Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IRFB4227PBFXKMA1
IRFB4227PBFXKMA1

IRFB4227PBFXKMA1 Infineon Technologies

infineonirfb4227datasheetv0101en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 200V 65A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 530 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
164+86.72 грн
165+85.86 грн
173+81.84 грн
500+68.41 грн
Мінімальне замовлення: 164 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRFB4227PBFXKMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRFB4227PBFXKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 65 A, 0.0197 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 200V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 65A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 330W, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: HEXFET Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0197ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції IRFB4227PBFXKMA1 за ціною від 51.73 грн до 208.86 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
IRFB4227PBFXKMA1 IRFB4227PBFXKMA1 Infineon Technologies infineonirfb4227datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 65A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 538 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+87.13 грн
50+86.27 грн
100+82.23 грн
500+68.73 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4227PBFXKMA1 IRFB4227PBFXKMA1 Infineon Technologies infineonirfb4227datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 65A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 976 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
120+118.29 грн
121+117.11 грн
133+106.60 грн
500+102.15 грн
Мінімальне замовлення: 120 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4227PBFXKMA1 IRFB4227PBFXKMA1 Infineon Technologies infineonirfb4227datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 65A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 540 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
298+119.04 грн
500+107.14 грн
Мінімальне замовлення: 298 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4227PBFXKMA1 IRFB4227PBFXKMA1 INFINEON TECHNOLOGIES irfb4227pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535615eb531e1f Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 65A; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 65A
Case: TO220AB
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
на замовлення 200 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+179.08 грн
10+104.35 грн
25+90.78 грн
50+82.29 грн
100+74.66 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4227PBFXKMA1 IRFB4227PBFXKMA1 INFINEON 3733158.pdf Description: INFINEON - IRFB4227PBFXKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 65 A, 0.0197 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 65A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 330W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0197ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 724 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+208.86 грн
10+117.59 грн
100+91.27 грн
500+72.39 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4227PBFXKMA1 Infineon Technologies irfb4227pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535615eb531e1f MOSFETs IR FET >60-400V
на замовлення 1223 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+204.75 грн
10+113.48 грн
100+76.83 грн
500+65.48 грн
1000+57.58 грн
2000+51.73 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4227PBFXKMA1 infineonirfb4227datasheetv0101en.pdf
IRFB4227PBFXKMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 200V 65A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 538 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
9+87.13 грн
50+86.27 грн
100+82.23 грн
500+68.73 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4227PBFXKMA1 infineonirfb4227datasheetv0101en.pdf
IRFB4227PBFXKMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 200V 65A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 976 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
120+118.29 грн
121+117.11 грн
133+106.60 грн
500+102.15 грн
Мінімальне замовлення: 120 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4227PBFXKMA1 infineonirfb4227datasheetv0101en.pdf
IRFB4227PBFXKMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 200V 65A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 540 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
298+119.04 грн
500+107.14 грн
Мінімальне замовлення: 298 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4227PBFXKMA1 irfb4227pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535615eb531e1f
IRFB4227PBFXKMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 65A; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 65A
Case: TO220AB
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
на замовлення 200 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна
3+179.08 грн
10+104.35 грн
25+90.78 грн
50+82.29 грн
100+74.66 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4227PBFXKMA1 3733158.pdf
IRFB4227PBFXKMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFB4227PBFXKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 65 A, 0.0197 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 65A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 330W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0197ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 724 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
4+208.86 грн
10+117.59 грн
100+91.27 грн
500+72.39 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4227PBFXKMA1 irfb4227pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535615eb531e1f
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs IR FET >60-400V
на замовлення 1223 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
2+204.75 грн
10+113.48 грн
100+76.83 грн
500+65.48 грн
1000+57.58 грн
2000+51.73 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.