IRFB4227PBF

IRFB4227PBF


infineon-irfb4227-datasheet-en.pdf
Код товару: 25579
Виробник: IR
Корпус: TO-220
Uds,V: 200 V
Idd,A: 130 A
Rds(on), Ohm: 0,197 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 4600/70
Монтаж: THT
у наявності 14 шт:

7 шт - склад
3 шт - РАДІОМАГ-Київ
3 шт - РАДІОМАГ-Львів
1 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість Ціна
1+225.00 грн
10+199.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції IRFB4227PBF за ціною від 58.77 грн до 256.03 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRFB4227PBF IRFB4227PBF Виробник : Infineon Technologies infineonirfb4227datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 65A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 29390 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
144+88.76 грн
156+82.24 грн
500+69.79 грн
1000+59.54 грн
Мінімальне замовлення: 144
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4227PBF IRFB4227PBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfb4227-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 65A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 10479 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+102.87 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4227PBF IRFB4227PBF Виробник : Infineon Technologies infineonirfb4227datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 65A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 6809 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
298+107.39 грн
500+96.66 грн
1000+89.14 грн
Мінімальне замовлення: 298
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4227PBF IRFB4227PBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E5921B736F1A6F5005056AB5A8F&compId=irfb4227pbf.pdf?ci_sign=73cadd42ded945992e2faf41c326daefc593b46d Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 65A; 190W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 65A
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 26mΩ
Gate-source voltage: ±30V
Gate charge: 70nC
Power dissipation: 190W
Technology: HEXFET®
на замовлення 237 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+118.34 грн
25+95.95 грн
50+91.03 грн
100+86.11 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4227PBF IRFB4227PBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E5921B736F1A6F5005056AB5A8F&compId=irfb4227pbf.pdf?ci_sign=73cadd42ded945992e2faf41c326daefc593b46d Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 65A; 190W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 65A
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 26mΩ
Gate-source voltage: ±30V
Gate charge: 70nC
Power dissipation: 190W
Technology: HEXFET®
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 237 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+142.01 грн
25+119.56 грн
50+109.23 грн
100+103.33 грн
250+95.45 грн
500+90.53 грн
1000+87.58 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4227PBF IRFB4227PBF Виробник : Infineon Technologies infineonirfb4227datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 65A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 29393 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+147.99 грн
10+94.61 грн
100+87.67 грн
500+71.73 грн
1000+58.77 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4227PBF IRFB4227PBF Виробник : Infineon Technologies infineonirfb4227datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 65A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 12378 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
77+165.87 грн
124+103.10 грн
Мінімальне замовлення: 77
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4227PBF IRFB4227PBF Виробник : Infineon Technologies infineonirfb4227datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 65A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 3454 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
77+167.58 грн
95+135.25 грн
121+105.62 грн
Мінімальне замовлення: 77
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4227PBF IRFB4227PBF Виробник : Infineon Technologies infineonirfb4227datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 65A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 12378 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+177.72 грн
10+110.46 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4227PBF IRFB4227PBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfb4227-datasheet-en.pdf Description: MOSFET N-CH 200V 65A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 46A, 10V
Power Dissipation (Max): 330W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4600 pF @ 25 V
на замовлення 3506 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+223.12 грн
50+168.21 грн
100+152.35 грн
500+123.40 грн
1000+105.02 грн
2000+100.48 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4227PBF IRFB4227PBF Виробник : INFINEON 3733158.pdf Description: INFINEON - IRFB4227PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 65 A, 0.024 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 65A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 330W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2745 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+238.45 грн
10+204.01 грн
100+169.56 грн
500+136.13 грн
1000+106.73 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4227PBF IRFB4227PBF Виробник : Infineon Technologies infineonirfb4227datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 65A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
50+256.03 грн
52+246.27 грн
100+237.92 грн
250+222.45 грн
500+200.38 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4227PBF IRFB4227PBF Виробник : Infineon Technologies infineonirfb4227datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 65A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4227PBF IRFB4227PBF Виробник : Infineon Technologies infineonirfb4227datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 65A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4227PBF IRFB4227PBF Виробник : Infineon Technologies Infineon-IRFB4227-DataSheet-v01_01-EN.pdf MOSFETs MOSFT 200V 65A 26mOhm 70nC Qg
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.

