Інші пропозиції IRFB4310ZPBF за ціною від 94.08 грн до 401.54 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IRFB4310ZPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 127A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
IRFB4310ZPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 127A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
IRFB4310ZPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 127A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 63650 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
IRFB4310ZPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 127A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 501 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
IRFB4310ZPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 127A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
IRFB4310ZPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 127A; 250W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 127A Power dissipation: 250W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 6mΩ Mounting: THT Gate charge: 0.12µC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
на замовлення 132 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||
|
IRFB4310ZPBF | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 100V 120A TO220ABPackaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 75A, 10V Power Dissipation (Max): 250W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6860 pF @ 50 V |
на замовлення 4967 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
IRFB4310ZPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 127A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 1788 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
IRFB4310ZPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 127A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 1788 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
IRFB4310ZPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 127A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 13512 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
IRFB4310ZPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 127A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 13517 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
IRFB4310ZPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRFB4310ZPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 127 A, 6000 µohm, TO-220AB, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 127A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 250W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 20V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6000µohm |
на замовлення 997 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
IRFB4310ZPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 127A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 39 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 25 шт В кошику од. на суму грн. |
| IRFB4310ZPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 127A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 100V 127A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1000+ | 129.72 грн |
| IRFB4310ZPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 127A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 100V 127A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1000+ | 129.72 грн |
| IRFB4310ZPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 127A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 100V 127A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 63650 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 224+ | 158.99 грн |
| 500+ | 150.69 грн |
| 1000+ | 142.38 грн |
| 10000+ | 129.29 грн |
| IRFB4310ZPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 127A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 100V 127A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 501 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 224+ | 158.99 грн |
| 500+ | 150.69 грн |
| IRFB4310ZPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 127A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 100V 127A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 62+ | 230.79 грн |
| IRFB4310ZPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 127A; 250W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 127A
Power dissipation: 250W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 127A; 250W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 127A
Power dissipation: 250W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 132 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 254.19 грн |
| 10+ | 99.86 грн |
| 26+ | 94.08 грн |
| IRFB4310ZPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 120A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6860 pF @ 50 V
Description: MOSFET N-CH 100V 120A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6860 pF @ 50 V
на замовлення 4967 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 288.47 грн |
| 10+ | 182.27 грн |
| 50+ | 141.27 грн |
| 100+ | 120.19 грн |
| 500+ | 98.48 грн |
| IRFB4310ZPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 127A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 100V 127A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1788 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 345.68 грн |
| IRFB4310ZPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 127A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 100V 127A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1788 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 42+ | 345.68 грн |
| IRFB4310ZPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 127A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 100V 127A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 13512 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 37+ | 385.19 грн |
| IRFB4310ZPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 127A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 100V 127A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 13517 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 401.54 грн |
| IRFB4310ZPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFB4310ZPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 127 A, 6000 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 127A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 250W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6000µohm
Description: INFINEON - IRFB4310ZPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 127 A, 6000 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 127A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 250W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6000µohm
на замовлення 997 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IRFB4310ZPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 127A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 100V 127A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 39 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)






