Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > IRFB4127PBF
IRFB4127PBF

IRFB4127PBF

irfb4127pbf-datasheet.pdf
Код товару: 37966
Додати до обраних Обраний товар

Виробник: IR
Корпус: TO-220
Uds,V: 200 V
Idd,A: 76 A
Rds(on), Ohm: 17 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 5380/100
Монтаж: THT
товару немає в наявності
КількістьЦіна
1+68.00 грн
10+62.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції IRFB4127PBF за ціною від 79.85 грн до 313.86 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
IRFB4127PBF IRFB4127PBF INFINEON TECHNOLOGIES irfb4127pbf.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 76A; 375W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 76A
Power dissipation: 375W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 20mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.1µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 999 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+129.44 грн
10+101.70 грн
20+92.46 грн
50+79.85 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4127PBF IRFB4127PBF Infineon Technologies Infineon_IRFB4127_DataSheet_v01_01_EN.pdf MOSFETs MOSFT 200V 76A 20mOhm 100nC Qg
на замовлення 6605 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+248.47 грн
10+137.32 грн
100+93.57 грн
500+87.28 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4127PBF IRFB4127PBF Infineon Technologies irfb4127pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535615c2ef1e11 Description: MOSFET N-CH 200V 76A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 76A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 44A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5380 pF @ 50 V
на замовлення 1108 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+271.80 грн
10+171.64 грн
100+120.32 грн
500+92.33 грн
1000+85.72 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4127PBF IRFB4127PBF Infineon Technologies infineonirfb4127datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 76A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 46 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+293.05 грн
10+181.26 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4127PBF IRFB4127PBF INFINEON INFN-S-A0012838427-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFB4127PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 76 A, 0.02 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 76A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 375W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
на замовлення 1560 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+296.53 грн
10+186.56 грн
100+140.12 грн
500+109.69 грн
1000+96.36 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4127PBF IRFB4127PBF Infineon Technologies infineonirfb4127datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 76A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1304 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
47+306.19 грн
76+188.06 грн
100+150.92 грн
500+118.59 грн
Мінімальне замовлення: 47 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4127PBF IRFB4127PBF Infineon Technologies infineonirfb4127datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 76A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1895 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
46+313.86 грн
48+300.38 грн
50+288.93 грн
100+269.16 грн
250+241.66 грн
500+225.68 грн
1000+220.17 грн
Мінімальне замовлення: 46 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4127PBF IRFB4127PBF Infineon Technologies infineonirfb4127datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 76A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 46 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4127PBF irfb4127pbf.pdf
IRFB4127PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 76A; 375W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 76A
Power dissipation: 375W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 20mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.1µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 999 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна
4+129.44 грн
10+101.70 грн
20+92.46 грн
50+79.85 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4127PBF Infineon_IRFB4127_DataSheet_v01_01_EN.pdf
IRFB4127PBF
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 200V 76A 20mOhm 100nC Qg
на замовлення 6605 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
2+248.47 грн
10+137.32 грн
100+93.57 грн
500+87.28 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4127PBF irfb4127pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535615c2ef1e11
IRFB4127PBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 200V 76A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 76A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 44A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5380 pF @ 50 V
на замовлення 1108 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+271.80 грн
10+171.64 грн
100+120.32 грн
500+92.33 грн
1000+85.72 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4127PBF infineonirfb4127datasheetv0101en.pdf
IRFB4127PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 200V 76A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 46 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3+293.05 грн
10+181.26 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4127PBF INFN-S-A0012838427-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFB4127PBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFB4127PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 76 A, 0.02 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 76A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 375W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
на замовлення 1560 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3+296.53 грн
10+186.56 грн
100+140.12 грн
500+109.69 грн
1000+96.36 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4127PBF infineonirfb4127datasheetv0101en.pdf
IRFB4127PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 200V 76A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1304 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
47+306.19 грн
76+188.06 грн
100+150.92 грн
500+118.59 грн
Мінімальне замовлення: 47 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4127PBF infineonirfb4127datasheetv0101en.pdf
IRFB4127PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 200V 76A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1895 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
46+313.86 грн
48+300.38 грн
50+288.93 грн
100+269.16 грн
250+241.66 грн
500+225.68 грн
1000+220.17 грн
Мінімальне замовлення: 46 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4127PBF infineonirfb4127datasheetv0101en.pdf
IRFB4127PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 200V 76A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 46 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.

