IRFB4127PBF

IRFB4127PBF


irfb4127pbf-datasheet.pdf
Код товару: 37966
Виробник: IR
Корпус: TO-220
Uds,V: 200 V
Idd,A: 76 A
Rds(on), Ohm: 17 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 5380/100
Монтаж: THT
товару немає в наявності

очікується 31 шт:

31 шт - очікується
Кількість Ціна
1+68.00 грн
10+62.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції IRFB4127PBF за ціною від 66.12 грн до 259.69 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRFB4127PBF IRFB4127PBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfb4127-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 76A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1381 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+86.50 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4127PBF IRFB4127PBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfb4127-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 76A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 438 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
135+90.72 грн
250+89.81 грн
Мінімальне замовлення: 135
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4127PBF IRFB4127PBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfb4127-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 76A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 438 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+92.33 грн
10+91.41 грн
25+90.50 грн
50+81.62 грн
100+75.21 грн
250+71.48 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4127PBF IRFB4127PBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfb4127-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 76A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+93.15 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4127PBF IRFB4127PBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfb4127-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 76A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 8530 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+98.80 грн
10+97.92 грн
25+91.60 грн
100+87.57 грн
250+80.30 грн
500+76.64 грн
1000+66.80 грн
5000+66.12 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4127PBF IRFB4127PBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfb4127-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 76A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 8530 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
117+105.39 грн
Мінімальне замовлення: 117
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4127PBF IRFB4127PBF Виробник : Infineon Technologies Infineon_IRFB4127_DataSheet_v01_01_EN-3363120.pdf MOSFETs MOSFT 200V 76A 20mOhm 100nC Qg
на замовлення 9174 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+126.77 грн
10+124.09 грн
25+89.80 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4127PBF IRFB4127PBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfb4127-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 76A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 5625 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
239+128.42 грн
500+122.30 грн
1000+115.17 грн
Мінімальне замовлення: 239
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4127PBF IRFB4127PBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E5921B721F1A6F5005056AB5A8F&compId=irfb4127pbf.pdf?ci_sign=ddafc47e6f7b0c1ae62e3c82167c1dd582ee261f Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 76A; 375W; TO220AB
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 76A
On-state resistance: 20mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 375W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 0.1µC
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Case: TO220AB
на замовлення 104 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+128.67 грн
10+97.47 грн
12+82.53 грн
25+79.39 грн
31+77.82 грн
100+74.67 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4127PBF IRFB4127PBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfb4127-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 76A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1646 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
95+128.98 грн
Мінімальне замовлення: 95
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4127PBF IRFB4127PBF Виробник : INFINEON INFN-S-A0012838427-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFB4127PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 76 A, 0.017 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 76A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.017ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 760 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+138.83 грн
10+137.98 грн
100+110.05 грн
500+101.40 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4127PBF IRFB4127PBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E5921B721F1A6F5005056AB5A8F&compId=irfb4127pbf.pdf?ci_sign=ddafc47e6f7b0c1ae62e3c82167c1dd582ee261f Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 76A; 375W; TO220AB
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 76A
On-state resistance: 20mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 375W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 0.1µC
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Case: TO220AB
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 104 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+154.40 грн
10+121.46 грн
12+99.04 грн
25+95.27 грн
31+93.38 грн
100+89.61 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4127PBF IRFB4127PBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfb4127-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 76A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
48+259.69 грн
Мінімальне замовлення: 48
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4127PBF IRFB4127PBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfb4127-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 76A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 67187 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4127PBF IRFB4127PBF Виробник : Infineon Technologies irfb4127pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535615c2ef1e11 Description: MOSFET N-CH 200V 76A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 76A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 44A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5380 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.

З цим товаром купують

47uH ±10% аксіальний дросель 110mA 4,9 Ohm (LGA0307-470K Pbf-BOCHEN)
Код товару: 122303
Додати до обраних Обраний товар

da004700k0307-datasheet.pdf
47uH ±10% аксіальний дросель 110mA 4,9 Ohm (LGA0307-470K Pbf-BOCHEN)
Виробник: Bochen
Індуктивності, дроселі > Індуктивності малопотужні вивідні
Номінал: 47 µH
Точність: ±10%
Характеристики: аксіальні, I=0.11 A, R=4.9 Ohm, Q=50@f=2.52MHz, SRF=6,3MHz
Габарити: 3,0x7мм
у наявності: 1798 шт
1580 шт - склад
56 шт - РАДІОМАГ-Київ
21 шт - РАДІОМАГ-Львів
47 шт - РАДІОМАГ-Харків
66 шт - РАДІОМАГ-Одеса
28 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість Ціна
4+3.00 грн
10+2.40 грн
100+1.90 грн
1000+1.60 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
22uH 10% (SPT0305A-220K-5 TDK) (індуктивність аксіальна)
Код товару: 75964
Додати до обраних Обраний товар

22uH 10% (SPT0305A-220K-5 TDK) (індуктивність аксіальна)
Виробник: TDK
Індуктивності, дроселі > Індуктивності малопотужні вивідні
Номінал: 22 µH
Точність: ±10%
Характеристики: аксіальні
Габарити: 2,8х7мм
у наявності: 8 шт
8 шт - склад
очікується: 2000 шт
2000 шт - очікується 19.07.2025
Кількість Ціна
4+2.50 грн
10+1.70 грн
100+1.30 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1404PBF
Код товару: 31360
Додати до обраних Обраний товар

irf1404pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355dae92618b0
IRF1404PBF
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 40 V
Idd,A: 202 A
Rds(on), Ohm: 0,004 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 7360/160
Монтаж: THT
у наявності: 90 шт
36 шт - склад
16 шт - РАДІОМАГ-Київ
10 шт - РАДІОМАГ-Львів
8 шт - РАДІОМАГ-Харків
10 шт - РАДІОМАГ-Одеса
10 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
очікується: 803 шт
3 шт - очікується
800 шт - очікується 19.07.2025
Кількість Ціна
1+48.00 грн
10+44.00 грн
100+39.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BZX384-C5V6
Код товару: 26551
Додати до обраних Обраний товар

BZX384.pdf
BZX384-C5V6
Виробник: NXP
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Стабілітрони
Корпус: SOD-323
Напруга стабілізації, Vz: 5,6 V
Струм стабілізації, Izt: 5mA
Потужність, Pd: 0,3 W
Монтаж: SMD
Температурний коефіцієнт: 1.2mV/K
у наявності: 276 шт
139 шт - склад
50 шт - РАДІОМАГ-Київ
87 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість Ціна
4+2.50 грн
10+1.70 грн
100+1.60 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205PBF
Код товару: 25094
Додати до обраних Обраний товар

irf3205pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355def244190a
IRF3205PBF
Виробник: IR/Infineon
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 55 V
Idd,A: 110 A
Rds(on), Ohm: 0,0065 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 3450/76
Монтаж: THT
у наявності: 5689 шт
5405 шт - склад
18 шт - РАДІОМАГ-Київ
91 шт - РАДІОМАГ-Львів
28 шт - РАДІОМАГ-Харків
147 шт - РАДІОМАГ-Одеса
Кількість Ціна
1+30.00 грн
10+29.00 грн
100+28.00 грн
1000+27.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.