Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > IRFB4110PBF
IRFB4110PBF

IRFB4110PBF

infineon-irfb4110-datasheet-en.pdf
Код товару: 42666
6 Додати до обраних Обраний товар

Виробник: IR
Корпус: TO-220
Напруга сток-витік Uds, В: 100 В
Струм стоку Idd, А: 180 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 4,5 мОм
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 9620/150
Монтаж: THT
у наявності: 505 шт
  • 459 шт - склад
  • 28 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 18 шт - РАДІОМАГ-Харків
КількістьЦіна без ПДВ
1+138.00 грн
10+123.20 грн
100+108.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції IRFB4110PBF за ціною від 69.62 грн до 310.26 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IRFB4110PBF IRFB4110PBF Infineon Technologies infineonirfb4110datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+133.32 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4110PBF IRFB4110PBF Infineon Technologies infineonirfb4110datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+133.32 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4110PBF IRFB4110PBF Infineon Technologies infineonirfb4110datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 16150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
212+173.33 грн
500+163.56 грн
1000+155.02 грн
10000+140.07 грн
Мінімальне замовлення: 212 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4110PBF IRFB4110PBF INFINEON TECHNOLOGIES irfb4110pbf.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 130A; 370W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 130A
Power dissipation: 370W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 150nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 334 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+191.09 грн
10+140.09 грн
14+73.86 грн
37+69.62 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4110PBF IRFB4110PBF Infineon Technologies infineonirfb4110datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 3960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
73+203.12 грн
Мінімальне замовлення: 73 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4110PBF IRFB4110PBF Infineon Technologies infineonirfb4110datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 3963 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+203.81 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4110PBF IRFB4110PBF Infineon Technologies infineonirfb4110datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 175 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+231.72 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4110PBF IRFB4110PBF Infineon Technologies infineonirfb4110datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 175 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
64+231.72 грн
Мінімальне замовлення: 64 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4110PBF IRFB4110PBF Infineon Technologies infineonirfb4110datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1617 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
63+235.36 грн
Мінімальне замовлення: 63 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4110PBF IRFB4110PBF Infineon Technologies infineonirfb4110datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1617 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+235.79 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4110PBF IRFB4110PBF Infineon Technologies infineon-irfb4110-datasheet-en.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 120A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 370W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9620 pF @ 50 V
на замовлення 14737 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+310.26 грн
10+196.38 грн
50+152.44 грн
100+129.78 грн
500+106.50 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4110PBF IRFB4110PBF INFINEON 3733817.pdf Description: INFINEON - IRFB4110PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 180 A, 4500 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 370W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4500µohm
на замовлення 3932 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4110PBF infineonirfb4110datasheetv0101en.pdf
IRFB4110PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+133.32 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4110PBF infineonirfb4110datasheetv0101en.pdf
IRFB4110PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+133.32 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4110PBF infineonirfb4110datasheetv0101en.pdf
IRFB4110PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 16150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
212+173.33 грн
500+163.56 грн
1000+155.02 грн
10000+140.07 грн
Мінімальне замовлення: 212 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4110PBF irfb4110pbf.pdf
IRFB4110PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 130A; 370W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 130A
Power dissipation: 370W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 150nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 334 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+191.09 грн
10+140.09 грн
14+73.86 грн
37+69.62 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4110PBF infineonirfb4110datasheetv0101en.pdf
IRFB4110PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 3960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
73+203.12 грн
Мінімальне замовлення: 73 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4110PBF infineonirfb4110datasheetv0101en.pdf
IRFB4110PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 3963 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+203.81 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4110PBF infineonirfb4110datasheetv0101en.pdf
IRFB4110PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 175 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+231.72 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4110PBF infineonirfb4110datasheetv0101en.pdf
IRFB4110PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 175 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
64+231.72 грн
Мінімальне замовлення: 64 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4110PBF infineonirfb4110datasheetv0101en.pdf
IRFB4110PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1617 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
63+235.36 грн
Мінімальне замовлення: 63 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4110PBF infineonirfb4110datasheetv0101en.pdf
IRFB4110PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1617 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+235.79 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4110PBF infineon-irfb4110-datasheet-en.pdf
IRFB4110PBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 120A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 370W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9620 pF @ 50 V
на замовлення 14737 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+310.26 грн
10+196.38 грн
50+152.44 грн
100+129.78 грн
500+106.50 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4110PBF 3733817.pdf
IRFB4110PBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFB4110PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 180 A, 4500 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 370W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4500µohm
на замовлення 3932 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.

