IRFB42N20DPBF International Rectifier/Infineon
Виробник: International Rectifier/InfineonN-канальний ПТ; Udss, В = 220; Id = 44 A; Ptot, Вт = 330; Тип монт. = вивідний; Ciss, пФ @ Uds, В = 3430 @ 25; Qg, нКл = 140 @ 10 В; Rds = 55 мОм @ 26 A, 10 В; Tексп, °C = -55...+175; Ugs(th) = 5,5 В @ 250 мкА; TO-220AB
на замовлення 1 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRFB42N20DPBF International Rectifier/Infineon
Description: MOSFET N-CH 200V 44A TO220AB, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 26A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 330W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220AB, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3430 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IRFB42N20DPBF
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
IRFB42N20DPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 200V 44A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
товару немає в наявності |
|
 |
IRFB42N20DPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRFB42N20DPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 42.6 A, 0.055 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 200 Dauer-Drainstrom Id: 42.6 Rds(on)-Messspannung Vgs: 10 Verlustleistung Pd: 300 Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.055 Betriebstemperatur, max.: 175 Schwellenspannung Vgs: 5.5 SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
товару немає в наявності |
|
 |
IRFB42N20DPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 200V 44A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 26A, 10V Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 330W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3430 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |
|
 |
IRFB42N20DPBF | Виробник : Infineon / IR |
MOSFET 200V SINGLE N-CH 55m Ohms 91nC |
товару немає в наявності |