IRFB4510PBF Infineon
Код товару: 58620
Виробник: InfineonКорпус: TO-220
Uds,V: 100 V
Idd,A: 62 A
Rds(on), Ohm: 10,7 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 3180/58
Монтаж: THT
у наявності 183 шт:
107 шт - склад
32 шт - РАДІОМАГ-Київ
7 шт - РАДІОМАГ-Львів
13 шт - РАДІОМАГ-Одеса
24 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 35.00 грн |
| 10+ | 31.50 грн |
| 100+ | 27.90 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Інші пропозиції IRFB4510PBF за ціною від 41.12 грн до 130.35 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IRFB4510PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 62A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 461 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRFB4510PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 62A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 4682 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRFB4510PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 62A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 461 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRFB4510PBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 62A; 140W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 62A Power dissipation: 140W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 13.5mΩ Mounting: THT Gate charge: 58nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
на замовлення 240 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRFB4510PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 100V 62A TO220ABPackaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 62A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 37A, 10V Power Dissipation (Max): 140W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3180 pF @ 50 V |
на замовлення 48 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRFB4510PBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 62A; 140W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 62A Power dissipation: 140W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 13.5mΩ Mounting: THT Gate charge: 58nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 240 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRFB4510PBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRFB4510PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 62 A, 0.0135 ohm, TO-220AB, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 62A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 140W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0135ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 62 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRFB4510PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 62A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 4682 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRFB4510PBF | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs 100V 10.7mOhm 62A HEXFET 140W 50nC |
на замовлення 441 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRFB4510PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 62A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 128 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
|
IRFB4510PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 62A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 128 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
| IRFB4510PBF |
IRFB4510PBF Транзисторы |
на замовлення 108 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|||||||||||||||||||
|
|
IRFB4510PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 62A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
товару немає в наявності |
З цим товаром купують
| IRF9540NPBF Код товару: 31944
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: IR
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 100 V
Id,A: 23 A
Rds(on),Om: 0,117 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1300/97
Монтаж: THT
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 100 V
Id,A: 23 A
Rds(on),Om: 0,117 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1300/97
Монтаж: THT
у наявності: 622 шт
532 шт - склад
14 шт - РАДІОМАГ-Київ
6 шт - РАДІОМАГ-Львів
20 шт - РАДІОМАГ-Харків
50 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
14 шт - РАДІОМАГ-Київ
6 шт - РАДІОМАГ-Львів
20 шт - РАДІОМАГ-Харків
50 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 24.50 грн |
| 10+ | 21.80 грн |
| Дротяний припій, 1,5mm, 250g, з флюсом, свинцевий, CYNEL Sn60Pb40-SW26/2.5% Ø1.5, 250g Код товару: 15912
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: CYNEL
Паяльне обладнання, витратні матеріали для пайки > Припої, паяльні пасти
Категорія: Припій з флюсом
Опис: Припій для м'якої пайки з флюсом. Припій: Sn60Pb40; дріт; 1,5мм; 0,25кг; флюс: F-SW26; 2,5%, температура плавлення:190 ° С
Вага/Об’єм/К-сть: 250 g
Діаметр: 1,5 mm
Склад сплаву: Sn60Pb40
Температура плавлення: 190°C
Вид припоя: Свинцевий
Паяльне обладнання, витратні матеріали для пайки > Припої, паяльні пасти
Категорія: Припій з флюсом
Опис: Припій для м'якої пайки з флюсом. Припій: Sn60Pb40; дріт; 1,5мм; 0,25кг; флюс: F-SW26; 2,5%, температура плавлення:190 ° С
Вага/Об’єм/К-сть: 250 g
Діаметр: 1,5 mm
Склад сплаву: Sn60Pb40
Температура плавлення: 190°C
Вид припоя: Свинцевий
у наявності: 133 шт
125 шт - склад
3 шт - РАДІОМАГ-Київ
1 шт - РАДІОМАГ-Львів
4 шт - РАДІОМАГ-Харків
3 шт - РАДІОМАГ-Київ
1 шт - РАДІОМАГ-Львів
4 шт - РАДІОМАГ-Харків
очікується:
1415 шт
15 шт - очікується
1000 шт - очікується 05.11.2025
400 шт - очікується 25.11.2025
1000 шт - очікується 05.11.2025
400 шт - очікується 25.11.2025
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 640.00 грн |
| 10+ | 605.00 грн |
| MBR20100CTG Код товару: 26154
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
![]() |
Виробник: ON/LGE
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди Шотткі
Корпус: TO-220
Зворотня напруга, Vrrm: 100 V
Прямий струм (per leg), If: 20 A
Падіння напруги, Vf: 0,8 V
Примітка: Конструкція: два діоди в одному корпусі, загальний катод, струм 10 А на діод.
