IRFB4227PBFXKMA1 INFINEON TECHNOLOGIES
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 65A; TO220AB
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Drain current: 65A
Drain-source voltage: 200V
Case: TO220AB
Polarisation: unipolar
на замовлення 23 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 170.03 грн |
| 10+ | 130.91 грн |
| 15+ | 64.26 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRFB4227PBFXKMA1 INFINEON TECHNOLOGIES
Description: INFINEON - IRFB4227PBFXKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 65 A, 0.0197 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 200V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 65A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 330W, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: HEXFET Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0197ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції IRFB4227PBFXKMA1 за ціною від 45.11 грн до 213.41 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRFB4227PBFXKMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: TRENCH >=100V Packaging: Tube Part Status: Active Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 46A, 10V Power Dissipation (Max): 330W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4600 pF @ 25 V |
на замовлення 416 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRFB4227PBFXKMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 200V 65A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 1233 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRFB4227PBFXKMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRFB4227PBFXKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 65 A, 0.0197 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 65A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 330W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0197ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 966 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRFB4227PBFXKMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 200V 65A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 990 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRFB4227PBFXKMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 200V 65A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 1233 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| IRFB4227PBFXKMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs TRENCH >=100V |
на замовлення 2273 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
|
|
IRFB4227PBFXKMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 200V 65A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
| IRFB4227PBFXKMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
SP005738325 |
товару немає в наявності |