Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IRFB4332PBFXKMA1

IRFB4332PBFXKMA1 Infineon Technologies

infineonirfb4332datasheeten.pdf
Виробник: Infineon Technologies
N-Channel MOSFET
на замовлення 12092 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
59+241.68 грн
63+224.44 грн
65+217.94 грн
100+201.79 грн
500+179.68 грн
1000+165.61 грн
Мінімальне замовлення: 59 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRFB4332PBFXKMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRFB4332PBFXKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 60 A, 0.033 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 250V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 60A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: TBA, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, Verlustleistung: 390W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: HEXFET Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.033ohm.

Інші пропозиції IRFB4332PBFXKMA1 за ціною від 132.39 грн до 373.43 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IRFB4332PBFXKMA1 Infineon Technologies infineonirfb4332datasheeten.pdf N-Channel MOSFET
на замовлення 12094 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+244.33 грн
10+226.89 грн
25+220.32 грн
100+203.99 грн
500+181.64 грн
1000+167.42 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4332PBFXKMA1 Infineon Technologies Description: MOSFET N-CH 250V 60A TO220AB
Packaging: Tube
на замовлення 576 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+373.43 грн
10+238.92 грн
50+187.02 грн
100+159.85 грн
500+132.39 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4332PBFXKMA1 Infineon Technologies infineon_irfb4332_datasheet_en.pdf MOSFETs TRENCH >=100V
на замовлення 691 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4332PBFXKMA1 INFINEON infineon-irfb4332-datasheet-en.pdf Description: INFINEON - IRFB4332PBFXKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 60 A, 0.033 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 390W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.033ohm
на замовлення 603 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4332PBFXKMA1 infineonirfb4332datasheeten.pdf
Виробник: Infineon Technologies
N-Channel MOSFET
на замовлення 12094 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+244.33 грн
10+226.89 грн
25+220.32 грн
100+203.99 грн
500+181.64 грн
1000+167.42 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4332PBFXKMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 250V 60A TO220AB
Packaging: Tube
на замовлення 576 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+373.43 грн
10+238.92 грн
50+187.02 грн
100+159.85 грн
500+132.39 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4332PBFXKMA1 infineon_irfb4332_datasheet_en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs TRENCH >=100V
на замовлення 691 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4332PBFXKMA1 infineon-irfb4332-datasheet-en.pdf
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFB4332PBFXKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 60 A, 0.033 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 390W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.033ohm
на замовлення 603 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.