IRFB4227PBF
Код товару: 25579
Додати до обраних
Обраний товар
Виробник: IR
Корпус: TO-220
Uds,V: 200 V
Idd,A: 130 A
Rds(on), Ohm: 0,197 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 4600/70
Монтаж: THT
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 225.00 грн |
| 10+ | 199.00 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Інші пропозиції IRFB4227PBF за ціною від 55.72 грн до 277.86 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IRFB4227PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 200V 65A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRFB4227PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 200V 65A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 12378 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRFB4227PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 200V 65A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 73210 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRFB4227PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 200V 65A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 352 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRFB4227PBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 65A; 190W; TO220AB Kind of channel: enhancement Mounting: THT Technology: HEXFET® Type of transistor: N-MOSFET Kind of package: tube Gate charge: 70nC On-state resistance: 26mΩ Gate-source voltage: ±30V Drain current: 65A Power dissipation: 190W Drain-source voltage: 200V Case: TO220AB Polarisation: unipolar |
на замовлення 817 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRFB4227PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 200V 65A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 12378 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRFB4227PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 200V 65A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 73210 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRFB4227PBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRFB4227PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 65 A, 0.024 ohm, TO-220AB, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 65A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V Verlustleistung: 330W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm |
на замовлення 1046 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRFB4227PBF | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 200V 65A TO220ABPackaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 46A, 10V Power Dissipation (Max): 330W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4600 pF @ 25 V |
на замовлення 3789 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRFB4227PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 200V 65A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 970 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRFB4227PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 200V 65A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 3438 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| IRFB4227PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 200V 65A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH 200V 65A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 147+ | 96.63 грн |
| IRFB4227PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 200V 65A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH 200V 65A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 12378 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 127+ | 111.89 грн |
| IRFB4227PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 200V 65A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH 200V 65A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 73210 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 125+ | 113.49 грн |
| 128+ | 110.96 грн |
| 500+ | 87.48 грн |
| 1000+ | 72.84 грн |
| IRFB4227PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 200V 65A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH 200V 65A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 352 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 298+ | 119.31 грн |
| IRFB4227PBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 65A; 190W; TO220AB
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Technology: HEXFET®
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Gate charge: 70nC
On-state resistance: 26mΩ
Gate-source voltage: ±30V
Drain current: 65A
Power dissipation: 190W
Drain-source voltage: 200V
Case: TO220AB
Polarisation: unipolar
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 65A; 190W; TO220AB
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Technology: HEXFET®
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Gate charge: 70nC
On-state resistance: 26mΩ
Gate-source voltage: ±30V
Drain current: 65A
Power dissipation: 190W
Drain-source voltage: 200V
Case: TO220AB
Polarisation: unipolar
на замовлення 817 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 133.06 грн |
| 10+ | 112.63 грн |
| 25+ | 101.70 грн |
| 50+ | 89.09 грн |
| 100+ | 77.33 грн |
| 250+ | 64.72 грн |
| 500+ | 59.68 грн |
| IRFB4227PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 200V 65A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH 200V 65A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 12378 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 133.81 грн |
| 10+ | 112.83 грн |
| 100+ | 111.89 грн |
| IRFB4227PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 200V 65A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH 200V 65A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 73210 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 180.89 грн |
| 10+ | 114.03 грн |
| 100+ | 111.49 грн |
| 500+ | 84.76 грн |
| 1000+ | 67.76 грн |
