Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IRFB4227PBFXKMA1
IRFB4227PBFXKMA1

IRFB4227PBFXKMA1 INFINEON TECHNOLOGIES

irfb4227pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535615eb531e1f
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 65A; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 65A
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 60 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+187.44 грн
10+109.52 грн
15+68.77 грн
39+65.37 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 14-30 дні (днів)
Мінімальна партія: 3 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRFB4227PBFXKMA1 INFINEON TECHNOLOGIES

Description: TRENCH >=100V, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 46A, 10V, Power Dissipation (Max): 330W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220AB, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4600 pF @ 25 V.

Інші пропозиції IRFB4227PBFXKMA1 за ціною від 83.51 грн до 287.90 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IRFB4227PBFXKMA1 IRFB4227PBFXKMA1 Infineon Technologies infineonirfb4227datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 65A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1030 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
78+189.29 грн
Мінімальне замовлення: 78 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4227PBFXKMA1 IRFB4227PBFXKMA1 Infineon Technologies infineonirfb4227datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 65A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1030 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+189.91 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4227PBFXKMA1 IRFB4227PBFXKMA1 Infineon Technologies infineonirfb4227datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 65A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 540 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
192+191.64 грн
500+172.11 грн
Мінімальне замовлення: 192 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4227PBFXKMA1 IRFB4227PBFXKMA1 Infineon Technologies infineonirfb4227datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 65A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 976 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+264.07 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4227PBFXKMA1 IRFB4227PBFXKMA1 Infineon Technologies infineonirfb4227datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 65A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 976 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
56+265.53 грн
Мінімальне замовлення: 56 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4227PBFXKMA1 IRFB4227PBFXKMA1 Infineon Technologies irfb4227pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535615eb531e1f Description: TRENCH >=100V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 46A, 10V
Power Dissipation (Max): 330W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4600 pF @ 25 V
на замовлення 1502 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+268.20 грн
10+169.02 грн
50+130.43 грн
100+110.73 грн
500+90.28 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4227PBFXKMA1 Infineon Technologies irfb4227pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535615eb531e1f MOSFETs IR FET >60-400V
на замовлення 7804 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
2+287.90 грн
10+143.63 грн
100+112.85 грн
500+91.79 грн
1000+91.04 грн
2000+85.77 грн
5000+83.51 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4227PBFXKMA1 infineonirfb4227datasheetv0101en.pdf
IRFB4227PBFXKMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 200V 65A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1030 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
78+189.29 грн
Мінімальне замовлення: 78 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4227PBFXKMA1 infineonirfb4227datasheetv0101en.pdf
IRFB4227PBFXKMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 200V 65A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1030 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+189.91 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4227PBFXKMA1 infineonirfb4227datasheetv0101en.pdf
IRFB4227PBFXKMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 200V 65A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 540 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
192+191.64 грн
500+172.11 грн
Мінімальне замовлення: 192 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4227PBFXKMA1 infineonirfb4227datasheetv0101en.pdf
IRFB4227PBFXKMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 200V 65A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 976 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+264.07 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4227PBFXKMA1 infineonirfb4227datasheetv0101en.pdf
IRFB4227PBFXKMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 200V 65A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 976 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
56+265.53 грн
Мінімальне замовлення: 56 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4227PBFXKMA1 irfb4227pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535615eb531e1f
IRFB4227PBFXKMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: TRENCH >=100V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 46A, 10V
Power Dissipation (Max): 330W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4600 pF @ 25 V
на замовлення 1502 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+268.20 грн
10+169.02 грн
50+130.43 грн
100+110.73 грн
500+90.28 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4227PBFXKMA1 irfb4227pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535615eb531e1f
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs IR FET >60-400V
на замовлення 7804 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+287.90 грн
10+143.63 грн
100+112.85 грн
500+91.79 грн
1000+91.04 грн
2000+85.77 грн
5000+83.51 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.