IRFB4110PBF

IRFB4110PBF


irfb4110pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535615a9571e0b
Код товару: 42666
3 Додати до обраних Обраний товар

Виробник: IR
Корпус: TO-220
Uds,V: 100 V
Idd,A: 180 A
Rds(on), Ohm: 4,5 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 9620/150
Монтаж: THT
у наявності 378 шт:

335 шт - склад
43 шт - РАДІОМАГ-Київ
Кількість Ціна
1+138.00 грн
10+123.20 грн
100+108.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції IRFB4110PBF за ціною від 68.76 грн до 266.00 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRFB4110PBF IRFB4110PBF Виробник : Infineon Technologies infineonirfb4110datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 380 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
226+143.05 грн
Мінімальне замовлення: 226
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4110PBF IRFB4110PBF Виробник : Infineon Technologies infineonirfb4110datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 278 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
226+143.05 грн
Мінімальне замовлення: 226
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4110PBF IRFB4110PBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES irfb4110pbf.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 130A; 370W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 130A
Power dissipation: 370W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 150nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1662 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+175.34 грн
10+79.73 грн
25+73.02 грн
50+70.50 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4110PBF IRFB4110PBF Виробник : Infineon Technologies irfb4110pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535615a9571e0b Description: MOSFET N-CH 100V 120A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 370W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9620 pF @ 50 V
на замовлення 1736 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+225.12 грн
50+108.24 грн
100+97.69 грн
500+74.33 грн
1000+68.76 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4110PBF IRFB4110PBF Виробник : INFINEON 3733817.pdf Description: INFINEON - IRFB4110PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 180 A, 4500 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 370W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4500µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1578 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+266.00 грн
10+139.91 грн
100+126.90 грн
500+110.28 грн
1000+88.55 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4110PBF IRFB4110PBF Виробник : Infineon Technologies infineonirfb4110datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4110PBF IRFB4110PBF Виробник : Infineon Technologies infineonirfb4110datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4110PBF IRFB4110PBF Виробник : Infineon Technologies Infineon_IRFB4110_DataSheet_v01_01_EN.pdf MOSFETs MOSFT 100V 180A 4.5mOhm 150nC Qg
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.

З цим товаром купують

TL494CDR
Код товару: 123303
3 Додати до обраних Обраний товар
suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Ftl494
TL494CDR
Виробник: TI
Мікросхеми > Джерел живлення
Корпус: SOIC-16
Призначення і характеристики: Switching Controllers PWM Controller
Напруга вхідна, V: 40 V
Iвых., A: 0,2 A
Fosc, kHz: 300 kHz
Темп.діапазон: -40…+85°C
у наявності: 558 шт
505 шт - склад
8 шт - РАДІОМАГ-Київ
15 шт - РАДІОМАГ-Львів
30 шт - РАДІОМАГ-Харків
Кількість Ціна
2+12.00 грн
10+10.80 грн
100+9.70 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
Прокладка силіконова TO-220 13x18x0,3mm (Sili.TO220 13 * 18mm (0 .3mm))
Код товару: 123772
3 Додати до обраних Обраний товар
Прокладка силіконова TO-220 13x18x0,3mm (Sili.TO220 13 * 18mm (0 .3mm))
Ізоляційні матеріали
Група: Прокладка теплопровідна
Опис: Розміри: 13x18x0.3mm з отвором Ø3mm, -60 + 180 ° C, 1, 22W
Розмір: 13х18х0,3мм
Матеріал: Силікон
Колір: білий
у наявності: 18074 шт
14113 шт - склад
1000 шт - РАДІОМАГ-Київ
1000 шт - РАДІОМАГ-Львів
1000 шт - РАДІОМАГ-Харків
961 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість Ціна
14+1.50 грн
20+1.00 грн
100+0.80 грн
1000+0.50 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
CRG40T60AN3H
Код товару: 189198
5 Додати до обраних Обраний товар
P020210520320339868480.pdf
CRG40T60AN3H
Виробник: CRMICRO
Транзистори > IGBT
Корпус: TO-3P
Vces: 600 V
Vce: 1,9 V
Ic 25: 80 A
Ic 100: 40 A
Pd 25: 280 W
td(on)/td(off) 100-150 град: 46,8/147,7
у наявності: 274 шт
145 шт - склад
79 шт - РАДІОМАГ-Київ
50 шт - РАДІОМАГ-Львів
Кількість Ціна
1+70.00 грн
10+65.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MER 100nF 100V J(+/-5%), P=10mm; 5,5x10x13mm (MER104J2AB-Hitano) (конденсатор плівковий)
Код товару: 2897
Додати до обраних Обраний товар
MER_070523.pdf
MER 100nF 100V J(+/-5%), P=10mm; 5,5x10x13mm (MER104J2AB-Hitano) (конденсатор плівковий)
Виробник: Hitano
Конденсатори > Плівкові конденсатори
Ємність: 100 nF
Ном.напруга: 100 VDC
Точність: ±5% J
Крок виводів: 10 mm
Діелектрик: Поліестер
Розмір корпуса: 5,5x10x13 mm
Part Number: MER104J2AB
у наявності: 1810 шт
1558 шт - склад
171 шт - РАДІОМАГ-Київ
19 шт - РАДІОМАГ-Львів
34 шт - РАДІОМАГ-Харків
28 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість Ціна
5+4.50 грн
10+4.00 грн
100+3.60 грн
1000+3.10 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
VCR-10D431K (S10K275,TVR10431,GNR-10D431K) (варистор)
Код товару: 18262
1 Додати до обраних Обраний товар
VCR-10D_081201.pdf
VCR-10D431K (S10K275,TVR10431,GNR-10D431K) (варистор)
Виробник: Hitano
Пасивні компоненти > Варистори
Uроб AC/DC, V: 275/350 V
Uвар, V: 430(387...473) V
Макс. напруга і струм спрацьовування, В@A: 710@25 В@A
Iмакс.(8/20мкс): 2500 Iмакс.(8/20мкс)
Потужність, W: 0,4 W
Ємність, pF: 230 pF
Розмір: 10D
товару немає в наявності
очікується: 2000 шт
2000 шт - очікується 10.05.2026
Кількість Ціна
4+6.00 грн
10+5.40 грн
100+4.90 грн
1000+4.20 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.