IRFB4310PBF Infineon Technologies
на замовлення 955 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 82.77 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRFB4310PBF Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 130A TO220AB, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 75A, 10V, Power Dissipation (Max): 300W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220AB, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 250 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7670 pF @ 50 V.
Інші пропозиції IRFB4310PBF за ціною від 59.00 грн до 245.35 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IRFB4310PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 815 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRFB4310PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 1799 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRFB4310PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 1800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRFB4310PBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 140A; 330W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 140A Case: TO220AB Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement On-state resistance: 7mΩ Gate-source voltage: ±20V Gate charge: 170nC Technology: HEXFET® Power dissipation: 330W |
на замовлення 254 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRFB4310PBF | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFT 100V 140A 7mOhm 170nC |
на замовлення 1771 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRFB4310PBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 140A; 330W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 140A Case: TO220AB Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement On-state resistance: 7mΩ Gate-source voltage: ±20V Gate charge: 170nC Technology: HEXFET® Power dissipation: 330W кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 254 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRFB4310PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 100V 130A TO220ABPackaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 75A, 10V Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 250 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7670 pF @ 50 V |
на замовлення 18089 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRFB4310PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 81 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||
|
IRFB4310PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 81 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||
| IRFB4310PBF | Виробник : International Rectifier Corporation |
TO-220, Trans MOSFET N-CH, Vds=100V, Id=140A, Rds(on)=5.6mOm, -55...+175 |
на замовлення 87 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
||||||||||||||||
|
IRFB4310PBF Код товару: 172846
Додати до обраних
Обраний товар
|
Транзистори > Польові N-канальні |
товару немає в наявності
|
|
||||||||||||||||
|
IRFB4310PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
IRFB4310PBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRFB4310PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 130 A, 0.0056 ohm, TO-220AB, DurchsteckmontageTransistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100 Dauer-Drainstrom Id: 130 Rds(on)-Messspannung Vgs: 10 Verlustleistung Pd: 300 Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0056 Betriebstemperatur, max.: 175 Schwellenspannung Vgs: 4 SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) |
товару немає в наявності |





