IRFB4310ZPBF Infineon Technologies
Виробник: Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 120A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6860 pF @ 50 V
на замовлення 5358 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 241.66 грн |
| 10+ | 151.80 грн |
| 100+ | 105.91 грн |
| 500+ | 81.02 грн |
| 1000+ | 75.12 грн |
| 2000+ | 70.75 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRFB4310ZPBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRFB4310ZPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 127 A, 6000 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 127A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 250W, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 20V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6000µohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції IRFB4310ZPBF за ціною від 73.01 грн до 302.46 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRFB4310ZPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRFB4310ZPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 127 A, 6000 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 127A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 250W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 20V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6000µohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 1029 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRFB4310ZPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 127A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 1790 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRFB4310ZPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 127A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRFB4310ZPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 127A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 39 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
|
|
IRFB4310ZPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 127A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 130 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
|
|
IRFB4310ZPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 127A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 130 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
|
IRFB4310ZPBF Код товару: 145200
Додати до обраних
Обраний товар
|
Транзистори > Польові N-канальні |
товару немає в наявності
|
|||||||||||||||||||
|
|
IRFB4310ZPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 127A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
 |
IRFB4310ZPBF | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFT 100V 127A 6mOhm 120nC Qg |
товару немає в наявності |