IRFB4410ZPBF Infineon Technologies


infineonirfs4410zdatasheetv0101en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 97A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 3270 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
387+91.59 грн
500+82.44 грн
1000+76.03 грн
Мінімальне замовлення: 387 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRFB4410ZPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRFB4410ZPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 97 A, 9000 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 97A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, Verlustleistung: 230W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9000µohm.

Інші пропозиції IRFB4410ZPBF за ціною від 43.38 грн до 233.37 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IRFB4410ZPBF IRFB4410ZPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfb4410zpbf.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 97A; 230W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 97A
Power dissipation: 230W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 83nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 402 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+112.76 грн
10+85.40 грн
20+76.28 грн
50+65.50 грн
100+58.87 грн
200+53.89 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4410ZPBF IRFB4410ZPBF Infineon Technologies infineonirfs4410zdatasheetv0101en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 100V 97A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 5916 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
79+179.36 грн
113+125.91 грн
500+102.34 грн
1000+49.80 грн
2000+45.65 грн
5000+43.38 грн
Мінімальне замовлення: 79 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4410ZPBF IRFB4410ZPBF Infineon Technologies infineonirfs4410zdatasheetv0101en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 100V 97A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2386 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+203.03 грн
10+153.85 грн
100+119.08 грн
500+95.11 грн
1000+48.96 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4410ZPBF IRFB4410ZPBF Infineon Technologies infineonirfs4410zdatasheetv0101en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 100V 97A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2386 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
70+203.03 грн
92+153.85 грн
119+119.08 грн
500+95.11 грн
1000+48.96 грн
Мінімальне замовлення: 70 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4410ZPBF IRFB4410ZPBF Infineon Technologies irfb4410zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561644141e3a description Description: MOSFET N-CH 100V 97A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 97A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 58A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4820 pF @ 50 V
на замовлення 888 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+204.58 грн
10+126.48 грн
100+86.40 грн
500+65.00 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4410ZPBF IRFB4410ZPBF Infineon Technologies infineonirfs4410zdatasheetv0101en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 100V 97A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 5917 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+233.37 грн
10+180.41 грн
100+126.64 грн
500+99.26 грн
1000+46.38 грн
2000+44.08 грн
5000+43.63 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4410ZPBF IRFB4410ZPBF INFINEON INFN-S-A0012838362-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: INFINEON - IRFB4410ZPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 97 A, 9000 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 97A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 230W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9000µohm
на замовлення 896 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4410ZPBF IRFB4410ZPBF Infineon Technologies infineonirfs4410zdatasheetv0101en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 100V 97A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 111 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 111 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4410ZPBF IRFB4410ZPBF Infineon Technologies infineonirfs4410zdatasheetv0101en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 100V 97A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 111 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 111 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4410ZPBF description irfb4410zpbf.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 97A; 230W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 97A
Power dissipation: 230W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 83nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 402 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+112.76 грн
10+85.40 грн
20+76.28 грн
50+65.50 грн
100+58.87 грн
200+53.89 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4410ZPBF description infineonirfs4410zdatasheetv0101en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 97A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 5916 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
79+179.36 грн
113+125.91 грн
500+102.34 грн
1000+49.80 грн
2000+45.65 грн
5000+43.38 грн
Мінімальне замовлення: 79 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4410ZPBF description infineonirfs4410zdatasheetv0101en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 97A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2386 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+203.03 грн
10+153.85 грн
100+119.08 грн
500+95.11 грн
1000+48.96 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4410ZPBF description infineonirfs4410zdatasheetv0101en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 97A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2386 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
70+203.03 грн
92+153.85 грн
119+119.08 грн
500+95.11 грн
1000+48.96 грн
Мінімальне замовлення: 70 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4410ZPBF description irfb4410zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561644141e3a
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 97A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 97A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 58A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4820 pF @ 50 V
на замовлення 888 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+204.58 грн
10+126.48 грн
100+86.40 грн
500+65.00 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4410ZPBF description infineonirfs4410zdatasheetv0101en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 97A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 5917 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+233.37 грн
10+180.41 грн
100+126.64 грн
500+99.26 грн
1000+46.38 грн
2000+44.08 грн
5000+43.63 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4410ZPBF description INFN-S-A0012838362-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFB4410ZPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 97 A, 9000 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 97A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 230W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9000µohm
на замовлення 896 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4410ZPBF description infineonirfs4410zdatasheetv0101en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 97A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 111 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 111 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4410ZPBF description infineonirfs4410zdatasheetv0101en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 97A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 111 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 111 шт
В кошику  од. на суму  грн.