Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRFB41N15DPBF Infineon / IR
Description: MOSFET N-CH 150V 41A TO220AB, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2520 pF @ 25 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V, Vgs (Max): ±30V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Part Status: Obsolete, Supplier Device Package: TO-220AB, Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 200W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 25A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-220-3, Packaging: Tube.
Інші пропозиції IRFB41N15DPBF
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| IRFB41N15DPBF | International Rectifier |
MOSFET N-CH 150V 41A TO-220AB Транзистори |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |
|
IRFB41N15DPBF | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 150V 41A TO220ABInput Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2520 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Vgs (Max): ±30V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: TO-220AB Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA Power Dissipation (Max): 200W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 25A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Packaging: Tube |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
|
IRFB41N15DPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRFB41N15DPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 41 A, 0.045 ohm, TO-220AB, DurchsteckmontageTransistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150 Dauer-Drainstrom Id: 41 Rds(on)-Messspannung Vgs: 10 Verlustleistung Pd: 200 Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.045 Betriebstemperatur, max.: 175 Schwellenspannung Vgs: 5.5 SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
| IRFB41N15DPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 150V 41A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. |
| IRFB41N15DPBF |
![]() |
Виробник: International Rectifier
MOSFET N-CH 150V 41A TO-220AB Транзистори
MOSFET N-CH 150V 41A TO-220AB Транзистори
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IRFB41N15DPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 150V 41A TO220AB
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2520 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-220AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Description: MOSFET N-CH 150V 41A TO220AB
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2520 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-220AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IRFB41N15DPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFB41N15DPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 41 A, 0.045 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150
Dauer-Drainstrom Id: 41
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 200
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.045
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 5.5
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Description: INFINEON - IRFB41N15DPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 41 A, 0.045 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150
Dauer-Drainstrom Id: 41
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 200
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.045
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 5.5
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IRFB41N15DPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 150V 41A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH 150V 41A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику
од. на суму грн.






