Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IRFB4227PBFXKMA1
IRFB4227PBFXKMA1

IRFB4227PBFXKMA1 Infineon Technologies

infineonirfb4227datasheetv0101en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 200V 65A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 976 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+117.72 грн
50+116.54 грн
100+106.11 грн
500+100.20 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRFB4227PBFXKMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRFB4227PBFXKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 65 A, 0.0197 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 200V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 65A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, Verlustleistung: 330W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: HEXFET Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0197ohm.

Інші пропозиції IRFB4227PBFXKMA1 за ціною від 72.48 грн до 341.17 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IRFB4227PBFXKMA1 IRFB4227PBFXKMA1 Infineon Technologies infineonirfb4227datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 65A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 976 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
120+117.72 грн
121+116.54 грн
133+106.11 грн
500+100.20 грн
Мінімальне замовлення: 120 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4227PBFXKMA1 IRFB4227PBFXKMA1 Infineon Technologies infineonirfb4227datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 65A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 540 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
298+118.25 грн
500+106.43 грн
Мінімальне замовлення: 298 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4227PBFXKMA1 IRFB4227PBFXKMA1 INFINEON TECHNOLOGIES irfb4227pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535615eb531e1f Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 65A; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 65A
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 153 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+173.84 грн
10+101.30 грн
25+88.12 грн
50+79.89 грн
100+72.48 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4227PBFXKMA1 IRFB4227PBFXKMA1 Infineon Technologies infineonirfb4227datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 65A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 538 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
42+339.41 грн
83+169.94 грн
100+153.53 грн
500+120.31 грн
Мінімальне замовлення: 42 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4227PBFXKMA1 IRFB4227PBFXKMA1 Infineon Technologies infineonirfb4227datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 65A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 538 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+341.17 грн
50+170.81 грн
100+154.31 грн
500+120.93 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4227PBFXKMA1 IRFB4227PBFXKMA1 INFINEON 3733158.pdf Description: INFINEON - IRFB4227PBFXKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 65 A, 0.0197 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 65A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 330W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0197ohm
на замовлення 714 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4227PBFXKMA1 Infineon Technologies irfb4227pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535615eb531e1f MOSFETs IR FET >60-400V
на замовлення 851 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4227PBFXKMA1 infineonirfb4227datasheetv0101en.pdf
IRFB4227PBFXKMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 200V 65A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 976 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
120+117.72 грн
121+116.54 грн
133+106.11 грн
500+100.20 грн
Мінімальне замовлення: 120 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4227PBFXKMA1 infineonirfb4227datasheetv0101en.pdf
IRFB4227PBFXKMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 200V 65A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 540 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
298+118.25 грн
500+106.43 грн
Мінімальне замовлення: 298 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4227PBFXKMA1 irfb4227pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535615eb531e1f
IRFB4227PBFXKMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 65A; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 65A
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 153 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+173.84 грн
10+101.30 грн
25+88.12 грн
50+79.89 грн
100+72.48 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4227PBFXKMA1 infineonirfb4227datasheetv0101en.pdf
IRFB4227PBFXKMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 200V 65A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 538 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
42+339.41 грн
83+169.94 грн
100+153.53 грн
500+120.31 грн
Мінімальне замовлення: 42 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4227PBFXKMA1 infineonirfb4227datasheetv0101en.pdf
IRFB4227PBFXKMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 200V 65A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 538 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+341.17 грн
50+170.81 грн
100+154.31 грн
500+120.93 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4227PBFXKMA1 3733158.pdf
IRFB4227PBFXKMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFB4227PBFXKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 65 A, 0.0197 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 65A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 330W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0197ohm
на замовлення 714 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4227PBFXKMA1 irfb4227pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535615eb531e1f
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs IR FET >60-400V
на замовлення 851 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.