Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IRFB4610PBF
IRFB4610PBF

IRFB4610PBF Infineon Technologies

infineonirfs4610datasheetv0101en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 73A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1000+118.01 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRFB4610PBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRFB4610PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 73 A, 0.014 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 73A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 190W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції IRFB4610PBF за ціною від 66.18 грн до 7053.87 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
IRFB4610PBF IRFB4610PBF INFINEON TECHNOLOGIES irfs4610.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 73A; 190W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 73A
Power dissipation: 190W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 14mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 90nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 830 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+149.32 грн
10+134.05 грн
20+128.11 грн
50+118.78 грн
100+111.99 грн
200+105.20 грн
500+96.72 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4610PBF IRFB4610PBF Infineon Technologies Infineon_IRFS4610_DataSheet_v01_01_EN-3363157.pdf description MOSFETs MOSFT 100V 73A 14mOhm 90nC Qg
на замовлення 955 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+176.79 грн
10+92.40 грн
100+78.24 грн
1000+66.18 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4610PBF IRFB4610PBF Infineon Technologies infineonirfs4610datasheetv0101en.pdf description Trans MOSFET N-CH 100V 73A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+7053.87 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4610PBF IRFB4610PBF INFINEON INFN-S-A0012838145-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: INFINEON - IRFB4610PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 73 A, 0.014 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 73A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 190W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4610PBF description irfs4610.pdf
IRFB4610PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 73A; 190W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 73A
Power dissipation: 190W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 14mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 90nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 830 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна
3+149.32 грн
10+134.05 грн
20+128.11 грн
50+118.78 грн
100+111.99 грн
200+105.20 грн
500+96.72 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4610PBF description Infineon_IRFS4610_DataSheet_v01_01_EN-3363157.pdf
IRFB4610PBF
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 100V 73A 14mOhm 90nC Qg
на замовлення 955 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
2+176.79 грн
10+92.40 грн
100+78.24 грн
1000+66.18 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4610PBF description infineonirfs4610datasheetv0101en.pdf
IRFB4610PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 73A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1000+7053.87 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4610PBF description INFN-S-A0012838145-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFB4610PBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFB4610PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 73 A, 0.014 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 73A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 190W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.