Технічний опис IRFB4410ZPBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRFB4410ZPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 97 A, 9000 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 97A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, Verlustleistung: 230W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9000µohm.
Інші пропозиції IRFB4410ZPBF за ціною від 54.51 грн до 253.37 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRFB4410ZPBF | Infineon Technologies |
  Trans MOSFET N-CH Si 100V 97A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 3270 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IRFB4410ZPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 97A; 230W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 97A Power dissipation: 230W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 9mΩ Mounting: THT Gate charge: 83nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
на замовлення 244 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IRFB4410ZPBF | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 100V 97A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 97A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 58A, 10V Power Dissipation (Max): 230W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4820 pF @ 50 V |
на замовлення 646 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IRFB4410ZPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 97A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 2386 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IRFB4410ZPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 97A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 2386 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IRFB4410ZPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 97A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 12817 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IRFB4410ZPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRFB4410ZPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 97 A, 9000 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 97A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 230W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9000µohm |
на замовлення 559 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
|
IRFB4410ZPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 97A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 111 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 111 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
|
IRFB4410ZPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 97A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 111 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 111 шт В кошику од. на суму грн. |
| IRFB4410ZPBF |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 97A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 100V 97A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 3270 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 317+ | 111.78 грн |
| 500+ | 100.61 грн |
| 1000+ | 92.78 грн |
| IRFB4410ZPBF |
|
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 97A; 230W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 97A
Power dissipation: 230W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 83nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 97A; 230W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 97A
Power dissipation: 230W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 83nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 244 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 114.06 грн |
| 10+ | 86.38 грн |
| 20+ | 77.16 грн |
| 50+ | 66.25 грн |
| 100+ | 59.54 грн |
| 200+ | 54.51 грн |
| IRFB4410ZPBF |
|
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 97A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 97A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 58A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4820 pF @ 50 V
Description: MOSFET N-CH 100V 97A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 97A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 58A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4820 pF @ 50 V
на замовлення 646 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 180.28 грн |
| 10+ | 111.71 грн |
| 50+ | 84.99 грн |
| 100+ | 71.66 грн |
| 500+ | 57.44 грн |
| IRFB4410ZPBF |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 97A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 100V 97A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2386 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 196.06 грн |
| 10+ | 151.53 грн |
| 50+ | 111.63 грн |
| 100+ | 105.02 грн |
| 500+ | 72.07 грн |
| IRFB4410ZPBF |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 97A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 100V 97A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2386 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 73+ | 196.06 грн |
| 94+ | 151.53 грн |
| 127+ | 111.63 грн |
| 130+ | 105.02 грн |
| 500+ | 72.07 грн |
| IRFB4410ZPBF |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 97A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 100V 97A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 12817 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 253.37 грн |
| 10+ | 163.10 грн |
| 50+ | 124.07 грн |
| 100+ | 107.49 грн |
| 500+ | 79.78 грн |
| IRFB4410ZPBF |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFB4410ZPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 97 A, 9000 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 97A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 230W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9000µohm
Description: INFINEON - IRFB4410ZPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 97 A, 9000 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 97A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 230W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9000µohm
на замовлення 559 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IRFB4410ZPBF |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 97A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 100V 97A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 111 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IRFB4410ZPBF |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 97A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 100V 97A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 111 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)