Монтаж: THT
Імпульсний струм, Ifsm: 150 A
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди Шотткі
Корпус: TO-220
Зворотня напруга, Vrrm: 100 V
Прямий струм (per leg), If: 20 A
Падіння напруги, Vf: 0,8 V
Примітка: Конструкція: два діоди в одному корпусі, загальний катод, струм 10 А на діод.
Монтаж: THT
Імпульсний струм, Ifsm: 150 A
у наявності: 443 шт
383 шт - склад
15 шт - РАДІОМАГ-Київ
12 шт - РАДІОМАГ-Львів
16 шт - РАДІОМАГ-Харків
17 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
15 шт - РАДІОМАГ-Київ
12 шт - РАДІОМАГ-Львів
16 шт - РАДІОМАГ-Харків
17 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 26.00 грн |
| 10+ | 23.40 грн |
| 2N3904 (транзистор біполярний NPN) Код товару: 29367
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: ON
Транзистори > Біполярні NPN
Корпус: TO-92
fT: 300 MHz
Uceo,V: 40 V
Ucbo,V: 60 V
Ic,A: 0,2 A
h21: 300
Монтаж: THT
Транзистори > Біполярні NPN
Корпус: TO-92
fT: 300 MHz
Uceo,V: 40 V
Ucbo,V: 60 V
Ic,A: 0,2 A
h21: 300
Монтаж: THT
у наявності: 1768 шт
1687 шт - склад
18 шт - РАДІОМАГ-Львів
1 шт - РАДІОМАГ-Харків
40 шт - РАДІОМАГ-Одеса
22 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
18 шт - РАДІОМАГ-Львів
1 шт - РАДІОМАГ-Харків
40 шт - РАДІОМАГ-Одеса
22 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
очікується:
100 шт
100 шт - очікується
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 3.00 грн |
| 10+ | 2.20 грн |
| 100+ | 1.80 грн |
| 1000+ | 1.50 грн |
| LTV817S-TA1 [C] Код товару: 31279
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Lite-On
Мікросхеми > Оптрони (оптопари)
Корпус: SMD-4
Тип: Транзистор
Uізол,kV: 5 kV
Iвх/Iвых,mA: 50/50 mA
Uвых,V: 35 V
Ton/Toff,µs: 4/3 µs
Роб.темп.,°С: -30…+110°C
Мікросхеми > Оптрони (оптопари)
Корпус: SMD-4
Тип: Транзистор
Uізол,kV: 5 kV
Iвх/Iвых,mA: 50/50 mA
Uвых,V: 35 V
Ton/Toff,µs: 4/3 µs
Роб.темп.,°С: -30…+110°C
у наявності: 9515 шт
8035 шт - склад
480 шт - РАДІОМАГ-Львів
500 шт - РАДІОМАГ-Харків
500 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
480 шт - РАДІОМАГ-Львів
500 шт - РАДІОМАГ-Харків
500 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 6.00 грн |
| 10+ | 5.40 грн |
| 100+ | 4.90 грн |
| 1000+ | 4.40 грн |








![LTV817S-TA1 [C] LTV817S-TA1 [C]](/img/smd-4.jpg)