Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > IRFB4127PBF
IRFB4127PBF

IRFB4127PBF

irfb4127pbf-datasheet.pdf
Код товару: 37966
Додати до обраних Обраний товар

Виробник: IR
Корпус: TO-220
Uds,V: 200 V
Idd,A: 76 A
Rds(on), Ohm: 17 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 5380/100
Монтаж: THT
товару немає в наявності
Кількість Ціна
1+68.00 грн
10+62.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції IRFB4127PBF за ціною від 79.52 грн до 308.98 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRFB4127PBF IRFB4127PBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES irfb4127pbf.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 76A; 375W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 76A
Power dissipation: 375W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 20mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.1µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 999 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+128.91 грн
10+101.28 грн
20+92.08 грн
50+79.52 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4127PBF IRFB4127PBF Виробник : Infineon Technologies Infineon_IRFB4127_DataSheet_v01_01_EN.pdf MOSFETs MOSFT 200V 76A 20mOhm 100nC Qg
на замовлення 6605 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+247.45 грн
10+136.75 грн
100+93.18 грн
500+86.93 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4127PBF IRFB4127PBF Виробник : Infineon Technologies irfb4127pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535615c2ef1e11 Description: MOSFET N-CH 200V 76A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 76A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 44A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5380 pF @ 50 V
на замовлення 1108 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+270.69 грн
10+170.94 грн
100+119.82 грн
500+91.95 грн
1000+85.37 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4127PBF IRFB4127PBF Виробник : Infineon Technologies infineonirfb4127datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 76A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 46 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+288.50 грн
10+178.44 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4127PBF IRFB4127PBF Виробник : INFINEON INFN-S-A0012838427-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFB4127PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 76 A, 0.02 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 76A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1572 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+297.75 грн
10+171.19 грн
100+135.49 грн
500+114.51 грн
1000+103.62 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4127PBF IRFB4127PBF Виробник : Infineon Technologies infineonirfb4127datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 76A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1304 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
47+301.43 грн
76+185.13 грн
100+148.57 грн
500+116.75 грн
Мінімальне замовлення: 47
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4127PBF IRFB4127PBF Виробник : Infineon Technologies infineonirfb4127datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 76A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1895 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
46+308.98 грн
48+295.71 грн
50+284.44 грн
100+264.97 грн
250+237.90 грн
500+222.17 грн
1000+216.74 грн
Мінімальне замовлення: 46
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4127PBF IRFB4127PBF Виробник : Infineon Technologies infineonirfb4127datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 76A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 46 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4127PBF IRFB4127PBF Виробник : Infineon Technologies infineonirfb4127datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 76A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4127PBF Виробник : International Rectifier irfb4127pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535615c2ef1e11 MOSFET N-CH 200V 76A TO-220AB Група товару: Транзистори Од. вим: шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.

З цим товаром купують

1uF 50V X7R 10% 0805 (CL21B105KBFNNNG – Samsung)
Код товару: 60674
2 Додати до обраних Обраний товар
cl_series_mlcc_datasheet.pdf
1uF 50V X7R 10% 0805 (CL21B105KBFNNNG – Samsung)
Виробник: Samsung
Керамічні SMD конденсатори > 0805
Ємність: 1 µF
Номін.напруга: 50 V
Діелектрик: X7R
Точність: ±10% K
Типорозмір: 0805
у наявності: 971 шт
250 шт - РАДІОМАГ-Київ
721 шт - РАДІОМАГ-Львів
Кількість Ціна
20+1.50 грн
100+1.30 грн
1000+1.00 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
100 kOhm 3296W (KLS4-3296W-104)
Код товару: 98326
4 Додати до обраних Обраний товар
kls4-3296-datasheet.pdf
100 kOhm 3296W (KLS4-3296W-104)
Виробник: KLS
Підстроювальні резистори > Вивідні
Номінал: 100 kOhm
Серія: 3296W
Опис: настроювальний, вивідний, багатооборотний, регулювання зверху
Габарити: 9,53x10,03x4,83 mm
Тип монтажу: Вертикальний
Потужність: 0,5 W
Механізм роботи: Багатооборотний
у наявності: 160 шт
92 шт - склад
25 шт - РАДІОМАГ-Київ
29 шт - РАДІОМАГ-Львів
8 шт - РАДІОМАГ-Харків
6 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
очікується: 1000 шт
1000 шт - очікується
Кількість Ціна
2+10.00 грн
10+9.00 грн
100+8.00 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
MBRF20200CT
Код товару: 107943
Додати до обраних Обраний товар
mbrf20200ct-d.pdf
MBRF20200CT
Виробник: ON
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди Шотткі
Корпус: TO-220
Зворотня напруга, Vrrm: 200 V
Прямий струм (per leg), If: 10 A
Падіння напруги, Vf: 0,8 V
Примітка: Конструкція: два діоди в одному корпусі, загальний катод, струм 10 А на діод.
Монтаж: THT
Імпульсний струм, Ifsm: 150 A
товару немає в наявності
Кількість Ціна
1+27.50 грн
10+24.80 грн
100+21.80 грн
1000+19.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.
22uF 25V X5R 0805 (CL21A226MAQNNNE-Samsung)
Код товару: 127198
3 Додати до обраних Обраний товар
22uF 25V X5R 0805 (CL21A226MAQNNNE-Samsung)
Виробник: Samsung
Керамічні SMD конденсатори > 0805
Ємність: 22 µF
Номін.напруга: 25 V
Діелектрик: X5R
Точність: ±20% M
Типорозмір: 0805
у наявності: 21544 шт
18130 шт - склад
1071 шт - РАДІОМАГ-Київ
266 шт - РАДІОМАГ-Львів
577 шт - РАДІОМАГ-Харків
1500 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість Ціна
10+5.10 грн
100+4.20 грн
1000+3.30 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
47nF 50V X7R 10% 0805 4k/reel (C0805B473K500NT-Hitano) (конденсатор керамічний SMD)
Код товару: 1333
Додати до обраних Обраний товар
X7R_X5R.pdf
47nF 50V X7R 10% 0805 4k/reel (C0805B473K500NT-Hitano) (конденсатор керамічний SMD)
Виробник: Hitano
Керамічні SMD конденсатори > 0805
Ємність: 47 nF
Номін.напруга: 50 V
Діелектрик: X7R
Точність: ±10% K
Типорозмір: 0805
у наявності: 2355 шт
395 шт - склад
1190 шт - РАДІОМАГ-Львів
770 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість Ціна
30+0.70 грн
100+0.60 грн
1000+0.50 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.