Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > IRFB4227PBF
IRFB4227PBF

IRFB4227PBF

infineon-irfb4227-datasheet-en.pdf
Код товару: 25579
Додати до обраних Обраний товар

Виробник: IR
Корпус: TO-220
Напруга сток-витік Uds, В: 200 В
Струм стоку Idd, А: 130 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,197 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 4600/70
Монтаж: THT
у наявності: 64 шт
  • 45 шт - склад
  • 10 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 3 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 6 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
КількістьЦіна без ПДВ
1+225.00 грн
10+199.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції IRFB4227PBF за ціною від 59.41 грн до 340.98 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IRFB4227PBF IRFB4227PBF Infineon Technologies infineonirfb4227datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 65A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 12378 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
127+111.39 грн
Мінімальне замовлення: 127 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4227PBF IRFB4227PBF Infineon Technologies infineonirfb4227datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 65A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 352 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
298+118.78 грн
Мінімальне замовлення: 298 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4227PBF IRFB4227PBF INFINEON TECHNOLOGIES irfb4227pbf.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 65A; 190W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 65A
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 26mΩ
Power dissipation: 190W
Gate charge: 70nC
Technology: HEXFET®
Gate-source voltage: ±30V
на замовлення 586 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+132.47 грн
10+112.13 грн
25+101.25 грн
50+88.70 грн
100+76.98 грн
250+64.43 грн
500+59.41 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4227PBF IRFB4227PBF Infineon Technologies infineonirfb4227datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 65A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 4438 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+172.37 грн
100+155.73 грн
500+126.56 грн
1000+113.00 грн
2000+97.59 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4227PBF IRFB4227PBF Infineon Technologies infineonirfb4227datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 65A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 4438 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
82+172.37 грн
100+155.73 грн
500+126.56 грн
1000+113.00 грн
2000+97.59 грн
Мінімальне замовлення: 82 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4227PBF IRFB4227PBF Infineon Technologies infineon-irfb4227-datasheet-en.pdf Description: MOSFET N-CH 200V 65A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 46A, 10V
Power Dissipation (Max): 330W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4600 pF @ 25 V
на замовлення 3330 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+244.01 грн
50+117.65 грн
100+106.29 грн
500+81.07 грн
1000+75.06 грн
2000+70.02 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4227PBF IRFB4227PBF Infineon Technologies infineonirfb4227datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 65A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 870 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
54+262.74 грн
56+252.73 грн
100+244.16 грн
250+228.30 грн
500+205.63 грн
Мінімальне замовлення: 54 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4227PBF IRFB4227PBF Infineon Technologies infineonirfb4227datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 65A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 12378 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+334.26 грн
50+167.35 грн
100+151.20 грн
500+127.65 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4227PBF IRFB4227PBF Infineon Technologies infineonirfb4227datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 65A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 84710 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
42+340.94 грн
83+170.70 грн
100+154.22 грн
500+120.85 грн
1000+103.61 грн
2000+92.78 грн
5000+86.46 грн
Мінімальне замовлення: 42 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4227PBF IRFB4227PBF Infineon Technologies infineonirfb4227datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 65A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 84710 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+340.98 грн
50+170.72 грн
100+154.23 грн
500+120.87 грн
1000+103.63 грн
2000+92.79 грн
5000+86.47 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4227PBF IRFB4227PBF INFINEON 3733158.pdf Description: INFINEON - IRFB4227PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 65 A, 0.024 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 65A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 330W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm
на замовлення 918 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4227PBF infineonirfb4227datasheetv0101en.pdf
IRFB4227PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 200V 65A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 12378 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
127+111.39 грн
Мінімальне замовлення: 127 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4227PBF infineonirfb4227datasheetv0101en.pdf
IRFB4227PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 200V 65A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 352 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
298+118.78 грн
Мінімальне замовлення: 298 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4227PBF irfb4227pbf.pdf
IRFB4227PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 65A; 190W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 65A
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 26mΩ
Power dissipation: 190W
Gate charge: 70nC
Technology: HEXFET®
Gate-source voltage: ±30V
на замовлення 586 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+132.47 грн
10+112.13 грн
25+101.25 грн
50+88.70 грн
100+76.98 грн
250+64.43 грн
500+59.41 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4227PBF infineonirfb4227datasheetv0101en.pdf
IRFB4227PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 200V 65A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 4438 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+172.37 грн
100+155.73 грн
500+126.56 грн
1000+113.00 грн
2000+97.59 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4227PBF infineonirfb4227datasheetv0101en.pdf
IRFB4227PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 200V 65A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 4438 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
82+172.37 грн
100+155.73 грн
500+126.56 грн
1000+113.00 грн
2000+97.59 грн
Мінімальне замовлення: 82 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4227PBF infineon-irfb4227-datasheet-en.pdf
IRFB4227PBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 200V 65A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 46A, 10V
Power Dissipation (Max): 330W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4600 pF @ 25 V
на замовлення 3330 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+244.01 грн
50+117.65 грн
100+106.29 грн
500+81.07 грн
1000+75.06 грн
2000+70.02 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4227PBF infineonirfb4227datasheetv0101en.pdf
IRFB4227PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 200V 65A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 870 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
54+262.74 грн
56+252.73 грн
100+244.16 грн
250+228.30 грн
500+205.63 грн
Мінімальне замовлення: 54 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4227PBF infineonirfb4227datasheetv0101en.pdf
IRFB4227PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 200V 65A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 12378 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+334.26 грн
50+167.35 грн
100+151.20 грн
500+127.65 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4227PBF infineonirfb4227datasheetv0101en.pdf
IRFB4227PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 200V 65A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 84710 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
42+340.94 грн
83+170.70 грн
100+154.22 грн
500+120.85 грн
1000+103.61 грн
2000+92.78 грн
5000+86.46 грн
Мінімальне замовлення: 42 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4227PBF infineonirfb4227datasheetv0101en.pdf
IRFB4227PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 200V 65A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 84710 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+340.98 грн
50+170.72 грн
100+154.23 грн
500+120.87 грн
1000+103.63 грн
2000+92.79 грн
5000+86.47 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4227PBF 3733158.pdf
IRFB4227PBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFB4227PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 65 A, 0.024 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 65A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 330W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm
на замовлення 918 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.

