Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IRFB4227PBFXKMA1
IRFB4227PBFXKMA1

IRFB4227PBFXKMA1 INFINEON TECHNOLOGIES

irfb4227pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535615eb531e1f Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 65A; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 65A
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 211 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+158.97 грн
10+126.29 грн
25+102.51 грн
50+81.19 грн
100+64.78 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRFB4227PBFXKMA1 INFINEON TECHNOLOGIES

Description: INFINEON - IRFB4227PBFXKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 65 A, 0.0197 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 200V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 65A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 330W, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: HEXFET Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0197ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції IRFB4227PBFXKMA1 за ціною від 52.59 грн до 222.27 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRFB4227PBFXKMA1 IRFB4227PBFXKMA1 Виробник : Infineon Technologies irfb4227pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535615eb531e1f Description: TRENCH >=100V
Packaging: Tube
Part Status: Active
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 46A, 10V
Power Dissipation (Max): 330W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4600 pF @ 25 V
на замовлення 1198 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+184.80 грн
50+87.14 грн
100+78.35 грн
500+59.08 грн
1000+54.43 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4227PBFXKMA1 IRFB4227PBFXKMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES irfb4227pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535615eb531e1f Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 65A; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 65A
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 211 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+190.76 грн
10+157.38 грн
25+123.01 грн
50+97.42 грн
100+77.74 грн
250+72.82 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4227PBFXKMA1 IRFB4227PBFXKMA1 Виробник : Infineon Technologies infineonirfb4227datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 65A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 930 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
65+198.96 грн
123+103.74 грн
137+93.28 грн
500+73.74 грн
Мінімальне замовлення: 65
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4227PBFXKMA1 IRFB4227PBFXKMA1 Виробник : Infineon Technologies infineonirfb4227datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 65A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
61+211.81 грн
64+201.60 грн
116+110.91 грн
Мінімальне замовлення: 61
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4227PBFXKMA1 IRFB4227PBFXKMA1 Виробник : INFINEON 3733158.pdf Description: INFINEON - IRFB4227PBFXKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 65 A, 0.0197 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 65A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 330W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0197ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 962 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+216.37 грн
10+205.77 грн
100+97.15 грн
500+75.04 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4227PBFXKMA1 IRFB4227PBFXKMA1 Виробник : Infineon Technologies infineonirfb4227datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 65A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 933 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+222.27 грн
10+212.08 грн
25+110.59 грн
100+95.88 грн
500+72.79 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4227PBFXKMA1 Виробник : Infineon Technologies irfb4227pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535615eb531e1f MOSFETs TRENCH >=100V
на замовлення 1527 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+197.47 грн
10+185.60 грн
25+85.02 грн
100+76.52 грн
500+63.30 грн
1000+56.13 грн
2000+52.59 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4227PBFXKMA1 IRFB4227PBFXKMA1 Виробник : Infineon Technologies infineonirfb4227datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 65A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4227PBFXKMA1 Виробник : Infineon Technologies irfb4227pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535615eb531e1f SP005738325
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.