Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > IRFB4110PBF
IRFB4110PBF

IRFB4110PBF

irfb4110pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535615a9571e0b
Код товару: 42666
Виробник: IR
Корпус: TO-220
Uds,V: 100 V
Idd,A: 180 A
Rds(on), Ohm: 4,5 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 9620/150
Монтаж: THT
у наявності 122 шт:
96 шт - склад
4 шт - РАДІОМАГ-Київ
22 шт - РАДІОМАГ-Львів
очікується 120 шт:
120 шт - очікується
Кількість Ціна
1+138.00 грн
10+123.20 грн
100+108.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції IRFB4110PBF за ціною від 62.99 грн до 226.70 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRFB4110PBF IRFB4110PBF Виробник : Infineon Technologies infineonirfb4110datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 11000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+79.03 грн
2000+75.85 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4110PBF IRFB4110PBF Виробник : Infineon Technologies infineonirfb4110datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 11000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+84.68 грн
2000+81.26 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4110PBF IRFB4110PBF Виробник : Infineon Technologies infineonirfb4110datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 4365 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
129+96.62 грн
Мінімальне замовлення: 129
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4110PBF IRFB4110PBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfb4110-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 10003 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+106.28 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4110PBF IRFB4110PBF Виробник : Infineon Technologies infineonirfb4110datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 380 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
226+137.51 грн
Мінімальне замовлення: 226
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4110PBF IRFB4110PBF Виробник : Infineon Technologies infineonirfb4110datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 4373 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+140.63 грн
50+111.25 грн
100+103.60 грн
500+85.77 грн
1000+74.88 грн
2000+69.07 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4110PBF IRFB4110PBF Виробник : Infineon Technologies infineonirfb4110datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1645 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
84+148.88 грн
Мінімальне замовлення: 84
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4110PBF IRFB4110PBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES irfb4110pbf.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 130A; 370W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 130A
Power dissipation: 370W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 150nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 785 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+155.43 грн
10+122.00 грн
25+97.28 грн
50+74.95 грн
100+62.99 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4110PBF IRFB4110PBF Виробник : Infineon Technologies infineonirfb4110datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 723 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
75+165.84 грн
104+120.14 грн
114+109.47 грн
500+87.05 грн
Мінімальне замовлення: 75
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4110PBF IRFB4110PBF Виробник : Infineon Technologies infineonirfb4110datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 723 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+177.68 грн
50+128.72 грн
100+117.29 грн
500+93.27 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4110PBF IRFB4110PBF Виробник : Infineon Technologies Infineon_IRFB4110_DataSheet_v01_01_EN.pdf MOSFETs MOSFT 100V 180A 4.5mOhm 150nC Qg
на замовлення 3895 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+178.61 грн
10+84.77 грн
100+72.42 грн
500+67.82 грн
1000+67.29 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4110PBF IRFB4110PBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES irfb4110pbf.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 130A; 370W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 130A
Power dissipation: 370W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 150nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 785 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+186.51 грн
10+152.03 грн
25+116.74 грн
50+89.94 грн
100+75.59 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4110PBF IRFB4110PBF Виробник : Infineon Technologies irfb4110pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535615a9571e0b Description: MOSFET N-CH 100V 120A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 370W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9620 pF @ 50 V
на замовлення 6673 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+218.61 грн
50+105.25 грн
100+95.01 грн
500+72.29 грн
1000+66.87 грн
2000+63.48 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4110PBF IRFB4110PBF Виробник : INFINEON 3733817.pdf Description: INFINEON - IRFB4110PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 180 A, 4500 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 370W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4500µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2722 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+226.70 грн
10+93.60 грн
100+90.17 грн
500+82.93 грн
1000+71.99 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.

З цим товаром купують

10 Ohm 1% 0,25W 200V 1206 (RC1206FR-10R-Hitano) (резистор SMD)
Код товару: 17834
Додати до обраних Обраний товар

rc_series_20150401_1.pdf
10 Ohm 1% 0,25W 200V 1206 (RC1206FR-10R-Hitano) (резистор SMD)
Виробник: Hitano
SMD резистори > 1206
Номінал: 10 Ohm
Точність: ±1% F
Рном,W: 0,25 W
Uроб,V: 200 V
Типорозмір: 1206
у наявності: 2325 шт
2325 шт - склад
очікується: 20000 шт
20000 шт - очікується 24.02.2026
Кількість Ціна
200+0.22 грн
1000+0.16 грн
10000+0.13 грн
Мінімальне замовлення: 200
В кошику  од. на суму  грн.
47uF 35V EZV SMD sizeC 6.3x5.7 (low imp.) (EZV470M35RC) (електролітичний конденсатор SMD низькоімпедансний)
Код товару: 23420
Додати до обраних Обраний товар

EZV_070829.pdf
47uF 35V EZV SMD sizeC 6.3x5.7 (low imp.) (EZV470M35RC) (електролітичний конденсатор SMD низькоімпедансний)
Виробник: Hitano
Конденсатори > Електролітичні SMD конденсатори
Ємність: 47 µF
Номін.напруга: 35 V
Серія: EZV-SMD низькоімпедансні
Темп.діапазон: -40...+105°C
Типорозмір,габарити: SMD size C
Макс.пульс.струм: 230mA
товару немає в наявності
очікується: 5000 шт
5000 шт - очікується 24.02.2026
Кількість Ціна
14+3.00 грн
15+2.68 грн
100+2.47 грн
1000+2.10 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR120NPBF
Код товару: 32182
Додати до обраних Обраний товар

description irlr120npbf-datasheet.pdf
IRLR120NPBF
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: D-Pak (TO-252)
Uds,V: 100 V
Idd,A: 10 А
Rds(on), Ohm: 0,185 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 440/20
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: SMD
у наявності: 224 шт
180 шт - склад
30 шт - РАДІОМАГ-Київ
3 шт - РАДІОМАГ-Львів
2 шт - РАДІОМАГ-Харків
9 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість Ціна
3+18.00 грн
10+15.90 грн
100+14.20 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
5,1 kOhm 1% 0,25W 200V 1206 (RC1206FR-5K1R-Hitano) (резистор SMD)
Код товару: 1364
Додати до обраних Обраний товар

rc_series_20150401_1.pdf
5,1 kOhm 1% 0,25W 200V 1206 (RC1206FR-5K1R-Hitano) (резистор SMD)
Виробник: Hitano
SMD резистори > 1206
Номінал: 5,1 kOhm
Точність: ±1% F
Рном,W: 0,25 W
Uроб,V: 200 V
Типорозмір: 1206
у наявності: 2988 шт
2988 шт - склад
Кількість Ціна
200+0.22 грн
1000+0.16 грн
10000+0.13 грн
Мінімальне замовлення: 200
В кошику  од. на суму  грн.
300 kOhm 5% 0,25W 200V 1206 (RC1206JR-300K-Hitano) (резистор SMD)
Код товару: 2199
Додати до обраних Обраний товар

300 kOhm 5% 0,25W 200V 1206 (RC1206JR-300K-Hitano) (резистор SMD)
Виробник: Hitano
SMD резистори > 1206
Номінал: 300 kOhm
Точність: ±5% J
Рном,W: 0,25 W
Uроб,V: 200 V
Типорозмір: 1206
у наявності: 22457 шт
6936 шт - склад
4840 шт - РАДІОМАГ-Київ
4400 шт - РАДІОМАГ-Львів
3210 шт - РАДІОМАГ-Харків
3071 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість Ціна
200+0.20 грн
1000+0.15 грн
10000+0.12 грн
Мінімальне замовлення: 200
В кошику  од. на суму  грн.