Продукція > INFINEON > IRFB4110PBFXKMA1

IRFB4110PBFXKMA1 INFINEON

Name: IRFB4110PBFXKMA1
Brand: INFINEON
SKU: 10909275-6
Price: 945.14 UAH
Availability: InStock

Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFB4110PBFXKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 180 A, 0.0045 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 370W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0045ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 733 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
7+	135.02 грн
10+	117.73 грн
100+	97.97 грн
500+	81.04 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис IRFB4110PBFXKMA1 INFINEON

Description: INFINEON - IRFB4110PBFXKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 180 A, 0.0045 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 180A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 370W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: HEXFET Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0045ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції IRFB4110PBFXKMA1

Назва	Виробник	Інформація	Доступність	Ціна
IRFB4110PBFXKMA1	Виробник : Infineon Technologies	IRFB4110PBFXKMA1	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
IRFB4110PBFXKMA1	Виробник : Infineon Technologies	IRFB4110PBFXKMA1	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
IRFB4110PBFXKMA1	Виробник : Infineon Technologies	Description: TRENCH >=100V Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Supplier Device Package: TO-220AB Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 75A, 10V Power Dissipation (Max): 370W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9620 pF @ 50 V	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
IRFB4110PBFXKMA1	Виробник : Infineon Technologies	MOSFETs TRENCH >=100V	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.