IRFB4228PBF Infineon Technologies
на замовлення 999 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 999+ | 98.80 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRFB4228PBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRFB4228PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 83 A, 0.015 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 83A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 330W, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції IRFB4228PBF за ціною від 106.18 грн до 304.15 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
IRFB4228PBF | Виробник : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 150V 83A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IRFB4228PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 150V 83A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 299 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IRFB4228PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 150V 83A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 1020 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IRFB4228PBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 83A; 330W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 150V Drain current: 83A Power dissipation: 330W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 12mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Technology: HEXFET® |
на замовлення 106 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IRFB4228PBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 83A; 330W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 150V Drain current: 83A Power dissipation: 330W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 12mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Technology: HEXFET® кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 106 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IRFB4228PBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRFB4228PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 83 A, 0.015 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 83A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 330W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 424 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IRFB4228PBF | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFT 150V 83A 15mOhm 72nC |
на замовлення 770 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| IRFB4228PBF | Виробник : International Rectifier HiRel Products |
Trans MOSFET N-CH 150V 83A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 520 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
 |
IRFB4228PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 150V 83A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 83A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 33A, 10V Power Dissipation (Max): 330W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 107 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4530 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |