IRFB4410ZPBF Infineon Technologies


infineonirfs4410zdatasheetv0101en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 97A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 3270 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
317+111.53 грн
500+100.38 грн
1000+92.57 грн
Мінімальне замовлення: 317 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRFB4410ZPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRFB4410ZPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 97 A, 9000 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 97A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, Verlustleistung: 230W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9000µohm.

Інші пропозиції IRFB4410ZPBF за ціною від 48.25 грн до 214.60 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IRFB4410ZPBF IRFB4410ZPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfb4410zpbf.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 97A; 230W; TO220AB
Mounting: THT
Power dissipation: 230W
Gate charge: 83nC
Polarisation: unipolar
Technology: HEXFET®
Drain current: 97A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 100V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tube
Case: TO220AB
On-state resistance: 9mΩ
на замовлення 848 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+115.13 грн
10+87.19 грн
20+77.88 грн
50+66.87 грн
100+60.10 грн
200+55.02 грн
500+48.25 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4410ZPBF IRFB4410ZPBF Infineon Technologies infineonirfs4410zdatasheetv0101en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 100V 97A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 12817 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
90+158.20 грн
126+112.31 грн
130+109.31 грн
500+75.08 грн
Мінімальне замовлення: 90 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4410ZPBF IRFB4410ZPBF Infineon Technologies irfb4410zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561644141e3a description Description: MOSFET N-CH 100V 97A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 97A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 58A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4820 pF @ 50 V
на замовлення 1507 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+178.01 грн
10+110.39 грн
50+83.99 грн
100+70.82 грн
500+56.77 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4410ZPBF IRFB4410ZPBF Infineon Technologies infineonirfs4410zdatasheetv0101en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 100V 97A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2386 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+188.12 грн
10+145.17 грн
50+106.79 грн
100+100.45 грн
500+67.94 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4410ZPBF IRFB4410ZPBF Infineon Technologies infineonirfs4410zdatasheetv0101en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 100V 97A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2386 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
76+188.12 грн
98+145.17 грн
133+106.79 грн
136+100.45 грн
500+67.94 грн
Мінімальне замовлення: 76 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4410ZPBF IRFB4410ZPBF Infineon Technologies infineonirfs4410zdatasheetv0101en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 100V 97A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 12817 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+214.60 грн
10+158.92 грн
50+112.84 грн
100+105.90 грн
500+69.84 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4410ZPBF IRFB4410ZPBF INFINEON INFN-S-A0012838362-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: INFINEON - IRFB4410ZPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 97 A, 9000 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 97A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 230W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9000µohm
на замовлення 459 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4410ZPBF IRFB4410ZPBF Infineon Technologies infineonirfs4410zdatasheetv0101en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 100V 97A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 111 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 111 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4410ZPBF IRFB4410ZPBF Infineon Technologies infineonirfs4410zdatasheetv0101en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 100V 97A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 111 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 111 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4410ZPBF description irfb4410zpbf.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 97A; 230W; TO220AB
Mounting: THT
Power dissipation: 230W
Gate charge: 83nC
Polarisation: unipolar
Technology: HEXFET®
Drain current: 97A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 100V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tube
Case: TO220AB
On-state resistance: 9mΩ
на замовлення 848 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+115.13 грн
10+87.19 грн
20+77.88 грн
50+66.87 грн
100+60.10 грн
200+55.02 грн
500+48.25 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4410ZPBF description infineonirfs4410zdatasheetv0101en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 97A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 12817 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
90+158.20 грн
126+112.31 грн
130+109.31 грн
500+75.08 грн
Мінімальне замовлення: 90 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4410ZPBF description irfb4410zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561644141e3a
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 97A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 97A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 58A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4820 pF @ 50 V
на замовлення 1507 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+178.01 грн
10+110.39 грн
50+83.99 грн
100+70.82 грн
500+56.77 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4410ZPBF description infineonirfs4410zdatasheetv0101en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 97A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2386 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+188.12 грн
10+145.17 грн
50+106.79 грн
100+100.45 грн
500+67.94 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4410ZPBF description infineonirfs4410zdatasheetv0101en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 97A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2386 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
76+188.12 грн
98+145.17 грн
133+106.79 грн
136+100.45 грн
500+67.94 грн
Мінімальне замовлення: 76 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4410ZPBF description infineonirfs4410zdatasheetv0101en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 97A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 12817 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+214.60 грн
10+158.92 грн
50+112.84 грн
100+105.90 грн
500+69.84 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4410ZPBF description INFN-S-A0012838362-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFB4410ZPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 97 A, 9000 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 97A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 230W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9000µohm
на замовлення 459 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4410ZPBF description infineonirfs4410zdatasheetv0101en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 97A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 111 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 111 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4410ZPBF description infineonirfs4410zdatasheetv0101en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 97A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 111 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 111 шт
В кошику  од. на суму  грн.