IRFB4227PBF
Код товару: 25579
Додати до обраних
Обраний товар
Виробник: IR
Корпус: TO-220
Напруга сток-витік Uds, В: 200 В
Струм стоку Idd, А: 130 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,197 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 4600/70
Монтаж: THT
у наявності: 53 шт
- 37 шт - склад
- 9 шт - РАДІОМАГ-Київ
- 3 шт - РАДІОМАГ-Львів
- 4 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
на замовлення: 3 шт
- 3 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 225.00 грн |
| 10+ | 199.00 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Інші пропозиції IRFB4227PBF за ціною від 66.87 грн до 307.36 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IRFB4227PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 200V 65A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 19000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
IRFB4227PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 200V 65A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 19600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
IRFB4227PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 200V 65A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 12378 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
IRFB4227PBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 65A; 190W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 65A Power dissipation: 190W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 26mΩ Mounting: THT Gate charge: 70nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
на замовлення 540 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||
|
IRFB4227PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 200V 65A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 12378 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
IRFB4227PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 200V 65A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 11000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
IRFB4227PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 200V 65A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
IRFB4227PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 200V 65A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 272 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
IRFB4227PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 200V 65A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 67851 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
IRFB4227PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 200V 65A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 67855 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
IRFB4227PBF | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 200V 65A TO220ABPackaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 46A, 10V Power Dissipation (Max): 330W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4600 pF @ 25 V |
на замовлення 4027 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
IRFB4227PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 200V 65A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 870 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
IRFB4227PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 200V 65A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 4438 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
IRFB4227PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 200V 65A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 4438 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
IRFB4227PBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRFB4227PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 65 A, 0.024 ohm, TO-220AB, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 65A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V Verlustleistung: 330W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm |
на замовлення 3065 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| IRFB4227PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 200V 65A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH 200V 65A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 19000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1000+ | 109.92 грн |
| IRFB4227PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 200V 65A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH 200V 65A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 19600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1000+ | 109.92 грн |
| IRFB4227PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 200V 65A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH 200V 65A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 12378 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 128+ | 111.11 грн |
| IRFB4227PBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 65A; 190W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 65A
Power dissipation: 190W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 26mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 65A; 190W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 65A
Power dissipation: 190W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 26mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 540 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 112.59 грн |
| 10+ | 86.34 грн |
| 25+ | 75.34 грн |
| 50+ | 71.11 грн |
| 100+ | 66.87 грн |
| IRFB4227PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 200V 65A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH 200V 65A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 12378 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 6+ | 135.10 грн |
| 10+ | 116.09 грн |
| 100+ | 112.33 грн |
| 500+ | 107.14 грн |
| IRFB4227PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 200V 65A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH 200V 65A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 11000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 210+ | 168.17 грн |
| 500+ | 151.70 грн |
| 1000+ | 139.94 грн |
| 10000+ | 120.20 грн |
| IRFB4227PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 200V 65A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH 200V 65A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 210+ | 168.17 грн |
| 500+ | 151.70 грн |
| 1000+ | 139.94 грн |
| IRFB4227PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 200V 65A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH 200V 65A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 272 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 210+ | 168.17 грн |
| IRFB4227PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 200V 65A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH 200V 65A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 67851 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 66+ | 214.81 грн |
| 107+ | 132.80 грн |
| 168+ | 84.43 грн |
