Інші пропозиції IRFB4310PBF за ціною від 78.65 грн до 298.27 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IRFB4310PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 815 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRFB4310PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 2600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRFB4310PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 2598 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRFB4310PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 1975 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRFB4310PBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 140A; 330W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 140A Case: TO220AB Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement On-state resistance: 7mΩ Gate-source voltage: ±20V Gate charge: 170nC Technology: HEXFET® Power dissipation: 330W |
на замовлення 163 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRFB4310PBF | Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFT 100V 140A 7mOhm 170nC |
на замовлення 1360 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRFB4310PBF | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 100V 130A TO220ABPackaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 75A, 10V Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 250 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7670 pF @ 50 V |
на замовлення 29844 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRFB4310PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 81 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
IRFB4310PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 81 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| IRFB4310PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH 100V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 815 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 88+ | 161.44 грн |
| 93+ | 152.25 грн |
| 108+ | 130.98 грн |
| 500+ | 120.64 грн |
| IRFB4310PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH 100V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 164.00 грн |
| 50+ | 154.04 грн |
| 100+ | 131.25 грн |
| 500+ | 120.56 грн |
| 1000+ | 108.55 грн |
| 2000+ | 103.17 грн |
| IRFB4310PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH 100V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2598 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 86+ | 164.88 грн |
| 92+ | 154.87 грн |
| 107+ | 131.96 грн |
| 500+ | 121.20 грн |
| 1000+ | 109.13 грн |
| 2000+ | 103.72 грн |
| IRFB4310PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH 100V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 193+ | 183.46 грн |
| 500+ | 164.64 грн |
| 1000+ | 151.70 грн |
| IRFB4310PBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 140A; 330W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 140A
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 7mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 170nC
Technology: HEXFET®
Power dissipation: 330W
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 140A; 330W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 140A
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 7mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 170nC
Technology: HEXFET®
Power dissipation: 330W
на замовлення 163 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 217.88 грн |
| 10+ | 107.51 грн |
| 50+ | 89.73 грн |
| 100+ | 88.04 грн |
| IRFB4310PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 100V 140A 7mOhm 170nC
MOSFETs MOSFT 100V 140A 7mOhm 170nC
на замовлення 1360 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 287.16 грн |
| 10+ | 186.01 грн |
| 100+ | 120.26 грн |
| 500+ | 100.57 грн |
| 1000+ | 92.83 грн |
| 2000+ | 87.91 грн |
| IRFB4310PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 130A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 250 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7670 pF @ 50 V
Description: MOSFET N-CH 100V 130A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 250 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7670 pF @ 50 V
на замовлення 29844 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 298.27 грн |
| 50+ | 144.52 грн |
| 100+ | 130.74 грн |
| 500+ | 100.00 грн |
| 1000+ | 92.71 грн |
| 2000+ | 86.58 грн |
| 5000+ | 78.65 грн |
| IRFB4310PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH 100V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 81 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| IRFB4310PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH 100V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 81 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.






