Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > IRFB4310ZPBF

IRFB4310ZPBF

irfb4310zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356161b4d1e2d
Код товару: 145200
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції IRFB4310ZPBF за ціною від 78.24 грн до 381.52 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IRFB4310ZPBF IRFB4310ZPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfb4310zpbf.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 127A; 250W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 127A
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 6mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 0.12µC
Technology: HEXFET®
Power dissipation: 250W
на замовлення 38 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+240.19 грн
10+150.07 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4310ZPBF IRFB4310ZPBF Infineon Technologies irfb4310zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356161b4d1e2d Description: MOSFET N-CH 100V 120A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6860 pF @ 50 V
на замовлення 5246 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+281.29 грн
10+177.67 грн
100+124.65 грн
500+95.74 грн
1000+88.91 грн
2000+83.18 грн
5000+78.24 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4310ZPBF IRFB4310ZPBF Infineon Technologies irfb4310zpbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 127A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
49+292.46 грн
51+281.31 грн
100+271.77 грн
250+254.12 грн
500+228.89 грн
1000+214.36 грн
Мінімальне замовлення: 49 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4310ZPBF IRFB4310ZPBF Infineon Technologies irfb4310zpbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 127A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1790 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+381.52 грн
10+257.77 грн
100+188.73 грн
500+141.80 грн
1000+116.20 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4310ZPBF IRFB4310ZPBF Infineon Technologies irfb4310zpbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 127A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1790 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
38+381.52 грн
55+257.77 грн
100+188.73 грн
500+141.80 грн
1000+116.20 грн
Мінімальне замовлення: 38 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4310ZPBF IRFB4310ZPBF INFINEON INFN-S-A0012838106-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFB4310ZPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 127 A, 6000 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 127A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6000µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 193 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4310ZPBF IRFB4310ZPBF Infineon Technologies irfb4310zpbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 127A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 39 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4310ZPBF IRFB4310ZPBF Infineon Technologies irfb4310zpbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 127A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 130 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 130 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4310ZPBF IRFB4310ZPBF Infineon Technologies irfb4310zpbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 127A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 130 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 130 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4310ZPBF irfb4310zpbf.pdf
IRFB4310ZPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 127A; 250W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 127A
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 6mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 0.12µC
Technology: HEXFET®
Power dissipation: 250W
на замовлення 38 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+240.19 грн
10+150.07 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4310ZPBF irfb4310zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356161b4d1e2d
IRFB4310ZPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 120A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6860 pF @ 50 V
на замовлення 5246 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+281.29 грн
10+177.67 грн
100+124.65 грн
500+95.74 грн
1000+88.91 грн
2000+83.18 грн
5000+78.24 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4310ZPBF irfb4310zpbf.pdf
IRFB4310ZPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 127A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
49+292.46 грн
51+281.31 грн
100+271.77 грн
250+254.12 грн
500+228.89 грн
1000+214.36 грн
Мінімальне замовлення: 49 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4310ZPBF irfb4310zpbf.pdf
IRFB4310ZPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 127A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1790 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+381.52 грн
10+257.77 грн
100+188.73 грн
500+141.80 грн
1000+116.20 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4310ZPBF irfb4310zpbf.pdf
IRFB4310ZPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 127A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1790 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
38+381.52 грн
55+257.77 грн
100+188.73 грн
500+141.80 грн
1000+116.20 грн
Мінімальне замовлення: 38 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4310ZPBF INFN-S-A0012838106-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFB4310ZPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFB4310ZPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 127 A, 6000 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 127A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6000µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 193 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4310ZPBF irfb4310zpbf.pdf
IRFB4310ZPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 127A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 39 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4310ZPBF irfb4310zpbf.pdf
IRFB4310ZPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 127A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 130 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 130 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4310ZPBF irfb4310zpbf.pdf
IRFB4310ZPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 127A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 130 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 130 шт
В кошику  од. на суму  грн.