Інші пропозиції IRFB4310PBF за ціною від 103.87 грн до 475.99 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IRFB4310PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
IRFB4310PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 2081 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
IRFB4310PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 1975 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
IRFB4310PBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 140A; 330W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 140A Power dissipation: 330W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 7mΩ Mounting: THT Gate charge: 170nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
на замовлення 110 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||
|
IRFB4310PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 815 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
IRFB4310PBF | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 100V 130A TO220ABPackaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 75A, 10V Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 250 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7670 pF @ 50 V |
на замовлення 23914 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
IRFB4310PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 2150 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
IRFB4310PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 2150 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
IRFB4310PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 815 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
IRFB4310PBF | Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFT 100V 140A 7mOhm 170nC |
на замовлення 6033 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IRFB4310PBF | International Rectifier |
TO-220, Trans MOSFET N-CH, Vds=100V, Id=140A, Rds(on)=5.6mOm, -55...+175 Транзистори |
на замовлення 100 шт: термін постачання 4-5 дні (днів) |
|
| IRFB4310PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH 100V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1000+ | 124.46 грн |
| IRFB4310PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH 100V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2081 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1000+ | 124.46 грн |
| IRFB4310PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH 100V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 200+ | 177.19 грн |
| 500+ | 167.74 грн |
| 1000+ | 158.29 грн |
| IRFB4310PBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 140A; 330W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 140A
Power dissipation: 330W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 170nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 140A; 330W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 140A
Power dissipation: 330W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 170nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 110 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 265.78 грн |
| 10+ | 143.76 грн |
| 50+ | 107.19 грн |
| 100+ | 103.87 грн |
| IRFB4310PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH 100V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 815 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 46+ | 313.72 грн |
| IRFB4310PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 130A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 250 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7670 pF @ 50 V
Description: MOSFET N-CH 100V 130A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 250 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7670 pF @ 50 V
на замовлення 23914 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 325.41 грн |
| 10+ | 206.79 грн |
| 50+ | 160.82 грн |
| 100+ | 137.04 грн |
| 500+ | 112.71 грн |
| IRFB4310PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH 100V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 346.30 грн |
| IRFB4310PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH 100V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 41+ | 346.30 грн |
| IRFB4310PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH 100V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 815 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 475.99 грн |
| IRFB4310PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 100V 140A 7mOhm 170nC
MOSFETs MOSFT 100V 140A 7mOhm 170nC
на замовлення 6033 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| IRFB4310PBF |
![]() |
Виробник: International Rectifier
TO-220, Trans MOSFET N-CH, Vds=100V, Id=140A, Rds(on)=5.6mOm, -55...+175 Транзистори
TO-220, Trans MOSFET N-CH, Vds=100V, Id=140A, Rds(on)=5.6mOm, -55...+175 Транзистори
на замовлення 100 шт:
термін постачання 4-5 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 8+ | 105.03 грн |