З цим товаром купують

100 kOhm 1% 0,1W 50V 0603 (RC0603FR-100KR-Hitano) (резистор SMD)
Код товару: 27260
Додати до обраних Обраний товар

RC0603HIT.pdf
100 kOhm 1% 0,1W 50V 0603 (RC0603FR-100KR-Hitano) (резистор SMD)
Виробник: Hitano
SMD резистори > 0603
Номінал: 100 kOhm
Точність: ±1% F
Pном, W: 0,1 W
Uроб,V: 50 V
Типорозмір: 0603
у наявності: 39621 шт
39600 шт - склад
21 шт - РАДІОМАГ-Львів
Кількість Ціна
400+0.10 грн
1000+0.08 грн
10000+0.04 грн
Мінімальне замовлення: 400
В кошику  од. на суму  грн.
9,53 kOhm 1% 0,1W 50V 0603 (RC0603FR-9K53-Hitano) (резистор SMD)
Код товару: 39621
Додати до обраних Обраний товар

RC0603HIT.pdf
9,53 kOhm 1% 0,1W 50V 0603 (RC0603FR-9K53-Hitano) (резистор SMD)
Виробник: Hitano
SMD резистори > 0603
Номінал: 9,53 kOhm
Точність: ±1% F
Pном, W: 0,1 W
Uроб,V: 50 V
Типорозмір: 0603
у наявності: 21370 шт
19770 шт - склад
1600 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість Ціна
400+0.10 грн
1000+0.08 грн
10000+0.04 грн
Мінімальне замовлення: 400
В кошику  од. на суму  грн.
UC3843BD1013TR
Код товару: 56902
Додати до обраних Обраний товар

en.CD00000966.pdf
UC3843BD1013TR
Виробник: ST
Мікросхеми > Джерел живлення
Корпус: SO-8
Призначення і характеристики: Switching Controllers 0.5mA Current Mode,500 kHz,4.90 V to 5.10 V
у наявності: 296 шт
251 шт - склад
17 шт - РАДІОМАГ-Київ
28 шт - РАДІОМАГ-Львів
Кількість Ціна
3+16.00 грн
10+14.50 грн
100+12.90 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
1 kOhm 1% 0,1W 75V 0603 (RC0603FR-071KL-YAGEO) (резистор SMD)
Код товару: 182684
Додати до обраних Обраний товар

rc0603-272842.pdf
1 kOhm 1% 0,1W 75V 0603 (RC0603FR-071KL-YAGEO) (резистор SMD)
Виробник: YAGEO
SMD резистори > 0603
Номінал: 1 kOhm
Точність: ±1% F
Pном, W: 0,1 W
Uроб,V: 75 V
Типорозмір: 0603
у наявності: 55765 шт
45065 шт - склад
3800 шт - РАДІОМАГ-Київ
4600 шт - РАДІОМАГ-Львів
1300 шт - РАДІОМАГ-Харків
1000 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість Ціна
400+0.10 грн
1000+0.09 грн
10000+0.06 грн
Мінімальне замовлення: 400
В кошику  од. на суму  грн.
200 kOhm 1% 0,1W 50V 0603 (RC0603FR-200K0-Hitano) (резистор SMD)
Код товару: 386
Додати до обраних Обраний товар

RC0603HIT.pdf
200 kOhm 1% 0,1W 50V 0603 (RC0603FR-200K0-Hitano) (резистор SMD)
Виробник: Hitano
SMD резистори > 0603
Номінал: 200 kOhm
Точність: ±1% F
Pном, W: 0,1 W
Uроб,V: 50 V
Типорозмір: 0603
у наявності: 12900 шт
12900 шт - склад
Кількість Ціна
400+0.10 грн
1000+0.08 грн
10000+0.04 грн
Мінімальне замовлення: 400
В кошику  од. на суму  грн.