IRFB4137PBF Infineon Technologies
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 127.12 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRFB4137PBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRFB4137PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 300 V, 38 A, 0.069 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 300V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 38A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 341W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.069ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції IRFB4137PBF за ціною від 105.89 грн до 350.33 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRFB4137PBF | Виробник : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 300V 38A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 574 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IRFB4137PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 300V 38A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 342 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IRFB4137PBF | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs 300V, 40A, 69 mOhm 83 nC Qg, TO-220AB |
на замовлення 398 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IRFB4137PBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRFB4137PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 300 V, 38 A, 0.069 ohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 300V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 38A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 341W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.069ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 368 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IRFB4137PBF Код товару: 58576
Додати до обраних
Обраний товар
|
Транзистори > Польові N-канальні |
товару немає в наявності
|
||||||||||||||
|
|
IRFB4137PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 300V 38A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
|
|
IRFB4137PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 300V 38A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
 |
IRFB4137PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 300V 38A TO220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 69mOhm @ 24A, 10V Power Dissipation (Max): 341W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 125 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5168 pF @ 50 V |
товару немає в наявності |