IRFB4610PBF Infineon Technologies
на замовлення 308 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 55.10 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRFB4610PBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRFB4610PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 73 A, 0.011 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 73A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 190W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції IRFB4610PBF за ціною від 64.37 грн до 192.13 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRFB4610PBF | Виробник : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 100V 73A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
IRFB4610PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 73A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
IRFB4610PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 73A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
IRFB4610PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 73A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
IRFB4610PBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 73A; 190W; TO220AB Case: TO220AB Drain-source voltage: 100V Drain current: 73A On-state resistance: 14mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 190W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Gate charge: 90nC Technology: HEXFET® Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Mounting: THT |
на замовлення 521 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
IRFB4610PBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRFB4610PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 73 A, 0.011 ohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 73A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 190W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 435 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
IRFB4610PBF | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFT 100V 73A 14mOhm 90nC Qg |
на замовлення 955 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
IRFB4610PBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 73A; 190W; TO220AB Case: TO220AB Drain-source voltage: 100V Drain current: 73A On-state resistance: 14mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 190W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Gate charge: 90nC Technology: HEXFET® Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Mounting: THT кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 521 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
IRFB4610PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 100V 73A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 73A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 44A, 10V Power Dissipation (Max): 190W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3550 pF @ 50 V |
товару немає в наявності |