IRFB4410ZPBF Infineon Technologies
на замовлення 391 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 391+ | 43.82 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRFB4410ZPBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRFB4410ZPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 97 A, 9000 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 97A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 230W, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9000µohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції IRFB4410ZPBF за ціною від 37.59 грн до 178.52 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRFB4410ZPBF | Виробник : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH Si 100V 97A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 5200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRFB4410ZPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 97A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 10569 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRFB4410ZPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 97A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 3270 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRFB4410ZPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 97A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 10577 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRFB4410ZPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 97A; 230W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 97A Power dissipation: 230W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 9mΩ Mounting: THT Gate charge: 83nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
на замовлення 514 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRFB4410ZPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 100V 97A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 97A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 58A, 10V Power Dissipation (Max): 230W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4820 pF @ 50 V |
на замовлення 971 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRFB4410ZPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRFB4410ZPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 97 A, 9000 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 97A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 230W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9000µohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 837 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRFB4410ZPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 97A; 230W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 97A Power dissipation: 230W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 9mΩ Mounting: THT Gate charge: 83nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 514 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRFB4410ZPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 97A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 2386 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRFB4410ZPBF | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFT 100V 97A 9mOhm 83nC Qg |
на замовлення 439 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRFB4410ZPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 97A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 391 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
|
|
IRFB4410ZPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 97A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
товару немає в наявності |