Продукція > INFINEON > IRFB4110PBFXKMA1
IRFB4110PBFXKMA1

IRFB4110PBFXKMA1 INFINEON

3733817.pdf
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFB4110PBFXKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 180 A, 4500 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 370W
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4500µohm
на замовлення 612 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
5+204.75 грн
10+124.17 грн
100+106.08 грн
500+81.70 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRFB4110PBFXKMA1 INFINEON

Description: INFINEON - IRFB4110PBFXKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 180 A, 4500 µohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 180A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, Verlustleistung: 370W, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025), Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: HEXFET Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4500µohm.

Інші пропозиції IRFB4110PBFXKMA1 за ціною від 68.51 грн до 268.01 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
IRFB4110PBFXKMA1 IRFB4110PBFXKMA1 Infineon Technologies Infineon-IRFB4110-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d462533600a401535615a9571e0b Description: TRENCH >=100V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Supplier Device Package: TO-220AB
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 370W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9620 pF @ 50 V
на замовлення 748 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+268.01 грн
50+128.84 грн
100+116.29 грн
500+88.48 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4110PBFXKMA1 Infineon Technologies Infineon-IRFB4110-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d462533600a401535615a9571e0b IRFB4110PBFXKMA1
на замовлення 228000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
226+156.76 грн
500+141.44 грн
1000+129.65 грн
10000+111.86 грн
100000+86.78 грн
Мінімальне замовлення: 226 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4110PBFXKMA1 Infineon Technologies Infineon_IRFB4110_DataSheet_v01_01_EN.pdf MOSFETs IR FET >60-400V
на замовлення 58 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+239.29 грн
10+117.53 грн
100+93.04 грн
500+75.42 грн
1000+68.51 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4110PBFXKMA1 Infineon-IRFB4110-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d462533600a401535615a9571e0b
IRFB4110PBFXKMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: TRENCH >=100V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Supplier Device Package: TO-220AB
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 370W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9620 pF @ 50 V
на замовлення 748 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+268.01 грн
50+128.84 грн
100+116.29 грн
500+88.48 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4110PBFXKMA1 Infineon-IRFB4110-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d462533600a401535615a9571e0b
Виробник: Infineon Technologies
IRFB4110PBFXKMA1
на замовлення 228000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
226+156.76 грн
500+141.44 грн
1000+129.65 грн
10000+111.86 грн
100000+86.78 грн
Мінімальне замовлення: 226 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4110PBFXKMA1 Infineon_IRFB4110_DataSheet_v01_01_EN.pdf
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs IR FET >60-400V
на замовлення 58 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
2+239.29 грн
10+117.53 грн
100+93.04 грн
500+75.42 грн
1000+68.51 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.