| IRFB4227PBF |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFB4227PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 65 A, 0.024 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 65A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 330W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm
Description: INFINEON - IRFB4227PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 65 A, 0.024 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 65A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 330W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm
на замовлення 1046 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 197.96 грн |
| 10+ | 143.38 грн |
| 100+ | 87.98 грн |
| 500+ | 65.51 грн |
| 1000+ | 55.72 грн |
| IRFB4227PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 200V 65A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 46A, 10V
Power Dissipation (Max): 330W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4600 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 200V 65A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 46A, 10V
Power Dissipation (Max): 330W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4600 pF @ 25 V
на замовлення 3789 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 216.03 грн |
| 50+ | 101.93 грн |
| 100+ | 91.65 грн |
| 500+ | 69.10 грн |
| 1000+ | 63.67 грн |
| 2000+ | 59.10 грн |
| IRFB4227PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 200V 65A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH 200V 65A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 54+ | 263.91 грн |
| 56+ | 253.86 грн |
| 100+ | 245.25 грн |
| 250+ | 229.32 грн |
| 500+ | 206.55 грн |
| IRFB4227PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 200V 65A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH 200V 65A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 3438 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 52+ | 277.86 грн |
| 97+ | 146.96 грн |
| 106+ | 134.51 грн |
| 500+ | 102.83 грн |
| 1000+ | 90.26 грн |
З цим товаром купують
| Вилка 8P8C (TP8-8P8C) (RJ45W) Код товару: 8283
4
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: NINIGI
Роз'єми, клеми, з'єднувачі > Телефонні (RJ9, RJ11, RJ12, RJ45)
Функціональний опис: Вилка 8P8C
Тип: RJ45
Вилка/гніздо: Вилка
...С (к-сть контактів): 8P8C
Роз'єми, клеми, з'єднувачі > Телефонні (RJ9, RJ11, RJ12, RJ45)
Функціональний опис: Вилка 8P8C
Тип: RJ45
Вилка/гніздо: Вилка
...С (к-сть контактів): 8P8C
у наявності: 2319 шт
- 1491 шт - склад
- 2 шт - РАДІОМАГ-Київ
- 204 шт - РАДІОМАГ-Львів
- 622 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
очікується: 1000 шт
- 1000 шт - очікується
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 6.00 грн |
| 10+ | 4.80 грн |
| 100+ | 4.30 грн |
| Вилка 8P8C в екрані (YH-015) (KLS12-RJ45B-8P8C) Код товару: 8288
3
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: CZT, KLS
Роз'єми, клеми, з'єднувачі > Телефонні (RJ9, RJ11, RJ12, RJ45)
Функціональний опис: Вилка екранована 8P8CS
Тип: RJ45
Вилка/гніздо: Вилка
...С (к-сть контактів): 8P8C
Роз'єми, клеми, з'єднувачі > Телефонні (RJ9, RJ11, RJ12, RJ45)
Функціональний опис: Вилка екранована 8P8CS
Тип: RJ45
Вилка/гніздо: Вилка
...С (к-сть контактів): 8P8C
у наявності: 2101 шт
- 1381 шт - склад
- 82 шт - РАДІОМАГ-Київ
- 1 шт - РАДІОМАГ-Львів
- 64 шт - РАДІОМАГ-Харків
- 573 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
очікується: 10300 шт
- 10000 шт - очікується 22.10.2026
- 300 шт - очікується
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 7.00 грн |
| 10+ | 6.30 грн |
| 100+ | 5.60 грн |
| 1000+ | 5.10 грн |
| Реле твердотільне CPC1008NTR Код товару: 22409
2
Додати до обраних
Обраний товар
|
Виробник: CLARE
Реле
Тип реле: Твердотільні
Опис: SOP-4 1,5 kV 50/150 mA 100 V 2000/500 μs -40 ... + 85 ° C
Напруга котушки: 1,2 VDC
Струм макс.: 0,15 A
Конфігурація контактів: SPST-NO(1A)
Напруга перемикання: 100 VDC
Реле
Тип реле: Твердотільні
Опис: SOP-4 1,5 kV 50/150 mA 100 V 2000/500 μs -40 ... + 85 ° C
Напруга котушки: 1,2 VDC
Струм макс.: 0,15 A
Конфігурація контактів: SPST-NO(1A)
Напруга перемикання: 100 VDC
у наявності: 1179 шт
- 1163 шт - склад
- 1 шт - РАДІОМАГ-Київ
- 15 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 32.00 грн |
| 10+ | 28.70 грн |
| 9,53 kOhm 1% 0,1W 50V 0603 (RC0603FR-9K53-Hitano) (резистор SMD) Код товару: 39621
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Hitano
SMD резистори > 0603
Номінал: 9,53 kOhm
Точність: ±1% F
Pном, W: 0,1 W
Uроб,V: 50 V
Типорозмір: 0603
SMD резистори > 0603
Номінал: 9,53 kOhm
Точність: ±1% F
Pном, W: 0,1 W
Uроб,V: 50 V
Типорозмір: 0603
у наявності: 20370 шт
- 18970 шт - склад
- 1400 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 200+ | 0.10 грн |
| 1000+ | 0.08 грн |
| 10000+ | 0.04 грн |
| G205CMF (Gainta, корпус, PC, з прозорою кришкою, світло-сірий, 115х65х55мм) Код товару: 55562
5
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Gainta
Корпусні та встановлювальні вироби > Корпуси
Опис: Корпус герметичний вологонепроникний (IP65) з фланцями для кріплення; прозора кришка
Вид, тип, група: Корпуси герметичні
Матеріал: Пластик/Полікарбонат
Колір: світло-сірий з прозорою кришкою
Довжина, мм: 115,0 mm
Ширина, мм: 65,0 mm
Висота, мм: 55,0 mm
Загальні габарити: 115,0x65,0x55,0 mm
Корпусні та встановлювальні вироби > Корпуси
Опис: Корпус герметичний вологонепроникний (IP65) з фланцями для кріплення; прозора кришка
Вид, тип, група: Корпуси герметичні
Матеріал: Пластик/Полікарбонат
Колір: світло-сірий з прозорою кришкою
Довжина, мм: 115,0 mm
Ширина, мм: 65,0 mm
Висота, мм: 55,0 mm
Загальні габарити: 115,0x65,0x55,0 mm
у наявності: 168 шт
- 159 шт - склад
- 1 шт - РАДІОМАГ-Київ
- 3 шт - РАДІОМАГ-Львів
- 3 шт - РАДІОМАГ-Харків
- 2 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
очікується: 2 шт
- 2 шт - очікується
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 190.00 грн |
| 10+ | 169.40 грн |












