Продукція > INFINEON > IRFB4229PBFXKMA1
IRFB4229PBFXKMA1

IRFB4229PBFXKMA1 INFINEON

3732402.pdf Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFB4229PBFXKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 46 A, 0.046 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 46A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 330W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.046ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+243.46 грн
10+212.92 грн
100+176.61 грн
500+147.14 грн
1000+125.21 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRFB4229PBFXKMA1 INFINEON

Description: INFINEON - IRFB4229PBFXKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 46 A, 0.046 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 250V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 46A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: TBA, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 330W, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: HEXFET Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.046ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

Інші пропозиції IRFB4229PBFXKMA1 за ціною від 78.18 грн до 252.27 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRFB4229PBFXKMA1 IRFB4229PBFXKMA1 Виробник : Infineon Technologies Description: TRENCH >=100V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 26A, 10V
Power Dissipation (Max): 330W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4560 pF @ 25 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+252.27 грн
50+122.20 грн
100+110.47 грн
500+84.38 грн
1000+78.18 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4229PBFXKMA1 Виробник : Infineon Technologies SP005745528
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4229PBFXKMA1 Виробник : Infineon Technologies IRFB4229PBFXKMA1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4229PBFXKMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IRFB4229_DataSheet_v01_01_EN-3363106.pdf MOSFETs TRENCH >=100V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.