Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > IRFB4110PBF
IRFB4110PBF

IRFB4110PBF

irfb4110pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535615a9571e0b
Код товару: 42666
Виробник: IR
Uds,V: 100 V
Idd,A: 180 A
Rds(on), Ohm: 4,5 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 9620/150
Монтаж: THT
у наявності 691 шт:
659 шт - склад
10 шт - РАДІОМАГ-Київ
2 шт - РАДІОМАГ-Львів
20 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
очікується 25 шт:
25 шт - очікується
Кількість Ціна
1+138.00 грн
10+123.20 грн
100+108.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції IRFB4110PBF за ціною від 53.89 грн до 239.41 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRFB4110PBF IRFB4110PBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfb4110-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 7000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+65.97 грн
2000+65.31 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4110PBF IRFB4110PBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfb4110-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 7000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+71.04 грн
2000+70.33 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4110PBF IRFB4110PBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfb4110-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 10003 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+103.31 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4110PBF IRFB4110PBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfb4110-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1730 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
116+105.74 грн
133+91.91 грн
141+87.03 грн
Мінімальне замовлення: 116
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4110PBF IRFB4110PBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfb4110-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 18648 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
107+114.12 грн
Мінімальне замовлення: 107
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4110PBF IRFB4110PBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfb4110-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 18653 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+119.72 грн
50+83.51 грн
100+78.57 грн
500+73.15 грн
1000+56.70 грн
2000+53.89 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4110PBF IRFB4110PBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfb4110-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 380 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
226+135.23 грн
Мінімальне замовлення: 226
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4110PBF IRFB4110PBF Виробник : Infineon Technologies irfb4110pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535615a9571e0b Description: MOSFET N-CH 100V 120A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 370W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9620 pF @ 50 V
на замовлення 10315 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+164.21 грн
50+80.68 грн
100+76.86 грн
500+71.21 грн
1000+65.91 грн
2000+62.57 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4110PBF IRFB4110PBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfb4110-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 245 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+181.66 грн
50+96.10 грн
100+88.42 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4110PBF IRFB4110PBF Виробник : Infineon Technologies Infineon_IRFB4110_DataSheet_v01_01_EN-3363183.pdf MOSFETs MOSFT 100V 180A 4.5mOhm 150nC Qg
на замовлення 7299 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+192.73 грн
10+186.56 грн
25+84.83 грн
100+77.39 грн
1000+72.85 грн
2000+72.18 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4110PBF IRFB4110PBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E5921B713F1A6F5005056AB5A8F&compId=irfb4110pbf.pdf?ci_sign=b56f43999b13464496cb594a44e3702eb31e478b Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 130A; 370W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 130A
Power dissipation: 370W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 150nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 171 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+199.51 грн
8+128.67 грн
20+121.70 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4110PBF IRFB4110PBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E5921B713F1A6F5005056AB5A8F&compId=irfb4110pbf.pdf?ci_sign=b56f43999b13464496cb594a44e3702eb31e478b Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 130A; 370W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 130A
Power dissipation: 370W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 150nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 171 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+239.41 грн
8+160.35 грн
20+146.04 грн
1000+143.25 грн
2000+139.53 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4110PBF IRFB4110PBF Виробник : INFINEON 3733817.pdf Description: INFINEON - IRFB4110PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 180 A, 0.0045 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 370W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0045ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.

З цим товаром купують

10 Ohm 1% 0,25W 200V 1206 (RC1206FR-10R-Hitano) (резистор SMD)
Код товару: 17834
Додати до обраних Обраний товар

rc_series_20150401_1.pdf
10 Ohm 1% 0,25W 200V 1206 (RC1206FR-10R-Hitano) (резистор SMD)
Виробник: Hitano
SMD резистори > 1206
Номінал: 10 Ohm
Точність: ±1% F
Рном,W: 0,25 W
Uроб,V: 200 V
Типорозмір: 1206
товару немає в наявності
очікується: 10000 шт
10000 шт - очікується 28.08.2025
Кількість Ціна
100+0.22 грн
1000+0.16 грн
10000+0.13 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
47uF 35V EZV SMD sizeC 6.3x5.7 (low imp.) (EZV470M35RC) (електролітичний конденсатор SMD низькоімпедансний)
Код товару: 23420
Додати до обраних Обраний товар

EZV_070829.pdf
47uF 35V EZV SMD sizeC 6.3x5.7 (low imp.) (EZV470M35RC) (електролітичний конденсатор SMD низькоімпедансний)
Виробник: Hitano
Конденсатори > Електролітичні SMD конденсатори
Ємність: 47 µF
Номін.напруга: 35 V
Серія: EZV-SMD низькоімпедансні
Темп.діапазон: -40...+105°C
Типорозмір,габарити: SMD size C
Макс.пульс.струм: 230mA
у наявності: 3783 шт
3571 шт - склад
56 шт - РАДІОМАГ-Київ
15 шт - РАДІОМАГ-Львів
30 шт - РАДІОМАГ-Харків
100 шт - РАДІОМАГ-Одеса
11 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість Ціна
4+3.00 грн
10+2.68 грн
100+2.47 грн
1000+2.10 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR120NPBF
Код товару: 32182
Додати до обраних Обраний товар

description irlr120npbf-datasheet.pdf
IRLR120NPBF
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 100 V
Idd,A: 10 А
Rds(on), Ohm: 0,185 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 440/20
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: SMD
у наявності: 442 шт
414 шт - склад
3 шт - РАДІОМАГ-Київ
5 шт - РАДІОМАГ-Львів
8 шт - РАДІОМАГ-Харків
1 шт - РАДІОМАГ-Одеса
11 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість Ціна
1+18.00 грн
10+15.90 грн
100+14.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.
5,1 kOhm 1% 0,25W 200V 1206 (RC1206FR-5K1R-Hitano) (резистор SMD)
Код товару: 1364
Додати до обраних Обраний товар

rc_series_20150401_1.pdf
5,1 kOhm 1% 0,25W 200V 1206 (RC1206FR-5K1R-Hitano) (резистор SMD)
Виробник: Hitano
SMD резистори > 1206
Номінал: 5,1 kOhm
Точність: ±1% F
Рном,W: 0,25 W
Uроб,V: 200 V
Типорозмір: 1206
товару немає в наявності
очікується: 10000 шт
10000 шт - очікується 15.07.2025
Кількість Ціна
100+0.22 грн
1000+0.16 грн
10000+0.13 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
300 kOhm 5% 0,25W 200V 1206 (RC1206JR-300K-Hitano) (резистор SMD)
Код товару: 2199
Додати до обраних Обраний товар

300 kOhm 5% 0,25W 200V 1206 (RC1206JR-300K-Hitano) (резистор SMD)
Виробник: Hitano
SMD резистори > 1206
Номінал: 300 kOhm
Точність: ±5% J
Рном,W: 0,25 W
Uроб,V: 200 V
Типорозмір: 1206
у наявності: 32647 шт
8436 шт - склад
4840 шт - РАДІОМАГ-Київ
4500 шт - РАДІОМАГ-Львів
3310 шт - РАДІОМАГ-Харків
8390 шт - РАДІОМАГ-Одеса
3171 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість Ціна
100+0.20 грн
1000+0.15 грн
10000+0.12 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.