З цим товаром купують

Прокладка силіконова TO-220 13x18x0,3mm (Sili.TO220 13 * 18mm (0 .3mm))
Код товару: 123772
5 Додати до обраних Обраний товар
Прокладка силіконова TO-220 13x18x0,3mm (Sili.TO220 13 * 18mm (0 .3mm))
Ізоляційні матеріали
Група: Прокладка теплопровідна
Опис: Розміри: 13x18x0.3mm з отвором Ø3mm, -60 + 180 ° C, 1, 22W
Розмір: 13х18х0,3мм
Матеріал: Силікон
Колір: Білий
на замовлення: 7 шт
  • 7 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+2.86 грн
10+2.00 грн
100+0.80 грн
1000+0.50 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TL494CDR
Код товару: 123303
4 Додати до обраних Обраний товар
suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Ftl494
TL494CDR
Виробник: TI
Мікросхеми > Джерел живлення
Корпус: SOIC-16
Призначення і характеристики: імпульсні контролери, ШІМ-контролер
Напруга вхідна, В: 40 В
Iвих., А: 0,2 А
Частота Fosc, кГц: 300 кГц
Темп. діапазон: -40…+85°С
у наявності: 411 шт
  • 365 шт - склад
  • 23 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 7 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 14 шт - РАДІОМАГ-Харків
  • 2 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
КількістьЦіна без ПДВ
2+12.00 грн
10+10.80 грн
100+9.70 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CRG40T60AN3H
Код товару: 189198
5 Додати до обраних Обраний товар
P020210520320339868480.pdf
CRG40T60AN3H
Виробник: CRMICRO
Транзистори > IGBT
Корпус: TO-3P
Напруга колектор-емітер Vces, В: 600 В
Напруга насичення Vce, В: 1,9 В
Струм колектора Ic при 25°С, А: 80 А
Струм колектора Ic при 100°С, А: 40 А
Розсіювана потужність Pd при 25°С, Вт: 280 Вт
Час вмикання/вимикання td(on)/td(off) при 100-150°С, ns: 46,8/147,7
у наявності: 527 шт
  • 443 шт - склад
  • 36 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 48 шт - РАДІОМАГ-Львів
очікується: 24 шт
  • 24 шт - очікується
на замовлення: 8 шт
  • 8 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+70.00 грн
10+65.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MER 100nF 100V J(+/-5%), P=10mm; 5,5x10x13mm (MER104J2AB-Hitano) (конденсатор плівковий)
Код товару: 2897
Додати до обраних Обраний товар
MER_070523.pdf
MER 100nF 100V J(+/-5%), P=10mm; 5,5x10x13mm (MER104J2AB-Hitano) (конденсатор плівковий)
Виробник: Hitano
Конденсатори > Плівкові конденсатори
Ємність: 100 нФ
Ном.напруга, В: 100 VDC
Точність: ±5% J
Крок виводів: 10 мм
Діелектрик: Поліестер
Розмір корпуса: 5,5x10x13 мм
Part Number: MER104J2AB
УКТЗЕД: 8532 29 00 00
товару немає в наявності
очікується: 2022 шт
  • 2000 шт - очікується 15.01.2027
  • 22 шт - очікується
КількістьЦіна без ПДВ
5+4.50 грн
10+4.00 грн
100+3.60 грн
1000+3.10 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IR2103S
Код товару: 22633
1 Додати до обраних Обраний товар
description ir2103.pdf?fileId=5546d462533600a4015355c7b54b166f
IR2103S
Виробник: IR
Мікросхеми > Драйвери транзисторів
Корпус: SO-8
Напруга живлення Uc, В: 600 В
Вихідний струм Io ±, А: 0,13/0,27 А
Вихідна напруга Vout, В: 10-20 В
Час вмик./вимк. Ton/Toff, ns: 680/150 ns
Примітка: Напівміст
Конфігурація: Напівміст
у наявності: 156 шт
  • 94 шт - склад
  • 48 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 6 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 8 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
КількістьЦіна без ПДВ
1+35.50 грн
10+31.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.