Продукція > INFINEON > IRFB4110PBFXKMA1
IRFB4110PBFXKMA1

IRFB4110PBFXKMA1 INFINEON

3733817.pdf Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFB4110PBFXKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 180 A, 4500 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 370W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4500µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 130 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+193.10 грн
10+126.45 грн
100+90.57 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRFB4110PBFXKMA1 INFINEON

Description: INFINEON - IRFB4110PBFXKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 180 A, 4500 µohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 180A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 370W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: HEXFET Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4500µohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції IRFB4110PBFXKMA1 за ціною від 65.66 грн до 232.81 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRFB4110PBFXKMA1 IRFB4110PBFXKMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IRFB4110-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d462533600a401535615a9571e0b Description: TRENCH >=100V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Supplier Device Package: TO-220AB
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 370W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9620 pF @ 50 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+215.04 грн
50+100.36 грн
100+93.28 грн
500+70.98 грн
1000+65.66 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4110PBFXKMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IRFB4110-DataSheet-v01_01-EN.pdf MOSFETs TRENCH >=100V
на замовлення 528 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+232.81 грн
10+115.62 грн
100+90.64 грн
500+73.35 грн
1000+67.48 грн
2000+66.95 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4110PBFXKMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IRFB4110-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d462533600a401535615a9571e0b IRFB4110PBFXKMA1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4110PBFXKMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IRFB4110-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d462533600a401535615a9571e0b IRFB4110PBFXKMA1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.