Інші пропозиції IRFB4310ZPBF за ціною від 78.08 грн до 329.51 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRFB4310ZPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
 Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 127A; 250W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 127A Power dissipation: 250W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 6mΩ Mounting: THT Gate charge: 0.12µC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
на замовлення 58 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRFB4310ZPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRFB4310ZPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 127 A, 6000 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 127A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 250W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 20V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6000µohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 193 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRFB4310ZPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 127A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRFB4310ZPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 100V 120A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 75A, 10V Power Dissipation (Max): 250W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6860 pF @ 50 V |
на замовлення 5246 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRFB4310ZPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 127A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 1790 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRFB4310ZPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 127A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 4517 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRFB4310ZPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 127A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 4517 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRFB4310ZPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 127A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 39 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
|
|
IRFB4310ZPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 127A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 130 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
|
|
IRFB4310ZPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 127A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 130 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |