
IRFB4110PBF

Код товару: 42666
Виробник: IRUds,V: 100 V
Idd,A: 180 A
Rds(on), Ohm: 4,5 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 9620/150
Монтаж: THT
у наявності 730 шт:
694 шт - склад
10 шт - РАДІОМАГ-Київ
4 шт - РАДІОМАГ-Львів
22 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 138.00 грн |
10+ | 123.20 грн |
100+ | 108.90 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Інші пропозиції IRFB4110PBF за ціною від 52.04 грн до 236.69 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IRFB4110PBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 10003 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRFB4110PBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 9333 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRFB4110PBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 380 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRFB4110PBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 75A, 10V Power Dissipation (Max): 370W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9620 pF @ 50 V |
на замовлення 1883 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRFB4110PBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 11783 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRFB4110PBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 130A; 370W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 130A Power dissipation: 370W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 4.5mΩ Mounting: THT Gate charge: 150nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
на замовлення 250 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRFB4110PBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 130A; 370W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 130A Power dissipation: 370W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 4.5mΩ Mounting: THT Gate charge: 150nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 250 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRFB4110PBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 388 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||
![]() |
IRFB4110PBF | Виробник : INFINEON |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 180A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 370W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0045ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
![]() |
IRFB4110PBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товару немає в наявності |
З цим товаром купують
10 Ohm 1% 0,25W 200V 1206 (RC1206FR-10R-Hitano) (резистор SMD) Код товару: 17834
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Hitano
SMD резистори > 1206
Номінал: 10 Ohm
Точність: ±1% F
Рном,W: 0,25 W
Uроб,V: 200 V
Типорозмір: 1206
SMD резистори > 1206
Номінал: 10 Ohm
Точність: ±1% F
Рном,W: 0,25 W
Uроб,V: 200 V
Типорозмір: 1206
у наявності: 1875 шт
685 шт - РАДІОМАГ-Київ
1190 шт - РАДІОМАГ-Львів
1190 шт - РАДІОМАГ-Львів
очікується:
10000 шт
10000 шт - очікується 28.08.2025
Кількість | Ціна |
---|---|
100+ | 0.22 грн |
1000+ | 0.16 грн |
10000+ | 0.13 грн |
47uF 35V EZV SMD sizeC 6.3x5.7 (low imp.) (EZV470M35RC) (електролітичний конденсатор SMD низькоімпедансний) Код товару: 23420
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Hitano
Конденсатори > Електролітичні SMD конденсатори
Ємність: 47 µF
Номін.напруга: 35 V
Серія: EZV-SMD низькоімпедансні
Темп.діапазон: -40...+105°C
Типорозмір,габарити: SMD size C
Макс.пульс.струм: 230mA
Конденсатори > Електролітичні SMD конденсатори
Ємність: 47 µF
Номін.напруга: 35 V
Серія: EZV-SMD низькоімпедансні
Темп.діапазон: -40...+105°C
Типорозмір,габарити: SMD size C
Макс.пульс.струм: 230mA
у наявності: 4137 шт
3921 шт - склад
51 шт - РАДІОМАГ-Київ
15 шт - РАДІОМАГ-Львів
30 шт - РАДІОМАГ-Харків
100 шт - РАДІОМАГ-Одеса
20 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
51 шт - РАДІОМАГ-Київ
15 шт - РАДІОМАГ-Львів
30 шт - РАДІОМАГ-Харків
100 шт - РАДІОМАГ-Одеса
20 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість | Ціна |
---|---|
4+ | 3.00 грн |
10+ | 2.68 грн |
100+ | 2.47 грн |
1000+ | 2.10 грн |
IRLR120NPBF Код товару: 32182
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
![]() |
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 100 V
Idd,A: 10 А
Rds(on), Ohm: 0,185 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 440/20
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: SMD
Uds,V: 100 V
Idd,A: 10 А
Rds(on), Ohm: 0,185 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 440/20
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: SMD
у наявності: 476 шт
448 шт - склад
3 шт - РАДІОМАГ-Київ
5 шт - РАДІОМАГ-Львів
8 шт - РАДІОМАГ-Харків
1 шт - РАДІОМАГ-Одеса
11 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
3 шт - РАДІОМАГ-Київ
5 шт - РАДІОМАГ-Львів
8 шт - РАДІОМАГ-Харків
1 шт - РАДІОМАГ-Одеса
11 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 18.00 грн |
10+ | 15.90 грн |
100+ | 14.20 грн |
5,1 kOhm 1% 0,25W 200V 1206 (RC1206FR-5K1R-Hitano) (резистор SMD) Код товару: 1364
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Hitano
SMD резистори > 1206
Номінал: 5,1 kOhm
Точність: ±1% F
Рном,W: 0,25 W
Uроб,V: 200 V
Типорозмір: 1206
SMD резистори > 1206
Номінал: 5,1 kOhm
Точність: ±1% F
Рном,W: 0,25 W
Uроб,V: 200 V
Типорозмір: 1206
товару немає в наявності
очікується:
10000 шт
10000 шт - очікується 15.07.2025
Кількість | Ціна |
---|---|
100+ | 0.22 грн |
1000+ | 0.16 грн |
10000+ | 0.13 грн |
300 kOhm 5% 0,25W 200V 1206 (RC1206JR-300K-Hitano) (резистор SMD) Код товару: 2199
Додати до обраних
Обраний товар
|
Виробник: Hitano
SMD резистори > 1206
Номінал: 300 kOhm
Точність: ±5% J
Рном,W: 0,25 W
Uроб,V: 200 V
Типорозмір: 1206
SMD резистори > 1206
Номінал: 300 kOhm
Точність: ±5% J
Рном,W: 0,25 W
Uроб,V: 200 V
Типорозмір: 1206
у наявності: 32847 шт
8536 шт - склад
4840 шт - РАДІОМАГ-Київ
4500 шт - РАДІОМАГ-Львів
3410 шт - РАДІОМАГ-Харків
8390 шт - РАДІОМАГ-Одеса
3171 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
4840 шт - РАДІОМАГ-Київ
4500 шт - РАДІОМАГ-Львів
3410 шт - РАДІОМАГ-Харків
8390 шт - РАДІОМАГ-Одеса
3171 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість | Ціна |
---|---|
100+ | 0.20 грн |
1000+ | 0.15 грн |
10000+ | 0.12 грн |