
на замовлення 2963 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 237.64 грн |
10+ | 170.44 грн |
100+ | 120.09 грн |
500+ | 106.41 грн |
1000+ | 91.21 грн |
2000+ | 86.65 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRFB4127PBFXKMA1 Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 200V 76A TO220AB, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 76A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 44A, 10V, Power Dissipation (Max): 375W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220AB, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5380 pF @ 50 V.
Інші пропозиції IRFB4127PBFXKMA1 за ціною від 84.08 грн до 267.20 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IRFB4127PBFXKMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 76A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 44A, 10V Power Dissipation (Max): 375W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5380 pF @ 50 V |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
IRFB4127PBFXKMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товару немає в наявності |
||||||||||||||
IRFB4127PBFXKMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товару немає в наявності |