Інші пропозиції IRFB4310PBF за ціною від 93.12 грн до 347.69 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IRFB4310PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
IRFB4310PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 2081 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
IRFB4310PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 1975 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
IRFB4310PBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 140A; 330W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 140A Case: TO220AB Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement On-state resistance: 7mΩ Power dissipation: 330W Gate charge: 170nC Technology: HEXFET® Gate-source voltage: ±20V |
на замовлення 129 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||
|
IRFB4310PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 815 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
IRFB4310PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 815 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
IRFB4310PBF | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 100V 130A TO220ABPackaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 75A, 10V Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 250 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7670 pF @ 50 V |
на замовлення 14724 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
IRFB4310PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 2150 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
IRFB4310PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 2150 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
IRFB4310PBF | Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFT 100V 140A 7mOhm 170nC |
на замовлення 49 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| IRFB4310PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH 100V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1000+ | 123.90 грн |
| IRFB4310PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH 100V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2081 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1000+ | 123.90 грн |
| IRFB4310PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH 100V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 200+ | 176.40 грн |
| 500+ | 166.99 грн |
| 1000+ | 157.58 грн |
| IRFB4310PBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 140A; 330W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 140A
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 7mΩ
Power dissipation: 330W
Gate charge: 170nC
Technology: HEXFET®
Gate-source voltage: ±20V
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 140A; 330W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 140A
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 7mΩ
Power dissipation: 330W
Gate charge: 170nC
Technology: HEXFET®
Gate-source voltage: ±20V
на замовлення 129 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 260.73 грн |
| 10+ | 123.59 грн |
| 50+ | 93.12 грн |
| IRFB4310PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH 100V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 815 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 319.63 грн |
| 10+ | 178.00 грн |
| 50+ | 165.36 грн |
| 100+ | 132.72 грн |
| 500+ | 113.07 грн |
| IRFB4310PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH 100V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 815 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 45+ | 319.63 грн |
| 80+ | 178.00 грн |
| 86+ | 165.36 грн |
| 103+ | 132.72 грн |
| 500+ | 113.07 грн |
| IRFB4310PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 130A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 250 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7670 pF @ 50 V
Description: MOSFET N-CH 100V 130A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 250 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7670 pF @ 50 V
на замовлення 14724 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 331.50 грн |
| 10+ | 210.65 грн |
| 50+ | 163.85 грн |
| 100+ | 139.61 грн |
| 500+ | 114.82 грн |
| IRFB4310PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH 100V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 41+ | 346.93 грн |
| 78+ | 181.31 грн |
| 85+ | 167.58 грн |
| 103+ | 133.00 грн |
| 500+ | 112.73 грн |
| IRFB4310PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH 100V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 347.69 грн |
| 10+ | 181.72 грн |
| 50+ | 167.94 грн |
| 100+ | 133.29 грн |
| 500+ | 112.97 грн |
| IRFB4310PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 100V 140A 7mOhm 170nC
MOSFETs MOSFT 100V 140A 7mOhm 170nC
на замовлення 49 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)