| IRFB4227PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 200V 65A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH 200V 65A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 67855 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 215.69 грн |
| 10+ | 133.35 грн |
| 100+ | 84.78 грн |
| IRFB4227PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 200V 65A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 46A, 10V
Power Dissipation (Max): 330W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4600 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 200V 65A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 46A, 10V
Power Dissipation (Max): 330W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4600 pF @ 25 V
на замовлення 4027 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 241.30 грн |
| 10+ | 151.08 грн |
| 50+ | 116.26 грн |
| 100+ | 98.57 грн |
| 500+ | 80.10 грн |
| IRFB4227PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 200V 65A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH 200V 65A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 870 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 54+ | 262.74 грн |
| 56+ | 252.73 грн |
| 100+ | 244.16 грн |
| 250+ | 228.30 грн |
| 500+ | 205.63 грн |
| IRFB4227PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 200V 65A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH 200V 65A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 4438 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 48+ | 297.49 грн |
| 93+ | 153.12 грн |
| 100+ | 149.62 грн |
| 500+ | 109.19 грн |
| 1000+ | 100.09 грн |
| IRFB4227PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 200V 65A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH 200V 65A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 4438 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 307.36 грн |
| 10+ | 158.20 грн |
| 100+ | 154.59 грн |
| 500+ | 112.81 грн |
| 1000+ | 103.40 грн |
| IRFB4227PBF |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFB4227PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 65 A, 0.024 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 65A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 330W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm
Description: INFINEON - IRFB4227PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 65 A, 0.024 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 65A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 330W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm
на замовлення 3065 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
З цим товаром купують
| Вилка 8P8C (TP8-8P8C) (RJ45W) Код товару: 8283
5
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: NINIGI
Роз'єми, клеми, з'єднувачі > Телефонні (RJ9, RJ11, RJ12, RJ45)
Функціональний опис: Вилка 8P8C
Тип: RJ45
Вилка/гніздо: Вилка
...C (к-сть контактів): 8P8C
УКТЗЕД: 8536 69 90 90
Роз'єми, клеми, з'єднувачі > Телефонні (RJ9, RJ11, RJ12, RJ45)
Функціональний опис: Вилка 8P8C
Тип: RJ45
Вилка/гніздо: Вилка
...C (к-сть контактів): 8P8C
УКТЗЕД: 8536 69 90 90
у наявності: 17018 шт
- 16537 шт - склад
- 115 шт - РАДІОМАГ-Київ
- 169 шт - РАДІОМАГ-Львів
- 197 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
очікується: 500 шт
- 500 шт - очікується
на замовлення: 1 шт
- 1 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 8.00 грн |
| 10+ | 7.20 грн |
| 100+ | 6.50 грн |
| Вилка 8P8C в екрані (YH-015) (KLS12-RJ45B-8P8C) Код товару: 8288
4
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: CZT, KLS
Роз'єми, клеми, з'єднувачі > Телефонні (RJ9, RJ11, RJ12, RJ45)
Функціональний опис: Вилка екранована 8P8CS
Тип: RJ45
Вилка/гніздо: Вилка
...C (к-сть контактів): 8P8C
УКТЗЕД: 8536 69 90 90
Роз'єми, клеми, з'єднувачі > Телефонні (RJ9, RJ11, RJ12, RJ45)
Функціональний опис: Вилка екранована 8P8CS
Тип: RJ45
Вилка/гніздо: Вилка
...C (к-сть контактів): 8P8C
УКТЗЕД: 8536 69 90 90
очікується: 10150 шт
- 10000 шт - очікується 22.10.2026
- 150 шт - очікується
на замовлення: 81 шт
- 81 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 7.00 грн |
| 10+ | 6.30 грн |
| 100+ | 5.60 грн |
| 1000+ | 5.10 грн |
| 9,53 kOhm 1% 0,1W 50V 0603 (RC0603FR-9K53-Hitano) (резистор SMD) Код товару: 39621
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Hitano
SMD резистори > 0603
Номінал: 9,53 кОм
Точність: ±1% F
Pном, Вт: 0,1 Вт
Uроб, В: 50 В
Типорозмір: 0603
SMD резистори > 0603
Номінал: 9,53 кОм
Точність: ±1% F
Pном, Вт: 0,1 Вт
Uроб, В: 50 В
Типорозмір: 0603
у наявності: 19770 шт
- 18370 шт - склад
- 1400 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
на замовлення: 1200 шт
- 1200 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 200+ | 0.10 грн |
| 1000+ | 0.08 грн |
| 10000+ | 0.04 грн |
| G205CMF (Gainta, корпус, PC, з прозорою кришкою, світло-сірий, 115х65х55мм) Код товару: 55562
5
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Gainta
Корпусні та встановлювальні вироби > Корпуси
Опис: Корпус герметичний вологонепроникний (IP65) з фланцями для кріплення; прозора кришка
Вид, тип, група: Корпуси герметичні
Матеріал: Пластик/Полікарбонат
Колір: світло-сірий з прозорою кришкою
Довжина, мм: 115,0 мм
Ширина, мм: 65,0 мм
Висота, мм: 55,0 мм
Загальні габарити: 115,0x65,0x55,0 мм
Корпусні та встановлювальні вироби > Корпуси
Опис: Корпус герметичний вологонепроникний (IP65) з фланцями для кріплення; прозора кришка
Вид, тип, група: Корпуси герметичні
Матеріал: Пластик/Полікарбонат
Колір: світло-сірий з прозорою кришкою
Довжина, мм: 115,0 мм
Ширина, мм: 65,0 мм
Висота, мм: 55,0 мм
Загальні габарити: 115,0x65,0x55,0 мм
у наявності: 153 шт
- 142 шт - склад
- 4 шт - РАДІОМАГ-Київ
- 2 шт - РАДІОМАГ-Львів
- 3 шт - РАДІОМАГ-Харків
- 2 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 190.00 грн |
| 10+ | 169.40 грн |
| Термоусадочна трубка 3мм чорна (термоусадка 3,0мм) KLS8-01140-HT-3.0 Код товару: 56702
7
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: KLS
Ізоляційні матеріали
Група: Трубки термоусадочні
Опис: Трубка термоусадочна, діам. до/після усадки: 3,0/1,5мм; колір:чорний; температура стиснення + 90 ° С; роб. темп. -55... + 125 ° С; радіальне стиснення > 50%, поздовжнє стиснення < 5%; діелектрична міцність > 25kV/mm, матеріал: Поліолефін.
Розмір: Діам. 3,0мм
Колір: Чорний
Ізоляційні матеріали
Група: Трубки термоусадочні
Опис: Трубка термоусадочна, діам. до/після усадки: 3,0/1,5мм; колір:чорний; температура стиснення + 90 ° С; роб. темп. -55... + 125 ° С; радіальне стиснення > 50%, поздовжнє стиснення < 5%; діелектрична міцність > 25kV/mm, матеріал: Поліолефін.
Розмір: Діам. 3,0мм
Колір: Чорний
у наявності: 3 м
- 3 м - РАДІОМАГ-Київ
очікується: 4000 м
- 4000 м - очікується
на замовлення: 177 м
- 177 м - термін постачання 7-21 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 6.67 грн |
| 4+ | 6.50 грн |
| 10+ | 5.80 грн |
| 100+ | 5.20 грн |












