IRFB4227PBF
Код товару: 25579
Виробник: IRКорпус: TO-220
Uds,V: 200 V
Idd,A: 130 A
Rds(on), Ohm: 0,197 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 4600/70
Монтаж: THT
у наявності 16 шт:
7 шт - склад
5 шт - РАДІОМАГ-Київ
3 шт - РАДІОМАГ-Львів
1 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 225.00 грн |
| 10+ | 199.00 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Інші пропозиції IRFB4227PBF за ціною від 73.01 грн до 230.76 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
IRFB4227PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 200V 65A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 10479 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRFB4227PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 200V 65A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 6909 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRFB4227PBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 65A; 190W; TO220AB Kind of channel: enhancement Mounting: THT Technology: HEXFET® Type of transistor: N-MOSFET Kind of package: tube Gate charge: 70nC On-state resistance: 26mΩ Gate-source voltage: ±30V Drain current: 65A Power dissipation: 190W Drain-source voltage: 200V Case: TO220AB Polarisation: unipolar |
на замовлення 728 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRFB4227PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 200V 65A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 28150 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRFB4227PBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 65A; 190W; TO220AB Kind of channel: enhancement Mounting: THT Technology: HEXFET® Type of transistor: N-MOSFET Kind of package: tube Gate charge: 70nC On-state resistance: 26mΩ Gate-source voltage: ±30V Drain current: 65A Power dissipation: 190W Drain-source voltage: 200V Case: TO220AB Polarisation: unipolar кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 728 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRFB4227PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 200V 65A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 28155 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRFB4227PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 200V 65A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 12378 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRFB4227PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 200V 65A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 12378 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRFB4227PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 200V 65A TO220ABPackaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 46A, 10V Power Dissipation (Max): 330W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4600 pF @ 25 V |
на замовлення 3506 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRFB4227PBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRFB4227PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 65 A, 0.024 ohm, TO-220AB, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 65A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 330W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 3211 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRFB4227PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 200V 65A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
IRFB4227PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 200V 65A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
IRFB4227PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 200V 65A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
IRFB4227PBF | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFT 200V 65A 26mOhm 70nC Qg |
товару немає в наявності |
З цим товаром купують
| 100 kOhm 1% 0,1W 50V 0603 (RC0603FR-100KR-Hitano) (резистор SMD) Код товару: 27260
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Hitano
SMD резистори > 0603
Номінал: 100 kOhm
Точність: ±1% F
Pном, W: 0,1 W
Uроб,V: 50 V
Типорозмір: 0603
SMD резистори > 0603
Номінал: 100 kOhm
Точність: ±1% F
Pном, W: 0,1 W
Uроб,V: 50 V
Типорозмір: 0603
у наявності: 13205 шт
3026 шт - склад
3579 шт - РАДІОМАГ-Київ
3000 шт - РАДІОМАГ-Львів
3600 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
3579 шт - РАДІОМАГ-Київ
3000 шт - РАДІОМАГ-Львів
3600 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
очікується:
40000 шт
40000 шт - очікується 25.12.2025
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 200+ | 0.10 грн |
| 1000+ | 0.08 грн |
| 10000+ | 0.04 грн |
| 9,53 kOhm 1% 0,1W 50V 0603 (RC0603FR-9K53-Hitano) (резистор SMD) Код товару: 39621
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Hitano
SMD резистори > 0603
Номінал: 9,53 kOhm
Точність: ±1% F
Pном, W: 0,1 W
Uроб,V: 50 V
Типорозмір: 0603
SMD резистори > 0603
Номінал: 9,53 kOhm
Точність: ±1% F
Pном, W: 0,1 W
Uроб,V: 50 V
Типорозмір: 0603
у наявності: 21570 шт
19970 шт - склад
1600 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
1600 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 200+ | 0.10 грн |
| 1000+ | 0.08 грн |
| 10000+ | 0.04 грн |
| UC3843BD1013TR Код товару: 56902
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: ST
Мікросхеми > Джерел живлення
Корпус: SO-8
Призначення і характеристики: Switching Controllers 0.5mA Current Mode,500 kHz,4.90 V to 5.10 V
Мікросхеми > Джерел живлення
Корпус: SO-8
Призначення і характеристики: Switching Controllers 0.5mA Current Mode,500 kHz,4.90 V to 5.10 V
у наявності: 320 шт
256 шт - склад
25 шт - РАДІОМАГ-Київ
30 шт - РАДІОМАГ-Львів
9 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
25 шт - РАДІОМАГ-Київ
30 шт - РАДІОМАГ-Львів
9 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 16.00 грн |
| 10+ | 14.50 грн |
| 100+ | 12.90 грн |
| 1 kOhm 1% 0,1W 75V 0603 (RC0603FR-071KL-YAGEO) (резистор SMD) Код товару: 182684
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: YAGEO
SMD резистори > 0603
Номінал: 1 kOhm
Точність: ±1% F
Pном, W: 0,1 W
Uроб,V: 75 V
Типорозмір: 0603
SMD резистори > 0603
Номінал: 1 kOhm
Точність: ±1% F
Pном, W: 0,1 W
Uроб,V: 75 V
Типорозмір: 0603
у наявності: 28125 шт
22825 шт - склад
4300 шт - РАДІОМАГ-Харків
1000 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
4300 шт - РАДІОМАГ-Харків
1000 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
очікується:
60000 шт
60000 шт - очікується 27.11.2025
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 200+ | 0.10 грн |
| 1000+ | 0.09 грн |
| 10000+ | 0.06 грн |
| 200 kOhm 1% 0,1W 50V 0603 (RC0603FR-200K0-Hitano) (резистор SMD) Код товару: 386
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Hitano
SMD резистори > 0603
Номінал: 200 kOhm
Точність: ±1% F
Pном, W: 0,1 W
Uроб,V: 50 V
Типорозмір: 0603
SMD резистори > 0603
Номінал: 200 kOhm
Точність: ±1% F
Pном, W: 0,1 W
Uроб,V: 50 V
Типорозмір: 0603
товару немає в наявності
очікується:
20000 шт
20000 шт - очікується
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 200+ | 0.10 грн |
| 1000+ | 0.08 грн |
| 10000+ | 0.04 грн |






