
IRFB4227PBF

Код товару: 25579
Виробник: IRUds,V: 200 V
Idd,A: 130 A
Rds(on), Ohm: 0,197 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 4600/70
Монтаж: THT
у наявності 35 шт:
22 шт - склад
3 шт - РАДІОМАГ-Київ
3 шт - РАДІОМАГ-Львів
3 шт - РАДІОМАГ-Харків
1 шт - РАДІОМАГ-Одеса
3 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 225.00 грн |
10+ | 199.00 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Інші пропозиції IRFB4227PBF за ціною від 44.89 грн до 285.55 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IRFB4227PBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 119724 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRFB4227PBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 10479 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRFB4227PBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 7244 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRFB4227PBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 119724 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRFB4227PBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 1735 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRFB4227PBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRFB4227PBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 65A; 190W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 65A Case: TO220AB Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 26mΩ Power dissipation: 190W Gate charge: 70nC Technology: HEXFET® |
на замовлення 831 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRFB4227PBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 12388 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRFB4227PBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 3481 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRFB4227PBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 46A, 10V Power Dissipation (Max): 330W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4600 pF @ 25 V |
на замовлення 2193 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRFB4227PBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 12388 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRFB4227PBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 65A; 190W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 65A Case: TO220AB Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 26mΩ Power dissipation: 190W Gate charge: 70nC Technology: HEXFET® кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 831 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRFB4227PBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 762 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRFB4227PBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 970 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRFB4227PBF | Виробник : INFINEON |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 65A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 330W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0197ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 4137 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRFB4227PBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
![]() |
IRFB4227PBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товару немає в наявності |
З цим товаром купують
100 kOhm 1% 0,1W 50V 0603 (RC0603FR-100KR-Hitano) (резистор SMD) Код товару: 27260
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Hitano
SMD резистори > 0603
Номінал: 100 kOhm
Точність: ±1% F
Pном, W: 0,1 W
Uроб,V: 50 V
Типорозмір: 0603
SMD резистори > 0603
Номінал: 100 kOhm
Точність: ±1% F
Pном, W: 0,1 W
Uроб,V: 50 V
Типорозмір: 0603
у наявності: 35900 шт
20900 шт - склад
5000 шт - РАДІОМАГ-Київ
5000 шт - РАДІОМАГ-Львів
5000 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
5000 шт - РАДІОМАГ-Київ
5000 шт - РАДІОМАГ-Львів
5000 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість | Ціна |
---|---|
100+ | 0.10 грн |
1000+ | 0.08 грн |
10000+ | 0.04 грн |
9,53 kOhm 1% 0,1W 50V 0603 (RC0603FR-9K53-Hitano) (резистор SMD) Код товару: 39621
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Hitano
SMD резистори > 0603
Номінал: 9,53 kOhm
Точність: ±1% F
Pном, W: 0,1 W
Uроб,V: 50 V
Типорозмір: 0603
SMD резистори > 0603
Номінал: 9,53 kOhm
Точність: ±1% F
Pном, W: 0,1 W
Uроб,V: 50 V
Типорозмір: 0603
у наявності: 22170 шт
20270 шт - склад
1900 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
1900 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість | Ціна |
---|---|
100+ | 0.10 грн |
1000+ | 0.08 грн |
10000+ | 0.04 грн |
UC3843BD1013TR Код товару: 56902
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: ST
Мікросхеми > Джерел живлення
Корпус: SO-8
Призначення і характеристики: Switching Controllers 0.5mA Current Mode,500 kHz,4.90 V to 5.10 V
Мікросхеми > Джерел живлення
Корпус: SO-8
Призначення і характеристики: Switching Controllers 0.5mA Current Mode,500 kHz,4.90 V to 5.10 V
у наявності: 414 шт
371 шт - склад
8 шт - РАДІОМАГ-Київ
10 шт - РАДІОМАГ-Львів
5 шт - РАДІОМАГ-Харків
20 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
8 шт - РАДІОМАГ-Київ
10 шт - РАДІОМАГ-Львів
5 шт - РАДІОМАГ-Харків
20 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 16.00 грн |
10+ | 14.50 грн |
100+ | 12.90 грн |
1 kOhm 1% 0,1W 75V 0603 (RC0603FR-071KL-YAGEO) (резистор SMD) Код товару: 182684
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: YAGEO
SMD резистори > 0603
Номінал: 1 kOhm
Точність: ±1% F
Pном, W: 0,1 W
Uроб,V: 75 V
Типорозмір: 0603
SMD резистори > 0603
Номінал: 1 kOhm
Точність: ±1% F
Pном, W: 0,1 W
Uроб,V: 75 V
Типорозмір: 0603
у наявності: 24300 шт
24300 шт - склад
очікується:
60000 шт
60000 шт - очікується 03.05.2025
Кількість | Ціна |
---|---|
100+ | 0.10 грн |
1000+ | 0.09 грн |
10000+ | 0.06 грн |
200 kOhm 1% 0,1W 50V 0603 (RC0603FR-200K0-Hitano) (резистор SMD) Код товару: 386
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Hitano
SMD резистори > 0603
Номінал: 200 kOhm
Точність: ±1% F
Pном, W: 0,1 W
Uроб,V: 50 V
Типорозмір: 0603
SMD резистори > 0603
Номінал: 200 kOhm
Точність: ±1% F
Pном, W: 0,1 W
Uроб,V: 50 V
Типорозмір: 0603
у наявності: 4980 шт
680 шт - склад
4300 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
4300 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
очікується:
20000 шт
20000 шт - очікується
Кількість | Ціна |
---|---|
100+ | 0.10 грн |
1000+ | 0.08 грн |
10000+ | 0.04 грн |