦіна
1+20.00 грн
10+5.40 грн
100+4.90 грн
1000+4.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.