З цим товаром купують

Вилка 8P8C (TP8-8P8C) (RJ45W)
Код товару: 8283
5 Додати до обраних Обраний товар
YH-012 8P8C.pdf
Вилка 8P8C (TP8-8P8C) (RJ45W)Вилка 8P8C (TP8-8P8C) (RJ45W)
Вилка 8P8C (TP8-8P8C) (RJ45W)Вилка 8P8C (TP8-8P8C) (RJ45W)
Виробник: NINIGI
Роз'єми, клеми, з'єднувачі > Телефонні (RJ9, RJ11, RJ12, RJ45)
Функціональний опис: Вилка 8P8C
Тип: RJ45
Вилка/гніздо: Вилка
...C (к-сть контактів): 8P8C
УКТЗЕД: 8536 69 90 90
товару немає в наявності
КількістьЦіна без ПДВ
1+20.00 грн
10+4.80 грн
100+4.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Вилка 8P8C в екрані (YH-015) (KLS12-RJ45B-8P8C)
Код товару: 8288
3 Додати до обраних Обраний товар
YH-015.pdf
Вилка 8P8C в екрані (YH-015) (KLS12-RJ45B-8P8C)
Виробник: CZT, KLS
Роз'єми, клеми, з'єднувачі > Телефонні (RJ9, RJ11, RJ12, RJ45)
Функціональний опис: Вилка екранована 8P8CS
Тип: RJ45
Вилка/гніздо: Вилка
...C (к-сть контактів): 8P8C
УКТЗЕД: 8536 69 90 90
у наявності: 1288 шт
  • 313 шт - склад
  • 82 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 96 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 264 шт - РАДІОМАГ-Харків
  • 533 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
очікується: 10000 шт
  • 10000 шт - очікується 22.10.2026
КількістьЦіна без ПДВ
3+7.00 грн
10+6.30 грн
100+5.60 грн
1000+5.10 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Реле твердотільне CPC1008NTR
Код товару: 22409
2 Додати до обраних Обраний товар
Реле твердотільне CPC1008NTR
Виробник: CLARE
Реле
Тип реле: Твердотільні
Опис: SOP-4 1,5 kV 50/150 mA 100 V 2000/500 μs -40 ... + 85 ° C
Габарити: 1,5
Напруга котушки: 1,2 VDC
Струм макс.: 0,15 А
Конфігурація контактів: SPST-NO(1A)
Напруга перемикання: 100 VDC
у наявності: 1115 шт
  • 1098 шт - склад
  • 16 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 1 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
КількістьЦіна без ПДВ
1+32.00 грн
10+28.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
9,53 kOhm 1% 0,1W 50V 0603 (RC0603FR-9K53-Hitano) (резистор SMD)
Код товару: 39621
Додати до обраних Обраний товар
RC0603HIT.pdf
9,53 kOhm 1% 0,1W 50V 0603 (RC0603FR-9K53-Hitano) (резистор SMD)
Виробник: Hitano
SMD резистори > 0603
Номінал: 9,53 кОм
Точність: ±1% F
Pном, Вт: 0,1 Вт
Uроб, В: 50 В
Типорозмір: 0603
у наявності: 20370 шт
  • 18970 шт - склад
  • 1400 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
КількістьЦіна без ПДВ
200+0.10 грн
1000+0.08 грн
10000+0.04 грн
Мінімальне замовлення: 200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G205CMF (Gainta, корпус, PC, з прозорою кришкою, світло-сірий, 115х65х55мм)
Код товару: 55562
5 Додати до обраних Обраний товар
g205mf_g308mf.pdf
G205CMF (Gainta, корпус, PC, з прозорою кришкою, світло-сірий, 115х65х55мм)
Виробник: Gainta
Корпусні та встановлювальні вироби > Корпуси
Опис: Корпус герметичний вологонепроникний (IP65) з фланцями для кріплення; прозора кришка
Вид, тип, група: Корпуси герметичні
Матеріал: Пластик/Полікарбонат
Колір: світло-сірий з прозорою кришкою
Довжина, мм: 115,0 мм
Ширина, мм: 65,0 мм
Висота, мм: 55,0 мм
Загальні габарити: 115,0x65,0x55,0 мм
у наявності: 160 шт
  • 151 шт - склад
  • 2 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 2 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 3 шт - РАДІОМАГ-Харків
  • 2 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
очікується: 2 шт
  • 2 шт - очікується
КількістьЦіна без ПДВ
1+190.00 грн
10+169.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.