З цим товаром купують

1uF 50V X7R 10% 0805 (CL21B105KBFNNNG – Samsung)
Код товару: 60674
2 Додати до обраних Обраний товар
cl_series_mlcc_datasheet.pdf
1uF 50V X7R 10% 0805 (CL21B105KBFNNNG – Samsung)
Виробник: Samsung
Керамічні SMD конденсатори > 0805
Ємність: 1 µF
Номін.напруга: 50 V
Діелектрик: X7R
Точність: ±10% K
Типорозмір: 0805
у наявності: 941 шт
  • 240 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 701 шт - РАДІОМАГ-Львів
КількістьЦіна
20+1.50 грн
100+1.30 грн
1000+1.00 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
100 kOhm 3296W (KLS4-3296W-104)
Код товару: 98326
4 Додати до обраних Обраний товар
kls4-3296-datasheet.pdf
100 kOhm 3296W (KLS4-3296W-104)
Виробник: KLS
Підстроювальні резистори > Вивідні
Номінал: 100 kOhm
Серія: 3296W
Опис: настроювальний, вивідний, багатооборотний, регулювання зверху
Габарити: 9,53x10,03x4,83 mm
Тип монтажу: Вертикальний
Потужність: 0,5 W
Механізм роботи: Багатооборотний
у наявності: 114 шт
  • 67 шт - склад
  • 10 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 29 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 6 шт - РАДІОМАГ-Харків
  • 2 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
очікується: 1020 шт
  • 1000 шт - очікується 06.10.2026
  • 20 шт - очікується
КількістьЦіна
2+10.00 грн
10+9.00 грн
100+8.00 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MBRF20200CT
Код товару: 107943
Додати до обраних Обраний товар
mbrf20200ct-d.pdf
MBRF20200CT
Виробник: ON
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди Шотткі
Корпус: TO-220
Зворотня напруга, Vrrm: 200 V
Прямий струм (per leg), If: 10 A
Падіння напруги, Vf: 0,8 V
Примітка: Конструкція: два діоди в одному корпусі, загальний катод, струм 10 А на діод.
Монтаж: THT
Імпульсний струм, Ifsm: 150 A
товару немає в наявності
КількістьЦіна
1+27.50 грн
10+24.80 грн
100+21.80 грн
1000+19.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.
22uF 25V X5R 0805 (CL21A226MAQNNNE-Samsung)
Код товару: 127198
3 Додати до обраних Обраний товар
22uF 25V X5R 0805 (CL21A226MAQNNNE-Samsung)
Виробник: Samsung
Керамічні SMD конденсатори > 0805
Ємність: 22 µF
Номін.напруга: 25 V
Діелектрик: X5R
Точність: ±20% M
Типорозмір: 0805
у наявності: 17914 шт
  • 14430 шт - склад
  • 1261 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 246 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 577 шт - РАДІОМАГ-Харків
  • 1400 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
КількістьЦіна
10+5.10 грн
100+4.20 грн
1000+3.30 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
47nF 50V X7R 10% 0805 4k/reel (C0805B473K500NT-Hitano) (конденсатор керамічний SMD)
Код товару: 1333
Додати до обраних Обраний товар
X7R_X5R.pdf
47nF 50V X7R 10% 0805 4k/reel (C0805B473K500NT-Hitano) (конденсатор керамічний SMD)
Виробник: Hitano
Керамічні SMD конденсатори > 0805
Ємність: 47 nF
Номін.напруга: 50 V
Діелектрик: X7R
Точність: ±10% K
Типорозмір: 0805
у наявності: 175 шт
  • 175 шт - РАДІОМАГ-Львів
КількістьЦіна
30+0.70 грн
100+0.60 грн
1000+0.50 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.