IRFB4227PBFXKMA1 Infineon Technologies
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 7+ | 113.01 грн |
| 50+ | 111.90 грн |
| 100+ | 98.89 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRFB4227PBFXKMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRFB4227PBFXKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 65 A, 0.0197 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 200V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 65A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, Verlustleistung: 330W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: HEXFET Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0197ohm.
Інші пропозиції IRFB4227PBFXKMA1 за ціною від 73.12 грн до 254.06 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
IRFB4227PBFXKMA1 | Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 200V 65A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 434 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
IRFB4227PBFXKMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 200V 65A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 976 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
IRFB4227PBFXKMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 200V 65A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 540 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
IRFB4227PBFXKMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 65A; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 65A Case: TO220AB Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
на замовлення 133 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
IRFB4227PBFXKMA1 | Infineon Technologies |
Description: TRENCH >=100V Packaging: Tube Part Status: Active Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 46A, 10V Power Dissipation (Max): 330W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4600 pF @ 25 V |
на замовлення 1056 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
IRFB4227PBFXKMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 200V 65A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 976 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
IRFB4227PBFXKMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IRFB4227PBFXKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 65 A, 0.0197 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 65A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V Verlustleistung: 330W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0197ohm |
на замовлення 612 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IRFB4227PBFXKMA1 | Infineon Technologies |
MOSFETs IR FET >60-400V |
на замовлення 5637 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| IRFB4227PBFXKMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 200V 65A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH 200V 65A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 434 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 126+ | 113.08 грн |
| 127+ | 111.96 грн |
| 144+ | 98.95 грн |
| IRFB4227PBFXKMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 200V 65A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH 200V 65A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 976 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 101+ | 140.51 грн |
| IRFB4227PBFXKMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 200V 65A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH 200V 65A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 540 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 210+ | 168.92 грн |
| 500+ | 152.38 грн |
| IRFB4227PBFXKMA1 |
|
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 65A; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 65A
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 65A; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 65A
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 133 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 175.40 грн |
| 10+ | 102.21 грн |
| 25+ | 88.91 грн |
| 50+ | 80.60 грн |
| 100+ | 73.12 грн |
| IRFB4227PBFXKMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Description: TRENCH >=100V
Packaging: Tube
Part Status: Active
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 46A, 10V
Power Dissipation (Max): 330W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4600 pF @ 25 V
Description: TRENCH >=100V
Packaging: Tube
Part Status: Active
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 46A, 10V
Power Dissipation (Max): 330W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4600 pF @ 25 V
на замовлення 1056 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 241.53 грн |
| 10+ | 151.44 грн |
| 50+ | 116.56 грн |
| 100+ | 98.82 грн |
| 500+ | 80.31 грн |
| IRFB4227PBFXKMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 200V 65A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH 200V 65A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 976 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 254.06 грн |
| 10+ | 152.11 грн |
| 100+ | 120.74 грн |
| 500+ | 100.75 грн |
| IRFB4227PBFXKMA1 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFB4227PBFXKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 65 A, 0.0197 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 65A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 330W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0197ohm
Description: INFINEON - IRFB4227PBFXKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 65 A, 0.0197 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 65A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 330W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0197ohm
на замовлення 612 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IRFB4227PBFXKMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs IR FET >60-400V
MOSFETs IR FET >60-400V
на замовлення 5637 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)