Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > IRFB4510PBF Infineon
IRFB4510PBF

IRFB4510PBF Infineon

irfb4510pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561651d81e40
Код товару: 58620
Виробник: Infineon
Uds,V: 100 V
Idd,A: 62 A
Rds(on), Ohm: 10,7 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 3180/58
Монтаж: THT
у наявності 198 шт:
109 шт - склад
32 шт - РАДІОМАГ-Київ
13 шт - РАДІОМАГ-Львів
14 шт - РАДІОМАГ-Одеса
30 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість Ціна
1+35.00 грн
10+31.50 грн
100+27.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції IRFB4510PBF за ціною від 37.56 грн до 139.95 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRFB4510PBF IRFB4510PBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfb4510-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 62A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 544 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
317+38.37 грн
Мінімальне замовлення: 317
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4510PBF IRFB4510PBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfb4510-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 62A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
249+48.81 грн
311+39.10 грн
324+37.56 грн
Мінімальне замовлення: 249
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4510PBF IRFB4510PBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfb4510-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 62A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 544 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+65.66 грн
11+56.65 грн
100+43.24 грн
500+41.02 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4510PBF IRFB4510PBF Виробник : Infineon Technologies irfb4510pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561651d81e40 Description: MOSFET N-CH 100V 62A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 62A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 37A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3180 pF @ 50 V
на замовлення 2632 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+109.29 грн
10+77.48 грн
100+55.89 грн
500+45.36 грн
1000+41.60 грн
2000+38.45 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4510PBF IRFB4510PBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES IRFB4510PBF.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 62A; 140W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 140W
Polarisation: unipolar
Case: TO220AB
Kind of package: tube
Mounting: THT
Gate charge: 58nC
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 62A
On-state resistance: 13.5mΩ
на замовлення 185 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+116.63 грн
10+80.08 грн
17+52.62 грн
47+49.57 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4510PBF IRFB4510PBF Виробник : INFINEON 1627131.pdf Description: INFINEON - IRFB4510PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 62 A, 0.0107 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 62A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 140W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0107ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 316 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+121.55 грн
10+85.42 грн
100+62.83 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4510PBF IRFB4510PBF Виробник : Infineon Technologies Infineon_IRFB4510_DataSheet_v01_01_EN-3363086.pdf MOSFETs 100V 10.7mOhm 62A HEXFET 140W 50nC
на замовлення 441 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+125.56 грн
10+87.56 грн
100+55.72 грн
500+47.37 грн
1000+42.68 грн
2000+40.49 грн
5000+39.61 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4510PBF IRFB4510PBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES IRFB4510PBF.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 62A; 140W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 140W
Polarisation: unipolar
Case: TO220AB
Kind of package: tube
Mounting: THT
Gate charge: 58nC
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 62A
On-state resistance: 13.5mΩ
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 185 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+139.95 грн
10+99.79 грн
17+63.15 грн
47+59.49 грн
500+57.66 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4510PBF IRFB4510PBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfb4510-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 62A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 128 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4510PBF IRFB4510PBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfb4510-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 62A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 128 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4510PBF irfb4510pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561651d81e40 IRFB4510PBF Транзисторы
на замовлення 108 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4510PBF IRFB4510PBF Виробник : Infineon Technologies irfb4510pbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 62A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.

З цим товаром купують

IRF9540NPBF
Код товару: 31944
Додати до обраних Обраний товар

irf9540npbf.pdf
IRF9540NPBF
Виробник: IR
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 100 V
Id,A: 23 A
Rds(on),Om: 0,117 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1300/97
Монтаж: THT
у наявності: 27 шт
5 шт - РАДІОМАГ-Львів
12 шт - РАДІОМАГ-Харків
10 шт - РАДІОМАГ-Одеса
очікується: 10 шт
10 шт - очікується
Кількість Ціна
1+24.50 грн
10+21.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Дротяний припій, 1,5mm, 250g, з флюсом, свинцевий, CYNEL Sn60Pb40-SW26/2.5% Ø1.5, 250g
Код товару: 15912
Додати до обраних Обраний товар

cynel.pdf
Дротяний припій, 1,5mm, 250g, з флюсом, свинцевий, CYNEL Sn60Pb40-SW26/2.5% Ø1.5, 250g
+1
Виробник: CYNEL
Паяльне обладнання, витратні матеріали для пайки > Припої, паяльні пасти
Категорія: Припій з флюсом
Опис: Припій для м'якої пайки з флюсом. Припій: Sn60Pb40; дріт; 1,5мм; 0,25кг; флюс: F-SW26; 2,5%, температура плавлення:190 ° С
Вага/Об’єм/К-сть: 250 g
Діаметр: 1,5 mm
Склад сплаву: Sn60Pb40
Температура плавлення: 190°C
Вид припоя: Свинцевий
товару немає в наявності
очікується: 360 шт
360 шт - очікується 28.05.2025
Кількість Ціна
1+610.00 грн
10+582.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MBR20100CTG
Код товару: 26154
Додати до обраних Обраний товар

description MBR20100CT.pdf
MBR20100CTG
Виробник: ON/LGE
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди Шотткі
Корпус: TO-220
Зворотня напруга, Vrrm: 100 V
Прямий струм (per leg), If: 20 A
Падіння напруги, Vf: 0,8 V
Примітка: Конструкція: два діоди в одному корпусі, загальний катод, струм 10 А на діод.
Монтаж: THT
Імпульсний струм, Ifsm: 150 A
у наявності: 377 шт
271 шт - склад
32 шт - РАДІОМАГ-Київ
3 шт - РАДІОМАГ-Львів
71 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість Ціна
1+26.00 грн
10+23.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
2N3904 (транзистор біполярний NPN)
Код товару: 29367
Додати до обраних Обраний товар

2N3904.pdf
2N3904 (транзистор біполярний NPN)
Виробник: ON
Транзистори > Біполярні NPN
Корпус: TO-92
fT: 300 MHz
Uceo,V: 40 V
Ucbo,V: 60 V
Ic,A: 0,2 A
h21: 300
Монтаж: THT
у наявності: 9 шт
8 шт - РАДІОМАГ-Харків
1 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
очікується: 2000 шт
2000 шт - очікується 18.05.2025
Кількість Ціна
4+3.00 грн
10+2.20 грн
100+1.80 грн
1000+1.50 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
LTV817S-TA1 [C]
Код товару: 31279
Додати до обраних Обраний товар

ltv817s-ta1.pdf
LTV817S-TA1 [C]
Виробник: Lite-On
Мікросхеми > Оптрони (оптопари)
Корпус: SMD-4
Тип: Транзистор
Uізол,kV: 5 kV
Iвх/Iвых,mA: 50/50 mA
Uвых,V: 35 V
Ton/Toff,µs: 4/3 µs
Роб.темп.,°С: -30…+110°C
у наявності: 12018 шт
11896 шт - склад
45 шт - РАДІОМАГ-Київ
22 шт - РАДІОМАГ-Львів
3 шт - РАДІОМАГ-Харків
2 шт - РАДІОМАГ-Одеса
50 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість Ціна
2+6.00 грн
10+5.40 грн
100+4.90 грн
1000+4.40 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.