Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IRFB4310PBF
IRFB4310PBF

IRFB4310PBF Infineon Technologies

infineon-irfs4310-datasheet-v01_01-en.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 955 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+79.74 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRFB4310PBF Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 100V 130A TO220AB, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 75A, 10V, Power Dissipation (Max): 300W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220AB, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 250 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7670 pF @ 50 V.

Інші пропозиції IRFB4310PBF за ціною від 59.00 грн до 264.36 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRFB4310PBF IRFB4310PBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES irfs4310.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 140A; 330W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 140A
Power dissipation: 330W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 170nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 109 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+184.86 грн
9+104.22 грн
24+98.86 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4310PBF IRFB4310PBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES irfs4310.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 140A; 330W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 140A
Power dissipation: 330W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 170nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 109 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+221.84 грн
9+129.88 грн
24+118.63 грн
1000+114.03 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4310PBF IRFB4310PBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfs4310-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 815 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
53+231.01 грн
67+182.20 грн
100+132.58 грн
500+121.57 грн
Мінімальне замовлення: 53
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4310PBF IRFB4310PBF Виробник : Infineon Technologies Infineon_IRFS4310_DataSheet_v01_01_EN-3363331.pdf MOSFETs MOSFT 100V 140A 7mOhm 170nC
на замовлення 2101 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+264.36 грн
10+215.74 грн
25+119.92 грн
100+109.62 грн
250+92.70 грн
500+83.13 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4310PBF Виробник : International Rectifier Corporation irfs4310pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563a0e2e21a7 Trans MOSFET N-CH 100V 130A TO-220AB
на замовлення 87 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4310PBF
Код товару: 172846
Додати до обраних Обраний товар

irfs4310pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563a0e2e21a7 Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
Кількість Ціна
1+65.00 грн
10+59.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4310PBF IRFB4310PBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfs4310-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4310PBF IRFB4310PBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfs4310-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4310PBF IRFB4310PBF Виробник : INFINEON INFN-S-A0012838708-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFB4310PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 130 A, 0.0056 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100
Dauer-Drainstrom Id: 130
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 300
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0056
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 4
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4310PBF IRFB4310PBF Виробник : Infineon Technologies irfs4310pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563a0e2e21a7 Description: MOSFET N-CH 100V 130A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 250 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7670 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.