IRFB4127PBF Infineon Technologies
на замовлення 381 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 381+ | 94.99 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRFB4127PBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRFB4127PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 76 A, 0.02 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 200V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 76A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 375W, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 20V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції IRFB4127PBF за ціною від 62.00 грн до 296.07 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRFB4127PBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
 Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 76A; 375W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 76A Power dissipation: 375W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 20mΩ Mounting: THT Gate charge: 0.1µC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
на замовлення 753 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRFB4127PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 200V 76A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 24773 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRFB4127PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 200V 76A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 76A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 44A, 10V Power Dissipation (Max): 375W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5380 pF @ 50 V |
на замовлення 80 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRFB4127PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 200V 76A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 24773 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRFB4127PBF | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFT 200V 76A 20mOhm 100nC Qg |
на замовлення 8003 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRFB4127PBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 76A; 375W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 76A Power dissipation: 375W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 20mΩ Mounting: THT Gate charge: 0.1µC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 753 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRFB4127PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 200V 76A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 346 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRFB4127PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 200V 76A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 1304 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRFB4127PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 200V 76A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 4125 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRFB4127PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 200V 76A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 346 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRFB4127PBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRFB4127PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 76 A, 0.02 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 76A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 375W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 20V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 161 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRFB4127PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 200V 76A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 1900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRFB4127PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 200V 76A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 67187 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
|
|
IRFB4127PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 200V 76A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 381 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
 |
IRFB4127PBF Код товару: 37966
Додати до обраних
Обраний товар
|
Виробник : IR |
Транзистори > Польові N-канальні Корпус: TO-220 Uds,V: 200 V Idd,A: 76 A Rds(on), Ohm: 17 mOhm Ciss, pF/Qg, nC: 5380/100 Монтаж: THT |
товару немає в наявності
|
|